抽样保持电路的宏模型

用“建立法”设计了完整的抽样保持电路ＨＡ２４２０的宏模型．该模型模拟了ＨＡ２４２０的输入特性,输出特性和瞬态特性．用电路分析程序包ＳＰＩＣＥ－Ⅱ对该模型进行分析的结果与厂家提供的ＨＡ２４２０参数吻合得很好,且结构简单．     

一类非线性系统的模糊自适应控制器设计

针对一类非线性系统，构造了具有高斯隶属度函数的T-S函数逼近器．根据逼近误差和控制要求，运用Lyapunov稳定性理论设计了一种模糊自适应控制器．该控制器不仅可以调节模糊规则参数，同时也能调节隶属度函数的参数．将这种模糊自适应控制器应用到倒立摆系统的跟踪控制，仿真结果表明，它具有良好的控制性能，从而验证了该方法的有效性．     

基于自适应神经网络倒立摆模糊控制器的设计

倒立摆系统本身的不稳定性为系统的平衡提出了难题,也因此成为自动控制实验中验证控制算法优劣的极好的实验装置。本文使用一种基于最优控制和自适应神经网络模糊控制器的设计方法,将各个线性LQR控制器进行综合,使之成为一个非线性的控制器。仿真结果证明,模糊神经网络控制器要优于单个的LQR控制器。     

基于线性二次型最优控制器的平行双倒立摆系统稳定控制

倒立摆控制系统是一个典型的高阶次、不稳定、多变量、非线性和强耦合控制系统。本文在建立平行双倒立摆控制系统数学模型的基础上,设计了线性二次型最优调节器(LQR)以实现对平行双倒立摆系统的最优控制,并通过MATLAB仿真实验验证了该方法的有效性。     

基于遗传算法优化的双回路模糊控制倒立摆系统

通过遗传算法、模糊控制、PID的结合,对直线一级倒立摆的平衡控制问题进行了优化控制。首先用牛顿-欧拉法建立倒立摆的动力学模型,得出系统的传递函数和状态空间表达式,分析系统的稳定性和可控性。以此为基础,先设计了PID单回路和双回路控制器;然后用遗传算法优化PID参数;再用优化的参数设计双回路模糊PID控制器;并用MATLAB对系统进行了仿真。纵向和横向控制方法的对比分析表明:该方案控制效果最好,能同时控制角度和位移;其参数可在最优PID初值的基础上在线修改,实现最佳调整,使对象具有良好的静态和动态性能。     

PET涂覆膜复合工艺张力控制系统

介绍了PET涂覆膜复合卷取工艺及控制系统组成,针对多段式张力控制,以独立调节和分段控制的策略对各段张力执行电机实行转矩与张力协调控制。建立放料—牵引—收卷各分段张力的数学模型,选用S7-300 PLC作为核心控制器,电流型矢量变频器和低惯量变频电机组,位置(压力)传感器构成高精度的位置闭环控制系统;利用涂布辊与复合辊驱动电机之间的转差,实现无张力传感器的间接张力控制。系统适用于厚10~100μm、宽度2 000 mm的PET薄膜复合工艺,最高涂布复合线速度为120 m/min。实际运行证明:新系统运行稳定,张力与速度控制精度高,动态特性完全满足生产工艺要求。     

基于经验数据的T-S模糊控制器设计与优化

提出了一种基于经验数据而非语言的T-S模糊控制器设计和优化方法.此方法分为三个阶段,第一阶段依据输入变量的范围来确定输入变量的高斯型隶属度函数;第二阶段在不改变输入变量隶属度函数的前提下,对经验数据施加递推最小二乘法以确定T-S模糊控制器的后件系数;第三阶段,使用梯度下降方法同时优化控制规则的前件参数和后件参数.倒立摆的仿真试验结果验证了该方法的有效性.     

双凹摩擦摆隔震支座理论分析与数值模拟研究

介绍了双凹摩擦摆隔震支座的基本构成和隔震原理,从力学平衡原理出发对双凹摩擦摆隔震支座进行了理论分析,推导了双凹摩擦摆隔震支座的刚度,分别构造了双凹摩擦摆隔震支座在上下滑动面摩擦系数相同和不同情况下的滞回模型,并探讨了支座的回复特性,得到了其最大残余位移的计算公式.采用ABAQUS软件对双凹摩擦摆隔震支座进行了实体单元建模,数值模拟了低周反复荷载作用下的双凹摩擦摆隔震支座在上下滑动面摩擦系数相同和不同情况下的滞回特性及其回复特性.研究结果表明:①理论分析和数值模拟结果吻合较好,验证了提出的滞回模型和最大残余位移计算公式的正确性;②双凹摩擦摆隔震支座的滞回曲线饱满,具有良好的滞回性能;③该支座的刚度与上下滑动面的球面半径之和成反比,其隔震周期也仅与半径有关,与上部结构质量无关;④其最大残余位移为上下两滑动面的摩擦系数和球面半径的乘积之和.     

合理确定摆杆盘形凸轮基本尺寸的CAD图解计算

本文应用计算机图形显示CAD技术,深入探讨了凸轮与摆杆在不同相对位置及不同受力情况下,按许用压力角确定凸轮轴心位置的限制线问题;讨论了推程和回程许用压力角,推程角和回程角以及按角等参数的变化,对凸轮轴心位置允许区域的影响;提出了2类问题(已知摆杆长度及许用压力角或已知中心距及许用压力角)的最小基圆轴心位置的确定方法;并给出了由凸轮轴心位置坐标进而求解基圆半径、摆杆长度及中心距的计算公式.     

低亚阈值摆幅铝掺杂二氧化铪铁电材料金属-铁电层-绝缘层-半导体场效晶体管研究

首次制备了完全CMOS工艺兼容的铝掺杂二氧化铪铁电材料金属-铁电层-绝缘层-半导体场效晶体管,并对其电学特性,如I-V,C-V等进行测量与分析,最终实现亚阈值摆幅为27 mV/decade的金氧半场效晶体管.栅极漏电流机制亦被探讨,并推断出Poole-Frenkel效应是产生铝掺杂二氧化铪铁电材料晶体管漏电流的主要原因...