GaAs压电物性的研究

较详细地讨论了GaAs压电效应的起源。有3种不同的机制对压电效应有贡献.这些机制是离子电荷的内部位移、电子电荷的内部位移和由于应变引起的离子性的变化.推导出了任意晶体取向压电常数张量的表达式,证明了,对正应力而言,GaAs〈111〉方向有最强压电效应发生,且Ga原子呈负电性,而As原子则呈正电性.     

非完整可控力学系统相对于非惯性系的Noether理论

本文通过构造广义惯性势，建立起非完整可控力学系统相对于非惯性系的Ｊｏｕｒｄａｉｎ型变分原理，提出并证明了非完整可控力学系统相对于非惯性系的Ｎｏｅｔｈｅｒ定理和逆定理，最后举例说明其应用。     

微带功率分配器设计公式的研究

本文叙述了雷达中的一分为二,等分和不等分两种功率分配器的设计与研究。给出了设计公式,数据与试验结果,采用全铁氧体基片和厚膜工艺,制出了频率范围为4.1～4.8GHz的功率分配器,使用贴有微波吸收材料的盖板,有效地解决了因反射带来的影响。文中对文献[2,4,5]中的有关设计公式作了修正和讨论。     

非对称刚体的定点转动

本文从转动刚体的基本运动方程Ｅｕｌｅｒ方程出发，对非对称刚体〈Ｊ１〉Ｊ２〉Ｊ３〉的定点转动问题进行了研究，并对三种特殊情况进行了讨论。     

四维时空电磁场理论探讨

电磁场是一个统一的整体，通过惯性参照系统的变换，利用四维时空概念，讨论电磁场的变化规律，并说明其与ＡＢ效应的联系。     

响应表面方法与模拟相结合用于埋沟道PMOS器件性能优化

响应表面方法与ＴＣＡＤ相结合是一个极具潜力的有用技术，它可以极大地减少研制和优化ＩＣ工艺的时间和成本。本文介绍了用响应表面的实验设计与模拟相结合获得模型方程并用于工艺优化的方法和优点。Ｄ－优化的设计方法和其他措施结合改善模型拟合精度，得到的响应表面用于对亚微米埋沟道ＰＭＯＳ器件性能进行预测和优化。用响应表面得到优化的工艺条件，在此条件下由响应表面预测的结果与模拟结果取得了很好的一致。     

单一白色发光层的OLED制备与发光性能研究

研制了两种类型单一白色发光层的有机电致发光器件(OLED),即小分子Zn(BTZ)2的掺杂型器件：ITO／PVK：TPD／Zn(BTZ)2：Rubrene／Al和聚合物LPPP的混合型器件：ITO／混合型发光层／Al,获得了较高的器件亮度和发光效率,且色坐标均非常接近于白色等能点,进而对上述器件的发光和电学性能进行了初步研究。