真核基因选择性剪接机理的初步研究

真核基因表达调控是生命科学研究的前沿、热点。RNA的选择性剪接在真核基因表达调控中起着十分重要的作用。该文从已有数据出发 ,对真核基因的剪接机制以及选择性剪接的机制进行了初步的研究。结果表明 ,在真核基因的剪接过程中 ,可能存在一种“粗定位—细定位”的过程 ,即在剪接过程中首先有一粗略的定位过程 ,根据序列的嘌呤、嘧啶浓度特征寻找出剪接位点的大致位置 ;然后在这一基础上 ,根据几个保守碱基所提供的信息找到准确的剪接位点。这一结果对于进一步研究真核基因的剪接机制 ,特别是选择性剪接发生的机理有很大的启发。     

电容层析成像系统重建图像质量评价方法探讨

提出了使用多参数即图像形心点空间位置误差和面积误差的方法，在仿真环境下对电容层析成像系统的重建图像质量进行评价，给出了图像形心点空间位置误差的计算模型．仿真结果表明，该法比目前常用的单参数评价重建的图像质量更科学合理．     

肉桂醛选择加氢制肉桂醇催化剂的研究进展

从催化剂活性组分、裁体、助剂、催化剂前驱体的筛选和加氢机理等多方面综述了肉桂醛选择性加氢制备肉桂醇的催化剂研究，指出了肉桂醛选择性加氢催化剂的研究应着重在以下几个方面展开：研究在分子筛和纳米碳管上的择形加氢规律；研究廉价易得的非贵金属加氢催化剂及常压固定床连续加氢工艺；应用原位红外光谱技术研究择形加氢机理．     

酰胺型杯[6]芳烃聚合物的合成及其对阳离子的吸附性能

通过杯[6]芳烃六乙醚乙酯与多乙烯多胺进行氨解反应，合成了系列酰胺型杯[6]芳烃聚合物，井研究了它们的阳离子吸附性能．发现它们对软金属离子具有较高的吸附容量，其吸附能力与聚合物中杯芳烃的含量成正比，说明杯芳烃单元在吸附过程中有着决定性的作用，聚合物3c对Ag^ 有较好的选择性吸附能力。     

Na2SiO3对碱性硫脲溶液选择性溶金的影响

采用电化学方法研究Na2SiO3浓度对碱性硫脲浸金的影响和金及其常见伴生元素银、铜、镍、铁在含有Na2SiO3的碱性硫脲溶液中的电化学行为.研究结果表明:加入Na2SiO3在很大程度上提高了金的溶解电流,Na2SiO3的最佳浓度为0.15mol/L.分析不同电势时lgJ与lgc(Na2SiO3)之间的关系可得:在电势为0.42V时,Na2SiO3对碱性硫脲溶液电化学溶金的促进作用最显著,含Na2SiO3的碱性硫脲溶液对金的溶解具有一定的选择性;在电势为0.58V时溶金效果最佳,金、银、镍和铁的阳极电流密度分别为2.49,1.22,1.03和0.09mA/cm2;而同时加入Na2SiO3和Na2SO3时碱性硫脲溶液选择性溶金的最佳电势负移至0.42V,对金的选择性溶解更为明显,金、银、铜、镍和铁的溶解电流密度依次为3.83,1.13,0.73,0.14和0.09mA/cm2,金的溶解电流密度分别是银、铜、镍和铁的3.4,5.2,27.3和42.6倍.     

基于LabVIEW虚拟仪器的激光束位置控制器

设计了一种能自动调节激光柬照射在指定位置的控制器。控制过程中考虑到第一个平面镜转动对第二个位置传感器表面光点的影响，预先调整第二个镜架，可以控制PSD2的光点位置基本不受镜架1的影响，也缩短了系统的响应时间。控制系统能够判别光线是否在位置传感器的有效范围内，以避免系统失控。     

LDCQ的距离更新策略

提出了在LDCQ中保证满足误差限制的距离更新策略．移动对象和查询边界的距离远近不同，它们相交的可能性也不同，因而对查询结果的影响也不一样．依据它们之间距离的不同，给予移动对象不同的偏差限：使得越靠近查询边界，移动对象的偏差限越小；反之亦然．其好处是减少了大量的不必要的更新，减轻了系统负荷．     

用氟化镧膜选择性电池测定水中氟化物的研究

提出了用氟化镧单晶膜作为敏感接点组成氟选择性电池测定水中氟化物的方法。建立了测定氟化物的实验条件 ;确定氟离子浓度的测定范围为 0 2～ 10 0mg·L- 1 ,相对误差小于 3% ,结果表明 ,此方法简便、实用、快速并能满足准确度要求 ,这种测定水中氟化物的方法 ,是一种值得推荐的好方法     

沸石负载钒络合物催化剂对烷烃氧化反应的择形选择性

制备了四价钒铬合物 VO(pic) 2 · H2 O催化剂及其分子筛负载型催化剂 VO(pic) 2 -Na Y,并以尿素过氧化氢 CO(NH2 ) 2 ·H2 O2 为氧化剂 ,考察了催化剂对正己烷和正庚烷等烷烃的催化氧化性能。实验结果证明 VO(pic) 2 -Na Y不但具有与 VO(pic) 2 ·H2 O相似的催化氧化活性 ,而且显示出对伯醇 (正构烷烃 )产物有较好的择形选择性。考察了 VO(pic) 2 -Na Y在连续搅拌釜式反应器中进行正己烷和正庚烷的非均相催化氧化反应的催化性能 ,并讨论了不同操作条件对烷烃氧化反应转化率的影响     

常温半导体气敏元件的研制①

简述了常温气敏陶瓷材料及高分子材料的制备方法、常温电阻型及振荡型元件的制造工艺及其气敏特性，最后探讨了元件的工作机理及今后的改进方法。