奇异积分方程在E面鳍形膜片不连续性问题中的应用

本文将横向谐振法与奇异积分方程技术相结合,分析了E面鳍形膜片不连续性,有效地避开了计算不连续性两侧E面介质填充波导中的高次本征模,建立了具有快速收敛特性的特征方程,给出了一组实用的不连续性等效电路参量曲线。     

X波段介质填充的盘荷波导模型腔的理论与部分实验研究

用场匹配方法计算了X波段（f=9．37GHz）介质填充的盘荷波导加速结构的基模（TM01模）和高次模（HEM11模）的色散曲线，结果与Mafia程序的计算结果相一致，并且直观地反映了工作模式和谐振频率之间的关系；结果还表明HEM11模的截止频率和传播常数都比TM01模的低．依据Mafia仿真和实验结果，微调模型腔的内半径，反复加工模型腔进行实验研究，并对测试条件进行了分析，得到了比较好的结果．     

四阶多项式折射率剖面介质中的光导波

本文研究四阶多项式折射率剖面介质中的光导波,运用摄动法严密求出这类无限介质中矢量波方程的解。对于平方律介质的特例,本文同Yamada论文的结果完全一致。对于轴对称模,本文所得本征值的第一级近似同我们用标量波方程所得的结果相同。但是,本文同Gambling论文的结果却不一致,我们认为其原因在于论文所用的基本场方程中含有错误。     

高阻硅衬底MOS结构共面波导的偏压特性

提出一种新型高阻硅(电阻率ρ>8kΩ.cm)衬底MOS(metal-oxide-semiconductor)结构的凸起式共面波导。给出了其在50MHz～40GHz频段的插入损耗和回波损耗测试结果,以及在-40V～+40V直流偏压下散射参数的变化。结果表明,随着偏压的变化,回波损耗在Ka波段极值点的频率和幅值均会产生偏移,插入损耗极值点的频率基本没有偏移,只存在幅值偏移。共面波导的损耗偏移与MOS结构的Si-SiO2界面效应有关,在凸起式共面波导损耗的偏压实验中,观察到与传统MOS结构共面波导相反的曲线,并尝试给出了理论解释。该文设计的共面波导在35GHz下实现了小于-0.010dB/mm的损耗,优于Ka频段硅衬底共面波导已报道的结果。     

基于双面金属包覆介质波导灵敏度的研究

通过对双面金属包覆介质波导色散方程的微扰近似,得到当波导层为亚毫米量级时有N→0超高阶导模与偏振无关的特性.并定义了灵敏度,同时得到了灵敏度与有效折射率、厚度、波长和介电常数的关系,当有效折射率趋于零时,超高阶导模具有极高的灵敏度.     

单负介质组成的平板波导的微型化研究

对单负介质（ε和μ一个为正,另一个为负）组成的平板波导进行了研究,从TE模式的Helmholtz方程出发,根据电磁场的边界条件和平板波导的性质,推导出这种波导的色散方程;并通过比较分析,从理论上推导出这种组合的介质波导的微型化特点,从而得出它与常规介质波导的不同点。     

介质参数对左右手材料光波导传输性能的影响

构建芯层为左手材料包裹层为右手材料的光波导模型,利用转移矩阵方法对模式本征方程进行多模式求解,研究介质参数对传输性能的影响。结果表明：当V（归一化频率）极限小时,左右手材料对称光波导的基模不会消失;ε''μ''>εμ(ε''和μ''、ε和μ依次分别为芯层、包裹层介质的介电常数和磁导率),总波矢的平方差R2=0.5、-μ/μ''=0.8的光波导能产生1个的表面波,R2=1.15、-μ/μ''=1.1的光波导能产生3个表面波,00.78 cm的奇数模能量被局域在导波层外侧;频率f=4.75 GHz、ε''μ''>εμ、-1<μ''<0、-μ/μ''>1时,D=0.7 cm、β=4 cm-1（β为传播常数）的光波导能承载3个导波模式;f=5.50 GHz、ε''μ''<εμ、μ''<-1、-μ/μ''>1时,D<0.11 cm的光波导的两个分界面上能产生2个表面波,D>0.11 cm的光波导两个分界面上不产生表面波,D=0.11 cm表面波的正归一化能量被局域在导波层外表面,而表面波的负归一化能量被局域在导波层内表面,正能量振幅衰减较慢于负能量;模系数m对表面波和导波模式的电场分布有着显著的影响。     

双模高功率铁氧体锁式变极化器

本文给出了双模高功率铁氧体锁式变极化器件在现代雷达和通信技术应用中的简要描述（脉冲与脉冲间极化快速捷变）。这种器件能使输入的线极化波变成垂直、水平、正、负圆极化或任意极化波输出。并简述了这种铁氧体锁式变极化器的理论分析与设计。     

也谈空间直线束

本文给出了空间直线束的概念,并给出了空间直线束的两种形式。