高频CO2激光脉冲写入的掺硼长周期光纤光栅温度应变特性

高频CO2激光脉冲写入的长周期光纤光栅(LPFG)对温度比较敏感、应变不敏感,通常应用在温度传感器做温度测量.普通长周期光纤光栅温度灵敏度只有0.052 nm·℃-1,而用掺硼光纤制作的长周期光纤光栅温度灵敏度达到0.171 nm·℃-1,比普通长周期光纤光栅更加灵敏.因而应用在温度传感提高了传感器的灵敏度以及测温精度...     

生物可降解高分子形状记忆合金的研究和进展

高分子形状记忆材料近年来吸引了许多研究者的目光, 因其低廉的成本、优异的加工性能、良好的回复性、多变的力学和物理性能等优势迅速地发展起来. 但随着石油紧缺和全球暖化等问题, 开发绿色、可降解的生物高分子形状记忆材料成为新的发展趋势. 其中, 绿色材料聚乳酸以其优异的力学强度、生物降解性和生物相容性, 在可降解的生物高分子形状记忆材料的研究和应用方面有很大的发展前景. 本文主要就生物可降解高分子形状记忆材料的发展现状、形状记忆机理、材料选择和国内外最新研究进展等进行了介绍、评述和展望.     

记忆面孔, 男女有别: 关于面孔再认性别差异的行为与ERP研究

采用行为实验及事件相关电位技术, 通过学习-测验范式考察面孔再认中的性别差异,结果发现: (ⅰ) 女性面孔更容易被记住, 且女性很可能比男性更擅长记忆面孔. (ⅱ) 旧面孔诱发的N170 波幅更大, 表明该脑电成分可受到面孔熟悉度的调制. (ⅲ) 女性面孔诱发的N170 波幅更大, 而男性面孔引发的P2 波幅更大; 前者可能与女性面孔可变化的特征较多、需要更大的心理负载有关; 后者可能与男性面孔可变化的特征较少、再认难度较大, 从而需要更深的加工有关. (ⅳ) 新旧面孔诱发女性被试的P1 波幅存在差异, 但男性被试身上不存在此现象, 提示女性的脑活动可能比男性更早地受面孔的熟悉度所调制. 此外, 女性被试对于新旧面孔还表现出P2, N250 波幅的差异, 且女性被试新旧效应涉及的头皮范围比男性更广, 这些都为女性较好的面孔再认能力提供了电生理证据.     

中枢记忆性T细胞和效应记忆性T细胞

免疫记忆是适应性免疫应答的重要特征,其细胞学基础的阐明是疫苗开发和疾病预防的关键。近年来的研究表明,记忆性T细胞可以被进一步划分为中枢记忆性T细胞和外周记忆性T细胞2个亚群,它们的分布和功能迥异,在生物学特性上也不尽相同。二者关系的深入探讨对于免疫记忆的认识和疾病防治均具有重大的理论和实践意义。     

SMA-滚动隔震火炬塔的地震反应分析

提出一种新的SMA-滚动隔震支座,建立了该支座的恢复力模型,并应用于火炬塔基础部位.研究了该隔震体系在El-Centro地震波作用下的时程反应,并与非隔震的火炬塔结构体系进行了对比研究.计算结果表明,SMA-滚动隔震支座隔震体系的质量层最大绝对加速度可减少86.6%,上拔力减少了72.9%,轴力最大可减少87.2%.     

体育馆屋盖的风洞试验研究和数值计算

对一系列不同倾角的体育馆悬挑屋盖进行了风洞试验;模型比例为1:50,在屋盖上下表面安装128对测压管,在同步测压的基础上,我们获得每个测点的风压时程,通过对试验数据的处理,分析平均风压和脉动风压的产生机理.试验表面明,风压分布是受屋盖表面的气流流动分离所影响的.同时,对这种形式屋盖进行计算分析.     

机器学习模型在地下水埋深模拟中的适应性分析

基于京津冀气象、社会资料及地下水埋深数据,构建支持向量机(SVM)、循环神经网络(RNN)和长短期记忆神经网络(LSTM)模型对京津冀地区13个城市地下水埋深进行了模拟,并以确定系数、均方根误差、平均绝对百分比误差、纳什系数对3个模型的适应性进行了评价。结果表明：LSTM模型模拟效果最好,其次是RNN,SVM最差;不同城市基于LSTM模型进行地下水埋深模拟时参数调整最少,适应性最好,SVM模型参数调整最多。将3个模型应用于随机选择的6个测站进行验证,在华北地区浅层地下水埋深模拟方面,LSTM模型模拟精度和可信度最好,适应性最强,是该地区地下水埋深模拟的首选机器学习模型。     

用金属磁记忆方法进行缺陷检测

介绍了金属磁记忆检测的原理及其应用方法。铁磁性工件在载荷的作用下,应力和变形集中区会产生最大的漏磁场变化,对漏磁场法向分量的测定可以准确地推断工件的应力集中区。通过对14块对接焊缝钢板分别用磁记忆、超声波方法进行实际检测,验证了磁记忆检测方法的有效性,取得了一些有益的经验。     

基于Windows的DSM系统中线程迁移的实现

随着多线程DSM系统的发展,线程迁移已经成为DSM系统中一个非常重要的研究课题。在分析Windows操作系统的存储和控制结构的基础上,讨论了基于Windows操作系统的多线程DSM系统的基本框架,提出了一种对线程进行动态迁移的方法。并且在一个基于Windows操作系统工作站机群的Smonn系统中成功实现,表明了该方法的有效性。     

MLC型NAND闪存中基于MI异构的Polar码优化

为了进一步提高多级单元（multi-level-cell,MLC）闪存的耐久度和可靠性,提出了一种MLC闪存信道中基于互信息量（mutual information,MI）异构的polar码优化方法.该方法利用对数似然比（log-likelihood ratio,LLR）分布在MLC闪存信道和AWGN（additivewhite Gaussian noise）信道中的差异性,以MI重新拟合LLR分布,得到在闪存信道下等效的标准方差,从而进行高密度存储系统中的polar码优化设计.随后,分析了不同的polar码构造法对多级存储单元的纠错性能影响,并与所提的构造方法进行比较.仿真结果表明该文优化方法优于AWGN信道下传统的构造方法,当编程/擦除（program-and-erase,PE）循环为21 000次时,与蒙特卡罗法相比其误码率（bit error rate,BER）性能提升2个数量级,且在BER为2 × 10-5时可增加6 800次的编程/擦除循环.