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201.
采用湿法化学刻蚀方法制备硅纳米线(SiNWs),对其进行快速热退火处理,利用水浴法在SiNWs表面生长氧化锌(ZnO)纳米线,制备了ZnO/SiNWs异质结湿度传感器.采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)分析了ZnO/SiNWs异质结的表面形貌和结构.测试了ZnO/SiNWs异质结湿度传感器不同湿度环境的电容响应,分析了它的工作机制.测试结果表明:传感器具有相对较大的灵敏度,较短的响应时间,较好的重复性、湿滞特性和稳定性,从而说明ZnO/SiNWs异质结在湿敏领域有很好的应用前景.  相似文献   
202.
镁合金具有比强度高、减振性和电磁屏蔽性好等优点,在电子产品上有越来越多的应用。镁合金电子产品的徽标及文字特征标识可以采用激光刻蚀打标方法,速度快、精度高、适应性广。针对激光种类及其参数对镁合金刻蚀的影响尚缺乏定量化的研究这一现状,本文利用光纤激光打标机进行打标实验,结合表面形貌的特征分析了激光种类和参数的影响,总结了镁合金激光精密打标技术的特点与应用。  相似文献   
203.
粉粒在等离子体中纯化的理论与工艺参数   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对反应室的情况,建立了硅粉的运动学模型和粉粒收集判据.应用该模型和判据,选择进气流速为5~20cm^3/min(标准状态下),抽气比例为0.1.由于等离子区内只存在表面反应,钝化作用会使纯化效应消失.在鞘层内存在大量高能离子,除表面反应外,离子还能对粉粒表面进行刻蚀,因此钝化效应将消失.按此新的纯化概念,鞘层应尽量增厚.基于鞘尽模型考虑,在适中的压力、电流密度和直流自偏压下,选定鞘层厚度为1.5cm.刻蚀提纯的实验结果表明,硅的纯度可由99.00%.提高到99.97%.  相似文献   
204.
利用扫描电镜表征硅片样品的表面形貌,用光谱仪测试硅片的反射率,并且用少子寿命测试系统测试硅片电学性能,研究了在进行多晶硅太阳能电池表面织构过程中NaOH溶液浓度对其的影响,结果表明:NaOH溶液浓度选择10%时,有效清除多晶硅片表面缺陷的同时,硅片表面织构减反射效果显著,并能兼顾硅片电学性能。  相似文献   
205.
针对大尺寸基底往复扫描条形离子束来实现大面积刻蚀的特点,实验测试了基于射频感应耦合等离子体离子源大型离子束刻蚀机的性能.利用法拉第筒扫描探测系统在线测量束流密度,通过控制气体流量、调节加速电压等,得到了纵向束流密度±5.3%均匀性的较好结果.刻蚀实验表明40cm长度范围刻蚀深度均匀性为±5.4%,同时具有较好的束流稳定性.添加束阑,并结合掩模修正束流,会得到更好的束流密度与刻蚀深度均匀性.  相似文献   
206.
采用CF4/O2作为刻蚀气体,对不同工作压强下ICP刻蚀SiC材料的刻蚀速率以及随之引入的刻蚀损伤进行了研究.结果表明,随着工作压强的增加,ICP刻蚀S iC材料的速率先缓慢增加,然后急剧降低.通过XPS光电子能谱分析发现刻蚀后样品表面的F、O含量均有所增加,表面污染加剧,刻蚀引入的损伤随着工作压强的增加而增加.  相似文献   
207.
208.
介绍了氧等离子体处理苎麻织物的实验,测试苎麻在等离子体处理前后的毛细效应的变化情况,探讨氧等离子体处理对苎麻织物毛细效应改善的影响机制.  相似文献   
209.
采用动态光散射(DLS) 、透射电镜(TEM)以及冷冻刻蚀透射电镜(FF-TEM)研究双子烷基苯磺酸盐DSDBS-2在水溶液中的聚集行为.结果表明: DSDBS-2的质量分数在(10~15)w_(cmc)(w_(cmc)为DSDBS-2临界胶束浓度)时,溶液中有大量的球状胶束、棒状胶束、椭球状胶束和囊泡共存,微粒粒径在50~75 nm之间居多;当其质量分数为20w_(cmc)时,观察到大量的囊泡结构;当其质量分数为200w_(cmc)并加热至60 ℃超声波分散时,溶液中囊泡数量急剧减少;DSDBS-2在低质量分数时就形成囊泡聚集体与其独特的结构有关.  相似文献   
210.
目前酸压裂缝导流能力实验多采用光滑岩板模拟地层水力裂缝,忽略了裂缝粗糙形貌对酸刻蚀行为、导流能力影响。采用自研装置酸压裂缝导流能力测试系统,分别用光滑岩板、粗糙岩板模拟光滑裂缝、粗糙裂缝,研究了不同注酸排量、注酸时间下两种不同形貌水力裂缝的酸刻蚀行为和导流能力特征。结果表明,酸刻蚀后光滑裂缝轮廓线迂曲度增加;粗糙裂缝相反,酸刻蚀作用体现为削峰深谷。增加注酸排量或注酸时间,粗糙裂缝的高程变化、裂缝宽度、酸溶蚀量和导流能力增加幅度均明显大于光滑裂缝,且导流保持能力更好;粗糙裂缝对注酸参数变化更敏感。粗糙岩板利于真实评价储层条件下酸压裂缝导流能力,提高酸压方案设计的针对性,改善酸压效果。  相似文献   
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