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462.
较详细地讨论了GaAs压电效应的起源。有3种不同的机制对压电效应有贡献.这些机制是离子电荷的内部位移、电子电荷的内部位移和由于应变引起的离子性的变化.推导出了任意晶体取向压电常数张量的表达式,证明了,对正应力而言,GaAs〈111〉方向有最强压电效应发生,且Ga原子呈负电性,而As原子则呈正电性. 相似文献
463.
本文通过构造广义惯性势,建立起非完整可控力学系统相对于非惯性系的Jourdain型变分原理,提出并证明了非完整可控力学系统相对于非惯性系的Noether定理和逆定理,最后举例说明其应用。 相似文献
464.
任传福 《系统工程与电子技术》1992,(11)
本文叙述了雷达中的一分为二,等分和不等分两种功率分配器的设计与研究。给出了设计公式,数据与试验结果,采用全铁氧体基片和厚膜工艺,制出了频率范围为4.1~4.8GHz的功率分配器,使用贴有微波吸收材料的盖板,有效地解决了因反射带来的影响。文中对文献[2,4,5]中的有关设计公式作了修正和讨论。 相似文献
465.
柳书伦 《武陵学刊:社会科学版》1996,17(3):72-76
本文从转动刚体的基本运动方程Euler方程出发,对非对称刚体〈J1〉J2〉J3〉的定点转动问题进行了研究,并对三种特殊情况进行了讨论。 相似文献
467.
高田桂 《广西大学学报(自然科学版)》1996,21(4):373-376
电磁场是一个统一的整体,通过惯性参照系统的变换,利用四维时空概念,讨论电磁场的变化规律,并说明其与AB效应的联系。 相似文献
468.
响应表面方法与模拟相结合用于埋沟道PMOS器件性能优化 总被引:1,自引:0,他引:1
响应表面方法与TCAD相结合是一个极具潜力的有用技术,它可以极大地减少研制和优化IC工艺的时间和成本。本文介绍了用响应表面的实验设计与模拟相结合获得模型方程并用于工艺优化的方法和优点。D-优化的设计方法和其他措施结合改善模型拟合精度,得到的响应表面用于对亚微米埋沟道PMOS器件性能进行预测和优化。用响应表面得到优化的工艺条件,在此条件下由响应表面预测的结果与模拟结果取得了很好的一致。 相似文献
469.
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