两点分数阶微分方程耦合系统边值问题的解

讨论一类非线性分数阶微分方程耦合系统的两点边值问题,应用Green函数将微分系统转化为等价的积分系统,应用不动点定理证明系统正解的存在性和唯一性,并给出系统无解的充分条件。     

钢丝型回热器的不可逆熵产率分析

从导热不可逆性和粘滞不可逆性两方面对钢丝型回热器的熵产率进行理论分析和数值计算, 讨论熵产率的截面分布和几个参数对熵产率平均值的影响, 得出优化频率     

通风巷道围岩与空气换热的数值模拟

为有效利用巷道内排除的热空气,以大隆矿区矿井通风巷道为例,采用分离求解方法,对巷道围岩一空气换热系统进行三维数值模拟,分析巷道空气出口平均温度71P、巷道围岩与巷道内空气的平均总传热系数K、巷道空气平均出口热流密度q、风速口的变化规律。结果表明：v在0．2～1．0m／s时,耳较大;v越小,砟越接近于围岩初始温度。v在5．0～7．0m／s内,对K影响不大;当v〈5．0m／s时,K呈线性规律降低。v在0．2～5．0m／s时,q呈二次曲线渐变过程。丁随着”的减小、巷道长度的增加而增加。该结果为进一步研究围岩与空气的换热问题奠定了基础。     

金属硫化物的溶解性

采用热力学偶合反应的原理和溶解自由能数据，简明了金属硫化物溶于不同溶剂［水（如硫化钠），稀酸（如硫化锌），氧化性硝酸（如硫化铜），王水（如硫化汞）］的原因．     

耦合Gross-Pitaevskii方程的高效保质量守恒格式

该文为耦合Gross-Pitaevskii方程提出了一个新的保质量守恒格式.首先对空间导数利用高阶紧致格式离散得到半离散格式;然后在时间方向上利用基于外推的Crank-Nicolson格式离散,得到一个半显式的数值格式,然而此格式不能保持GP方程固有的质量守恒,因此,对格式得到的数值解利用投影方法进行修正,使其满足离散质量守恒;最后通过数值实验验证了该格式具有高精度以及保持质量守恒.     

基于小世界网络的供应链中断风险传导路径研究

突发事件严重影响企业生产、社会稳定和经济繁荣,而供应链中断是各类突发事件的直接结果,对供应链节点企业和供应链整体均带来多重负面影响.文章针对供应链中断风险传导路径的复杂性特点,引入小世界网络,定性判断了小世界网络方法的适用性,然后就供应链中断风险传导路径对供应链中断风险传导速度、供应链中断风险传导广度和供应链中断风险传导稳定性三方面的影响进行了研究和数值模拟分析,验证了供应链中断风险传导路径的小世界特性.研究发现,较短的中断风险传导路径和较大的集聚系数均能有效提升供应链网络的中断风险传导速度,核心节点企业的稳定性对供应链中断风险传导过程中供应链网络整体的稳定性起到至关重要的作用.此研究有利于供应链节点企业和供应链整体应对中断风险并提升运作效率.     

矩形水槽在任意地面运动激励下的响应

论证了矩形水槽湿模态的正交关系，利用湿模态展开方法，计算和分析了任意地面运动激励下的瞬态响应．并实现了广义坐标的解耦，从而将整个弹性耦合系统化为求解一个自由度问题．     

某航空发动机压气机叶-盘耦合振动分析

基于循环对称结构模态分析基本理论,建立并验证压气机叶-盘结构耦合振动特性分析方法和流程。在能够线性求解的前提下,考虑叶-盘间实际连接情况,不忽略叶片榫头与轮盘榫槽间应力状态对振动特性的影响。选取某民航发动机高压压气机第三级叶-盘结构为分析对象,提取结构特征参数,在ANSYS软件中建立起叶-盘结构的三维有限元模型,并进行耦合振动仿真分析。首先计算该叶-盘结构在不旋转工况下的频率和振型,然后计算其在常用转速工况下存在预应力时的频率和振型,分析得到离心载荷对频率和振型的影响规律。最后分析其行波振动特性,计算3节径1,3,5阶行波节径振动频率。考虑外缘叶片受到周期性气体力对叶-盘的激振影响,画出共振特性曲线,为后续结构分析和排故提供依据,同时也为压气机叶-盘结构的振动特性分析提供了便于工程应用的方法。     

蒜头果果仁中7种金属元素含量的测定

采用湿法硝酸—高氯酸对蒜头果果仁进行了消解前处理,用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定了蒜头果果仁中Al、Ca、Fe、K、Mg、Mn、Zn 7种金属元素的含量。结果表明,7种元素含量分别为18.65μg/g,192.6μg/g,9.946μg/g,12.12 mg/g,2.259 mg/g,25.55μg/g和23.46μg/g。元素的检出限为0.001 2～0.169 8μg/mL,RSD=1.04%～7.58%(n=5),回收率为97.49%～109.6%。建立了蒜头果果仁中7种金属元素含量测定方法。该方法简便、快速,测定结果准确可靠。     

Enhanced resistive switching properties of HfAlOx/ZrO2- based RRAM devices

Resistive Random-Access Memory (RRAM) devices are recognized as potential candidates for next-generation memory devices, due to their smallest cell size, high write/erase speed, and endurance. Particularly, the resistive switching (RS) characteristics in oxide materials have offered new opportunities for developing CMOS-compatible high-density RRAM devices. In this study, the RS behavior of HfAlO_x/ZrO₂ thin films sandwiched structure between TiN bottom electrode and Au top electrodes were investigated. It was found that Au/HfAlO_x/ZrO₂/TiN stacks were superior in terms of RS performance when compare to Au/HfAlO_x/TiN memory stacks. The devices demonstrated a good resistance ratio of high resistance state and low resistance state ～10³ for Au/HfAlO_x/TiN and ～10⁵ for Au/HfAlO_x/ZrO₂/TiN stacks, respectively. Both stacks showed good retention characteristics (>10⁴ ?s) and endurance (>10³ cycles). The experimental current-voltage characteristics fitted with different conducting mechanisms, the linear lower bias region is dominated by ohmic conductivity, whereas the non-linear higher bias region was dominated by space-charge limited current conduction mechanism.