轨道车站交织区栏杆设置有效性分析

引入交织强度、交织区内的交织点密度和行人偏移率3个评价指标,通过受控试验定量分析交织区栏杆内区域与栏杆后2个子区域的流量、交织区位置移动、交织区面积变化及偏移率特征.然后以栏杆设置是否促进交织区人群行走有序性和是否发挥限流效果作为交织区栏杆设置有效性评价标准,提出判断流程.利用上海市2个轨道站点的栏杆设置案例定量评价栏杆设置的有效性,期望对轨道站交织区栏杆的规划设计提出定量分析方法.     

时频交叠LFMCW信号的PAHT检测与频移分离

为有效解决时频交叠周期LFMCW信号分离的难题,首先提出一种基于周期AHT(PAHT)的检测算法,通过对匹配函数进行改进,有效积累截获到的交叠多周期能量实现高概率检测,然后将PAHT积累得到的强信号解线调,根据此时的频率分布特性近似量化频率,估计频率量化点与信号频率的偏离差值,再通过频移改善窄带频域滤波分离信号的效果;最后利用IFFT恢复信号,依次循环完成交叠强弱信号的分离。仿真结果对算法的检测效果和复杂度进行了分析,并在验证分离效果的同时采取了两种方法对信号的滤波质量进行了评价,验证了其在低信噪比下的可行性。     

高孔低胶结砂岩储层饱和度和压力变化的时移地震AVO响应

研究了X油田高孔低胶结砂岩储层在含油饱和度和压力变化时纵、横波速度计算方法,并将计算数据与实际测井资料进行了对比.岩石物理参数计算和时移地震振幅随偏移距变化(AVO)正演模拟表明,X油田油藏含油饱和度变化时,地震纵波速度变化十分明显,而横波速度变化较小;储层顶反射P-P波AVO曲线变化明显,而P-S转换波AVO曲线变化很小.油藏有效压力变化对地震纵、横波速度有近似程度的影响,储层顶反射P-P波AVO曲线在入射角较小(θ＜20°)时变化明显,而P-S转换波AVO曲线在入射角中等(30°＜θ＜50°)时变化明显.模拟结果对分析X油田时移地震可行性,确定油藏变化范围,区分油藏含油饱和度和压力变化,乃至真正实现时移地震定量解释都具有重要意义.     

基于遗传算法进化神经网络的潜射导弹筒盖压力预测

提出一种基于遗传算法进化神经网络的潜射导弹筒盖最大压力和压力持续脉宽的预测方法,遗传算法可依据个体适应度完全自适应,并在此基础上提出了一种提高遗传算法初始进化速度的随机基因偏移方法.训练结果表明,优化神经网络所形成的虚拟函数具有较好的遍历性,能够较好地反映样本的内在联系,借助该方法预测的潜射导弹筒盖压力特性具有较高的精度,可快速、准确地预测发射筒筒盖的压力特征.     

框架桥温度裂缝分析及开裂隐患

针对混凝土浇筑初期框架桥温度裂缝产生的问题,结合现场试验及有限元模拟,根据朱伯芳提出的混凝土水化热升温公式,及麦家煊提出的混凝土简谐温度场计算,探究了框架桥混凝土升温初期,腹板外、中、内侧温度变化;发现由于框架桥内外侧养护环境不同,腹板温度峰值向内偏移,造成内侧膨胀外侧收缩,其结果表现为内侧裂缝增多;腹板升温区间变化,内侧延长,外侧提前;同时分析了应力状态条件下混凝土层面可能出现的开裂隐患,为类似工程提供相应的模拟依据,以达到减小温度裂缝的根本目的。     

有序Al-Li金属化合物的成键特征与电荷偏移

用余氏金属价键理论计算了Ｆｃｃ基有序Ａｌ－Ｌｉ金属间化合物的键参量和原子间成键的电荷偏移量。结果表明：要形成较强的Ａｌ－Ｌｉ键，Ａｌ原子将偏移部分共价电子给Ｌｉ原子用于共价成键，而这一过程中Ａｌ原子的外层电子状态并没有明显的改变。     

C／BNxC2（1—x）、BN／NBxC2（1—x）和C／BN异质结价带偏移

彩和原子集团展开和平均键能相结合的方法，研究了宽带隙高温半导体，合金型应变层异质界面C／BNxC2(1-x)、BN/NBxC2(1-x)和生长在BN/NBxC2(1-x)合金衬底上的C／BN应变层异质结的价带偏移△Ev。结果表明：C／BNxC2(1-x)和BN/NBxC2(1-x)的△Ev随x的变化是非线性的，而应变层C／BN的△Ev随x的变化是接近于线性；三种异质结的△Ev值随x的变化关系决定于异质界面两侧带阶参数Emv随x的变化规律。     

原子集团展开和平均键能方法在In_xGa_（1－x）As／GaAs系统中的应用

把原子集团展开方法同平均键能方法相结合，建立了一种研究合金型应变层异质界面价带偏移的方法．应用此方法对ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ系统分别计算了以ＧａＡｓ和以ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ为衬底的两种不同的应变状态下的价带偏移（△Ｅｖ）随合金组份的变化规律．结果表明，由于应变的引入，该系统的面△Ｅｖ～Ｘ表现出大的非线性，且这一关系受到应变状态的显著影响．通过改变应变状态可使其为Ⅰ型或Ⅱ型超晶格以及金属．部分结果与有关的实验值和理论结果相符合．     

碱金属夹层对半导体异质结能带偏移的影响

用光电发射的方法研究了碱金属夹层对Ｇｅ和Ⅲ－Ⅴ族半导体异质结形成和能带偏移的影响．实验表明，价带偏移（ΔＥｖ）与夹层厚度有关．０．５ＭＬＣｓ和１ＭＬＮａ可使Ｇｅ／ＩｎＰ（１００）及Ｇｅ／ＧａＡｓ（１００）的ΔＥｖ的值分别增加０．２０ｅＶ和０．１８ｅＶ．碱金属与衬底相互作用而引起的界面偶极矩的改变是导致ΔＥｖ改变的主要原因．