基于GIS与Geo-CA模型的半干旱区土壤盐碱化动态模拟研究

土壤盐碱化是半干旱地区土壤退化的重要表现形式之一,其发生发展是一个复杂的非线性动力学过程.利用地理元胞自动机对复杂系统时空动态演化过程具有较强的计算与模拟能力的特点,以吉林省西部盐碱化土地为研究区,在GIS的支持下系统分析了土壤盐碱化的特征及其影响因子,建立了基于Geo-CA的土壤盐碱化动态模型,模拟了吉林省西部土地盐碱化发生发展的时空动态规律.     

分布式网络监视器模型

在传统的Sniffer基础上，提出分布式网络监视器的模型，解决了目前三层交换模式下局域网网络实时监控的问题。     

一种新型矩阵式可控整流器的研究

基于三相-三相矩阵式电力变换器的拓扑与开关函数，建立了一种三相可控整流器的变换拓扑和开关函数矩阵，理论分析与仿真分析了该整流器的变换性能．结果表明该整流器具有宽范围输出电压调节能力、输入电流零位移和能量的双向流动等优点。     

大电流多输出开关型稳压电源的实现

为解决大电流多输出稳压电源在输出功率时其辅助输出路的稳压和限流较难的问题，利用磁饱和特性，提出一种后相校正技术，并据此原理设计出了一种新型开关电源装置．仿真与实验结果表明，该稳压电源的效率达85％，电压稳定度达98．5％．将该稳压电源应用于实际工程中，发现其具有实用价值与推广意义。     

基于Markov-vine copula的我国网贷平台对传统金融机构风险传染效应研究

近年来,网络借贷发展迅速,并且随着互联网技术的运用和网络借贷自身所蕴含的独特风险方式,使得其局部风险更容易蔓延至整个网贷市场,有可能会迅速波及,传染到其他类型的金融市场.本文将Markov区制转换模型和vine copula相结合,用来研究我国网络借贷平台对传统金融机构的动态风险传染效应.研究结果表明:我国网络借贷平台和相应的传统金融机构在不同阶段呈现出不同的"杠杆效应";我国网络借贷平台以及相关的传统金融机构均具有较为明显的区制转换特征;比较三个阶段的情况,网络借贷平台对商业银行的风险传染效应要大于其他的传统金融机构,其次是网络借贷平台对信托业的风险传染效应;在各阶段,网络借贷平台对传统金融机构的风险传染效应不对称,下尾相关系数基本大于上尾相关系数.     

优化发展环境提升服务水平－－大力推进民营经济转型跨越发展

分析了太原市民营经济发展的基本情况．提出了推进民营经济转型跨越发展的工作思路和举措。     

执行器饱和的随机Markov切换系统的观测器设计

利用直接法对转移概率是部分未知的,并且具有执行器饱和现象的随机Markov切换系统进行稳定性分析.通过引入自由连接权矩阵降低系统的保守性.首先,针对此类随机Markov切换系统,充分考虑转移概率中元素之间的特性,通过构建参数依赖型Lyapunov函数,并设计观测器确保闭环饱和系统的随机稳定性.然后,在线性矩阵不等式的框架下,得到均方意义下的最大不变吸引域,并将其归结为求解一组线性矩阵不等式的可行性问题.最后,数值仿真算例验证本方法的有效性.     

光突发交换网络结构与路由技术研究

光突发交换是面向下一代因特网的光交换模式,是光电路交换(OCS)和光分组交换(OPS)的有效折衷方案,避免了各自的缺点。在OBS中,使用的带宽粒度介于光电路交换和光分组交换之间,比光电路交换灵活,比光分组交换易于实现,是很有发展前途的光交换技术。路由技术在光突发交换中起重要作用,在很大程度上影响着光突发交换网络的性能。给出了路由机理和路由计算的流程。     

DC-AC型非接触电能传输系统变换器设计

提出了适用于DC-AC型非接触电能传输(CPT)系统的新型电路拓扑,并采用不对称DC-AC变换器实现了该新型拓扑。该拓扑简化了DC-AC型CPT系统的电路结构,简化了和系统的控制方式,减少了次级回路电能变换的损耗,提高了整体系统的效率和功率密度。介绍了采用该变换器的电路拓扑和控制策略,对采用该变换器后的CPT系统进行了建模,并在此基础上对系统进行仿真研究,给出了实验结果,对分析和仿真结果进行了验证。     

An overview of resistive random access memory devices

With recent progress in material science, resistive random access memory (RRAM) devices have attracted interest for nonvolatile, low-power, nondestructive readout, and high-density memories. Relevant performance parameters of RRAM devices include operating voltage, operation speed, resistance ratio, endurance, retention time, device yield, and multilevel storage. Numerous resistive-switching mechanisms, such as conductive filament, space-charge-limited conduction, trap charging and discharging, Schottky Emission, and Pool-Frenkel emission, have been proposed to explain the resistive switching of RRAM devices. In addition to a discussion of these mechanisms, the effects of electrode materials, doped oxide materials, and different configuration devices on the resistive-switching characteristics in nonvolatile memory applications, are reviewed. Finally, suggestions for future research, as well as the challenges awaiting RRAM devices, are given.