Schr(o)dinger方程各向异性有限元超收敛分析

讨论了在半离散格式下的各向异性双线性元对Schr(o)dinger方程的逼近.首先利用该单元的特殊性质,在没有利用对网格正则性和拟一致假设的条件下得到了与传统方法相同的超逼近性质,然后基于插值后处理的技巧,构造出合适的插值算子,得到了整体超收敛的结果.     

基于系统动力学的区块链技术扩散机制研究

区块链技术凭借其去中心化、去信任化及不可篡改等优势,一经提出便引起了学术界和业界的广泛关注.然而区块链技术发展中也遇到了如政府监管难、行业标准化不完善及违规违法行为频发等挑战.社会各界对于区块链技术发展前景各执己见,政府提出的各类扶植与管制政策对区块链技术发展的影响及其程度尚不明确.基于此,对区块链这一典型的共性技术扩...     

扩散方程的具有振动边值的Dirichlet问题

令(D)表示d 1维欧氏空间Rd的有界子集.利用概率方法和时空布朗运动,对(D)上如下扩散方程1/2△u(x(t)) q(x(t))u(x(t))=()/()u(x(t)),x(t)∈(D)的随机Dirichlet问题进行了推广,其中q是给定的定义在(D)上的有界H(o)lder连续函数.证明了上述扩散方程具有振动边值的Dirichlet问题的存在性.     

均匀磁场作用下海森伯XXZ模型的热纠缠

分析了均匀磁场作用下2量子比特各向异性海森伯XXZ模型的热纠缠态,讨论了外加均匀磁场对XXZ模型的2种特殊情况即各向同性海森伯XY模型和各向同性海森伯XXZ模型的纠缠度的影响.对于一定的温度,耦合常数绝对值的增加能够增加纠缠度,但是纠缠度却随着温度的增加而减小,直到临界温度时纠缠度为0.当外加磁场强度大于一定值时,随着磁场强度的增加,纠缠度和临界温度相应增大.     

Tilting Ratchet肌动蛋白双足运动模型的研究

针对肌动蛋白两足交替行走的事实提出TTilting ratchet双足运动模型,并对其运动轨道进行了数学模拟．从而说明所提出的模型能够清楚的描述这种交替行走的运动机制,表明了模型的可行性和有效性．同时还对这种模型中的粒子运动速度和系统效率进行了研究,给出了一些数值模拟结果．     

煤气储罐泄漏扩散模型及仿真

基于Fick扩散方程,建立了煤气储罐瞬间完全泄漏的无风情况下的动态扩散模型.根据气体储罐形状为圆柱,确定了介质瞬间完全泄漏后模型的初始条件和边界条件,然后通过坐标变换和傅立叶变换和适用于圆柱(Bessel)函数的Hankel变换,求出了此条件下扩散方程的解析解.根据风力对扩散过程的影响,在无风扩散方程的基础上建立了有风条件下的扩散模型并求取了解析解,然后以一50000m3(r=19m,h=40m)煤气储罐完全破裂后的气体扩散过程为例进行了模拟,模拟结果验证了模型的有效性.     

平行板间各向异性散射介质辐射传递方程求解

通过计算离散能束在传播过程中散射的能量在空间方向上的分布份额,用基于蒙特卡洛法的DRESOR法在平行平板系统内对相函数分别为一阶前向、一阶后向的各向异性散射介质中的辐射传递方程进行了求解,分别给出了各向异性散射条件下系统边界的具有较高方向分辨率的辐射强度分布以及系统内的热流、热源和入射辐射分布,并对各向异性散射对结果的影响进行了分析.将计算辐射强度结果代入辐射传递方程进行验证计算,验证结果的比较证明了DRESOR法求解辐射传递方程的有效性和正确性,并且计算结果达到了很高的精度.     

基于ABAQUS的各向异性复合材料梁的分析研究

基于大型有限元著名软件ABAQUS,对复合材料梁有限元分析进行了研究.以承受均布荷载的悬臂梁作为实例进行分析,根据Lekhniskii的各向异性弹性理论应力解答,推导得出梁弯曲轴线的方程,然后把有限元数值计算结果与各向异性弹性理论解答对比分析,验证ABAQUS对复合材料梁建模分析的正确性,并讨论材料各向异性、材料弹性主轴方向以及高跨比对结果的影响.     

旅游地文化变迁与整合的文化地理学透视

旅游地与文化区有着时空间上的内在联系,旅游活动是文化扩散的重要渠道,文化扩散是旅游活动的影响因素.文化扩散过程中,旅游地本土文化与外来文化的冲突融合所产生的示范效应、激受效应、累积效应是旅游地文化变迁的主要动因.旅游地文化变迁有良性变迁与负态变迁两种类型;不同类型的旅游地以及旅游地内部不同的功能区有着不同的文化变迁内容和形式.旅游地文化整合是旅游地文化系统内各文化层次、文化特质在功能上的相互协调,这一过程有赖于旅游地政府、旅游企业、当地居民的共同参与.     

UFPA器件微桥腐蚀工艺的研究

利用硅单晶的各向异性腐蚀技术,研究了UFPA探测器的微桥腐蚀工艺.采用独特的腐蚀装置在厚度为300 μm的硅基片上成功地制备了腐蚀坑深度为260 μm,桥面宽度为2 mm的微桥结构.该装置能有效保护硅基片正面免受腐蚀液的漏蚀,从而可实施热释电薄膜的沉积先于微桥制备的技术线路,对提高器件的成品率具有重要的意义.