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131.
研究了无穷远纵向剪切下圆形弹性夹杂界面裂纹与基体中任意位置螺型位错的相互干涉问题。运用复变函数的解析延拓技术与奇性主部分析方法,获得了该问题的一般解答,作为算例,求出了含一条界面裂纹时基体和夹杂区域应力函数的封闭形式解,导出了位错在基体中任意位置时位错力的计算公式,数值结果表明,界面裂纹对位错与夹杂的干涉作用具有强烈的扰动效应,当界面裂纹达到一定弧度时,可以将硬夹杂对位错的排斥作用改变为吸引。  相似文献   
132.
根据广义平面应变问题具有所有物理量沿某一方向变化为零的特点,针对连续、各向异性两相饱和介质,在变形满足小变形、孔压流满足达西定律、有效应力原理成立的假定下,建立以增量形式的三向荷载作用下液固耦合作用的平面有限元分析方法。  相似文献   
133.
标题化合物[Co(phen)(H2O)4](SO4).(H2O)2(phen=1,10-邻菲咯啉)在70%叔丁基过氧化氢水溶液中制备,X—射线单晶结构分析表明,该化合物的一个分子由一个四水合邻菲咯啉二价正离子、两个未配位的水分子和一个硫酸根离子构成。其晶体为正交晶系,空间群Pbca,相关参数为a轴8.856(1),b轴18.318(3),c轴21.918(5)A,V(体积)3555.6(11)A^3.Co^2 呈现稍微扭曲的八面体配位环境。  相似文献   
134.
合成了Keggin结构一,三取代过氧铁钨硅杂多配合物,这两种化合物是:α-K6[SiW11(Tio2)O39]·12H2O和α-K9H[SiW9(TiO2)O39]·12H2O,并对183WNMR谱进行了指认,从而确定了2种过氧杂多配合物的基本结构.  相似文献   
135.
由开孔平面边值问题的一般数学理论出发,建立了一组新型的边界积分方程为建立相应的边界元方法提供了理论基础。  相似文献   
136.
研究YAG脉冲激光辐照对SnO2超微业薄膜的改性作用,由AES分析表明,在大气环境中激光束的轰击可使薄膜表面碳吸量明显减少,并有一定的氧化作用。在300-600K范围内测量激光辐照前后样品的热电动热率(TEP),发现激光辐照后TEP值明显减小,薄膜发生晶化。激光辐照对超微粒薄膜的电学性质、晶界效应也有影响,表明激光束作用使薄膜粒间效应减弱  相似文献   
137.
分析了银-分子系统的活位和配离子的性质.结果表明,配离子的性质对表面增强拉曼散射具有重要影响.即给银-碱性分子系统或银-酸性分子系统加入Cl-,Br-,I-等负离子时,SERS信号分别增强或减弱.  相似文献   
138.
纵向平面缠绕壳体几何参数的优化设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用网格理论和微分几何学分析了纵向平面缠绕规律,讨论了主曲率与缠绕角的关系,系统地推导出了纵向平面缠绕壳体的优化结构曲线的微分方程及其数值解的递推公式和缠绕角公式。  相似文献   
139.
本文对空间任意平面角(角边可为任意位置的直线)及其投影角这一具有实用性的几何问题进行分析研究;用几种不同的解析方法得出在各种情况下的关系式,从而能以最少的参变量,进行准确而简便的计算。文中还列举了在工程中的应用实例  相似文献   
140.
新型乙醇气敏半导体材料CdFe_2O_4   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用化学共沉淀和固相反应相结合的方法制备出单相CdFe2O4,实验表明,CdFe2O4作为一种尖晶石型结构的复合氧化物,是电子导电型半导体,具有良好的酒敏性能.且有较好的化学稳定性和气敏稳定性  相似文献   
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