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1.
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3.
半导体表面的研究是半导体物理中极为活跃的一个分支,因为半导体器件的体积越来越小,靠近半导体表面附近的物理性质越来越重要。笔者系统地对半导体表面态进行了综述。认为当波矢K取复数时局域于表面附近存在表面电子态,其波函数体内、体外都衰减。同时对半导体表面研究的发展历程、现状以及前景进行了展望。 相似文献
4.
量子点荧光探针的合成 总被引:1,自引:0,他引:1
量子点具有宽的激发光谱,窄的发射光谱,高的荧光量子产率,比有机染料寿命更长等优越的荧光特性,是一种理想的荧光探针,本文评述了量子点荧光探针合成的最新进展。 相似文献
5.
考虑具热效应的半导体方程组的初边值问题,应用Schauder不动点原理和先验估计方法,证明了该问题整体光滑解的存在唯一性。 相似文献
6.
7.
考虑Rashab自旋-轨道相互作用对半导体量子点中极化子基态能量的影响.采用LLP中耦合的方法处理了电子-声子相互作用.结果表明由于Rashba效应的影响使得极化子的基态能量分列为上下两支而且Rashba自旋-轨道相互作用能与总的基态能及其它能量成分间的比例关系,随电子波矢K变化非常显著.Rashba自旋-轨道相互用作使得量子点中极化子基态能量在无任何外磁场的情况下发生分裂,所以完全不同于强磁场影响下的简单Zeeman效应,然而,自旋-轨道相互作用引起的分裂有时掺杂着Zeeman分裂。因此它引起的分裂属于复杂分裂.声子对总能量的贡献为负,由于声子的存在极化子争裂能较裸电子更为稳定. 相似文献
8.
用TSCAP、DLTS和暗电容瞬态方法研究AlGaAs:Sn中的DX中心.实验表明非指数电容瞬态主要起因于混晶无序作用,并发现DX中心的热发射率激活能随俘获时间加长而增大.提出一种多态模型,DX中心是由一些连续分布态组成,各态属于不同的局域结构,具有不同的电子束缚能和电声耦合能. 相似文献
9.
Zinc-indium-tin oxide (ZITO) films were grown by pulsed-laser deposition.Three different material compositions were investigated:ZITO-30,ZITO-50 and ZITO-70 in which 30%,50% and 70%,respectively,of the... 相似文献
10.
研究四种四硫富瓦烯镍的衍生物,通过循环伏安法和变温四探针法对其电化学性质进行了研究,发现它们都是半导体. 相似文献