相敏光放大器色散补偿特性的研究

介绍了一种全新的色散补偿方法———相敏光放大器技术,并以Ｇ６５２光纤为例,将系统中相敏光放大器（ＰＳＯＡ）与掺铒光纤放大器（ＥＤＦＡ）引起的脉冲展宽的差异进行了分析与比较。     

应用于无线通信基站的Doherty功率放大器

采用Doherty技术设计并实现了一款应用于无线通信基站的S波段高效率功率放大器,通过非对称功率输入的方式使得整个功放在更宽的功率范围内获得高效率。设计中采用了安捷伦公司的先进设计系统软件(advanced design system,ADS),选取恩智浦公司型号为MRF7S21080H与MRF8S21100H的横向扩散金属氧化物半导体(laterally diffused metal oxide semiconductor,LDMOS)功放晶体管,两款晶体管的工作频率均为2.14~2.17 GHz。经过电路仿真与实物调试,最终设计并实现了功率回退达到7 dB的功率放大器,其增益为13.5 dB,并且在7 dB功率回退点上效率达到35%,峰值功率效率达到42%。相比其他功率放大器,该放大器具有较大的功率回退范围与更高的效率。结果证明,通过不对称输入方式所设计的Doherty功率放大器可以获得更宽的功率回退范围。     

1.3μm氟化物光纤受激辐射和放大的研究

用氩离子激光器作激励源，实验证实了氟化物玻璃光纤１．３μｍ的光辐射，给出了相应的理论模型。根据光纤中原子和电场相互作用原理，计算了掺镨和掺钕两种氟化物光纤的激励效率、增益和饱和输出特性，为１．３μｍ光纤放大器的应用提供了实验和理论设计依据。     

互补推挽功放电路自举电容的作用

本文对互补推挽功放电路中自举电容的作用作了深入地分析讨论及实验验证，结果表明，自举电容具有扩展电路动态范围，提高功放电流增益及电压推动级增益，提高功放电路效率，改善电路性能之功能。     

用基本矩阵法分析运算放大器

本文应用基本矩阵法分析运算放大器,并导出其同相运用与反相运用时主要性能指标的严格表达式和理想式。     

基于PSpice的函数发生器的设计与仿真分析

函数发生器的作用是产生不同幅度和频率的波形.为了设计能产生正弦波、方波、三角波的函数发生器电路,采用理论分析与软件仿真结合的设计方法,在OrCAD/PSpice环境中建立仿真模型,对各功能电路进行仿真分析实验.实验中得到三种波形并对起振时间和振荡频率等参数进行测量,并与理论值做出比较.结果表明,利用PSpice对电子电路特性进行仿真分析,易于实现,为电路设计提供可靠的理论依据.     

X波段低噪声放大器设计

从获取最小噪声系数角度来进行电路设计,采用Avago公司的0.2um GaAs pHEMT工艺芯片(T=18GHz),设计了工作于X波段(9-11GHz)的两级宽带低噪声放大器。测试结果为:在9-11GHz,噪声系数小于1.15dB,最小噪声系数在9.8GHz为1.015dB,功率增益在所需频段9-11GHz大于24dB,输入和输出回波损耗均小于-10dB。     

基于ADS仿真的射频功放设计

射频功率放大器是移动通信基站中的关键部件,其性能指标优劣直接影响通信质量好坏.本文基于晶体管MRF7S21150 HR3,在对晶体管绝对稳定性分析的基础上,采用多谐波双向牵引仿真技术得到了最佳基波源、负载阻抗,并进行匹配电路及偏置电路设计,最后得到了应用于WCDMA基站的高效率射频功率放大器.ADS中的仿真结果表明,功...     

前馈型轨到轨恒跨导恒增益CMOS运算放大器

设计了一种恒跨导恒增益的轨到轨运算放大器.输入级采用一倍电流镜控制的互补差分对结构,实现轨到轨和恒跨导.通过分析运算放大器电压增益随共模电压变化的原因,提出了一种前馈型恒增益控制模块,可以根据共模电压开启或关闭附加电流源,使运算放大器电压增益保持恒定.输出级采用前馈型AB类输出结构,以达到轨到轨输出效果.采用Chartered公司0.35μm工艺进行流片,仿真及测试结果表明:该运算放大器的直流开环增益为125dB,单位增益带宽为8.879MHz,在整个共模范围内电压增益最大变化率为1.69%.     

Development of cryogenically-cooled low noise amplifier for mobile base station receivers

A new circuit model for designing and manufacturing an S-band low noise amplifier(LNA) with the software,Advanced Design System(ADS),is introduced in this paper.The proposed model involves shunted impedance at the grid to achieve a stable LNA without measuring the S-parameters of transistors at low temperatures.The LNA was measured over the operation band of 2.2-2.3 GHz,which has input and output standing wave ratios below 1.2.The noise figure of the manufactured LNA was about 0.2 dB and the gain was above 22 dB,which indicated that our LNA worked well at 77 K.