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991.
以第一类n阶Chebyshev多项式的零点作为插值节点
, 通过Bernstein算子和Grünwald算子的线性组合构造一个新算子Gn(f;x).
如果f(x)∈Cj[-1,1](0≤j≤9), 则Gn(f;x)在区间
[-1,1]上一致收敛于f(x)∈Cj[-1,1](0≤j≤9), 并且其收敛
阶达到最佳, 饱和阶为1/n10. 相似文献
992.
提出一个基于压缩算符的非常规几何量子相位门的方案.在腔QED系统中,在强共振经典场驱动下,利用两个三能级原子与腔模的双光子相互作用,研究了两量子比特非常规几何量子相位门,发现它与腔模占有数有关,当腔模初始时处于真空态,这个方案对腔模衰变不敏感. 相似文献
993.
钟巧红 《广州大学学报(自然科学版)》2006,5(3):15-17
假定D={z∈C∶z<1}是复平面上的单位圆盘,uCφ是由D上的解析函数u与解析自映射φ所诱导的加权复合算子.给出了单位圆盘上不同Bers-型空间之间的加权复合算子与不同小Bers-型空间之间加权复合算子的有界或紧的充分与必要条件. 相似文献
994.
利用Hardy-Lorentz空间的原子分解,借助于L^q有界性的结论,使用不等式估计,证明了Littlewood—Paley算子交换子从Hardy—Lorentz空间到弱空间L^p,∞(R^n)的有界性。此结果补充了Littlewood—Paley算子交换子有界性理论。 相似文献
995.
HV/CVD Grown Relaxed SiGe Buffer Layers for SiGe HMOSFETs 总被引:2,自引:0,他引:2
High-vacuum/chemical-vapor deposition (HV/CVD) system was used to grow relaxed SiGe buffer layers on Si substrates. Several methods were then used to analyze the quality of the SiGe films. X-ray diffraction and Raman spectroscopy showed that the upper layer was almost fully relaxed. Second ion mass spectroscopy showed that the Ge compositions were step-graded. Transmission electron microscopy showed that the misfit dislocations were restrained to the graded SiGe layers. Tests of the electrical properties of tensile-strained Si on relaxed SiGe buffer layers showed that their transconductances were higher than that of Si devices. These results verify the high quality of the relaxed SiGe buffer layer. The calculated critical layer thicknesses of the graded Si1-xGex layer on Si substrate and a Si layer on the relaxed SiGe buffer layer agree well with experimental results. 相似文献
996.
根据量子纠错码的性能界限对[[8,3,3]]码的性能进行分析,指出其强大的编码能力及其优异的性能。运用群的理论及稳定子码的基本原理构造了该码的稳定子生成元,计算出了其全部的稳定子并构造出其逻辑算子。在此基础上设计了该编码的基本码字,即编码子空间的一组正交基。 相似文献
997.
本文讨论了Hilbert空间上C-半群Lyapunov方程的自伴解,推广了Lyapunov定理,进而给出自伴解渐近稳定的充分条件,并对渐近稳定的C-群的上界作出进一步的估计. 相似文献
998.
本应用分布参数控制理论与方法,分析了出租汽车公司的营运过程.建立了出租汽车经营管理的分布参数控制模型,并应用算子半群理论和Pontryagin极大值原理对此模型进行了求解,给出了空问伴随函数、最优控制和最优控制轨迹的解析表达式。 相似文献
999.
任潜能 《湖北民族学院学报(自然科学版)》2001,19(4):45-47
设H为实可分Hilbert空间,若Ψ为B(H)上的线性映射且对任意的T∈B(H),有Ψ(T)(ketT*)真包含于ranT,则称ΨB(H)上的右*-核值保持映射,证明了B(H)上的关系弱算子拓扑连续的右*-核值保持映射是广义右*-内导子,即存在A,B∈B(H),对任意T∈B(H)有:Ψ(T)=TA BT^*。 相似文献
1000.