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101.
关于夷平面   总被引:29,自引:2,他引:29  
夷平面包括准平原,山麓面和刻蚀平原。三者成因和分布不同,但其间并无不可逾越的障碍。Budel就花岗岩区提出的“双层夷平面”理论也基本上适用于我国南方灰岩区,他把风化壳作为胰平面上部层,对夷平面形成环境和各种风化矿产形成条件的研究均具有重要理论与实践意义。近年来在研究青藏高原隆升幅度和速率时,国外同行怀疑利用古生物化石等作为依据的可靠性,只承认胰平面原始高度作为陆地抬升幅度的可靠标准。总之,夷平面的  相似文献   
102.
谷胱甘肽(GSH)在控制细胞氧化还原状态中起着至关重要的作用,其在人体内浓度异常与许多疾病密切相关,因此,检测GSH具有重要意义.在磷酸缓冲盐溶液(pH=6.2)中,核壳型Au@MnO2纳米粒子的外壳MnO2被GSH刻蚀,使体系溶液颜色改变(浅绿→浅红),吸光度降低.基于此原理,通过测量Au@MnO2体系的比色信号随GSH浓度的变化,可以实现GSH的检测.在优化的条件下,Au@MnO2传感体系检测GSH的线性范围为2nmol/L~0.1 mmol/L,检出限为1.62 nmol/L(S/N=3).该方法操作简单、灵敏度高、结果可视化,该传感体系对检测GSH具有很好的选择性,并可用于人血清样品中GSH的检测.  相似文献   
103.
利用聚苯乙烯(polystyrene, PS)纳米球刻蚀结合水热生长的方法,制备周期有序δ-MnO2纳米阵列。利用磁控溅射MnO2靶材获得种子层,将PS纳米球通过自组装方法在MnO2种子层上形成单层密堆积结构来制备图案化模板,再通过反应离子刻蚀(reactive ion etching,RIE)减小PS纳米球的尺寸,并利用磁控溅射SiO2靶材来覆盖PS纳米球间的间隙,去除衬底上的PS纳米球以得到周期有序的MnO2种子位点,用于后续水热生长。通过选取不同尺寸的PS纳米球,制备周期分别为800和500 nm的有序纳米阵列,利用透射电子显微镜(transmission electron microscopy, TEM)对其进行表征,并确认阵列中MnO2材料为δ相。研究结果为寻找低成本制备半导体材料有序纳米阵列提供了方法。  相似文献   
104.
金属-有机骨架(MOFs)材料具有孔隙率高、比表面积大、晶体高度有序、结构和功能可调控等独特优势,但是由于单一MOF材料导电性差、电子-空穴复合快等缺点,严重限制了光催化性能。因此,利用MOF基复合材料在两组分间的协同作用以获得增强的光催化性能引起了研究者的广泛关注。本文采用蒸馏水原位刻蚀法制备了具有不饱和钛-氧簇、介孔结构和紧密界面的TiO2@NH2-MIL-125(Ti)纳米复合材料。X射线光电子能谱表明TiO2和NH2-MIL-125(Ti)之间具有很强的电子相互作用,证实了TiO2@NH2-MIL-125(Ti)纳米复合材料的形成。光电化学测试和热力学测试表明TiO2@NH2-MIL-125(Ti)纳米复合材料提高了异质结界面载流子的电荷分离效率,降低了载流子的转移阻力,这有利于光激发电子的转移和Cr(VI)的还原。因此,与原始NH2-MIL-125(Ti)和NH2-MIL-125(Ti)完全衍生的TiO2相比,最优的TiO2@NH2-MIL-125(Ti)纳米复合材料(MT-2)表现出良好的光催化还原Cr(VI)性能。基于自由基捕获实验和电子顺磁共振波谱测试结果,推测了TiO2@NH2-MIL-125(Ti)纳米复合材料增强光催化活性的II型机理。  相似文献   
105.
PAN基炭纤维阳极电解表面刻蚀工艺研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
以H酸为电解质对国产PAN基炭纤维进行表面电解刻蚀处理。讨论了电解温度,电解时间,电解液质量数,电流强度对炭纤维抗拉强度的影响。结果表明,在优化工艺条件,炭的抗拉强度可由2.80GPa提高到3.61GPa,提高了28%,文中还对电解刻蚀提高炭纤维抗强度的机理进行了初步探讨。  相似文献   
106.
文章系统阐述了高Tcbolometer的工作原理及性能优势;简要介绍了采用负胶光刻和湿法(化学)刻蚀技术在5×10mm2GdBa2Cu3O7-x薄膜上制备2×2阵列高Tcbolometer器件的工艺过程;并对此工艺优劣性进行了分析。  相似文献   
107.
提出了基于AlN压电薄膜结构的单电极水听器,将A1N的压电特性与MEMS微加工技术相结合。采用COMSOL对器件在20~100Hz低频范围内谐振特性进行分析和仿真,得出压电薄膜优化厚度0.8~1.0μm,振动薄膜直径100μm。给出了器件制备工艺流程,采用ICP精准刻蚀A1N薄膜提高成品率,并对实际样品进行高静水压等环境适应性测试。单个水听器阵列结构是40×40,实际尺寸为7×7mm,可以用来制备高性能的水听器集成系统。  相似文献   
108.
本文详细分析了由Bosch 刻蚀形成的侧壁形貌的粗糙度(Sidewall Roughness)对硅通孔(TSV)互连结构高频性能的影响,并通过全波电磁场仿真软件HFSS将粗糙侧壁TSV互连结构与平滑侧壁TSV互连结构的传输特性进行了详尽的对比,仿真结果显示,在相同的条件下,粗糙侧壁TSV结构的插入损耗比光滑侧壁TSV结构增加了15%,并且随着侧壁形貌粗糙度的增加,TSV互连结构的高频性能恶化更加严重。最后,文章通过对二氧化硅绝缘层厚度和TSV直径对TSV互连结构高频性能的影响,提出了补偿侧壁粗糙度对高频性能产生的不良影响的方法,为TSV电学设计提供参考依据。  相似文献   
109.
如何实现对石墨烯(Graphene)材料剪裁的人工控制,这是近年来科学家一直努力的目标之一。这项工作的重要性是可以对石墨烯能带进行调制,从而有望获得具有各种所需物理性质的微电子器件。近日,北京大学物理学院、北京大学量子材料科学中心王恩哥教授与研究生刘磊以及中国科学院物理研究所王文龙等研究人员共同合作,发明了一种新的方法...  相似文献   
110.
利用NaOH溶液化学刻蚀聚酯薄膜成功制得疏水性薄膜.研究了聚酯在碱性溶液中发生水解反应时外界条件对刻蚀结果的影响规律,分析了外界化学条件引起表面微观物理形貌的变化及其所对应的表面特性.结果表明,薄膜经pH为12的碱液在40℃下超声刻蚀5 min左右,并用无水乙醇浸泡,可达到与水接触角120°以上的疏水效果.  相似文献   
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