双桩桩列上的不规则波浪力

实验研究了不规则波浪对小直径桩柱的作用力。通过测定作用于桩上的总正向 力，在时域分析 ＣＤ，ＣＭ与ＫＣ数的关系。对于双桩并列和田串列的情况．采 用群桩系数考虑桩间的干扰影响，得出了群桩系数随ＫＣ数和相对桩距ｌ／Ｄ的变化 规律，并探讨了它与雷诺数的关系。     

一层半模式的宏单元阵列版图自动设计及验证系统MALS

本文提出的 ＭＡＬＳ系统，针对一层半模式门阵的特点，以线网均匀分配为主要目标 的布局和总体布线算法以及分区、定序、预测和并行横向的通道布线算法，提高了布图 的成功率。系统还提供了多种方式可进行人工干预的交互环境及布图正确性验证手段。 已用ＭＡＬＳ设计了若干芯片，表明该系统是有效的。     

基于信号子空间线性预测的测向方法

文章分析了均匀线阵输出信号的信号子空间结构，提出了基于信号子空间线性预测的测向方法。理论分析和计算机仿真实验表明，通过信号子空间的线性预测．可以获得较高的角度分辨率。     

用数组嵌套对组平均聚合分类的一种算法的实现

在组平均聚合分类的一种算法中涉及的二叉树的运算，不用指针数据结构，而用数组嵌套进行编程的方法，适用于各种高级语言。文中给出了算法和程序。     

用针孔阵列抽样滤波器来形成物的多重象

本文描述在不借助透镜或其他光学辅助设备的条件上,只使用针孔阵列抽样滤波器来形成一个二维物体的多重象方法,给出的实验结果与理论一致.并对这种抽样成象效应的本质作简单的理论解释,指出它可归因于空间周期性相干光场的性质.     

敷介质大圆柱面周向共形缝隙列天线的实验研究

本文对大半径敷介质导体圆柱表面共形缝隙天线作了实验研究。实验模型为十单元周向线阵，单元分别用屏蔽带线缝隙和矩形波导缝隙．包括等间隔阵和用缩短馈线的方法补偿了往面引起的射线路程差的不等间隔阵，实测方向图大致趋势与计算结果一致。结果表明，缩短馈线的补偿方法对降低旁瓣有效。     

深拉筒形制品用冷轧钼板的力学性能与显微结构分析

冷轧钼板各向异性是造成深拉筒形制品成材率低的基本原因.本文研究的两次交又轧制工艺制取的钼板明显减少了力学性能的各向异性,并且呈现形变软化现象,研究表明是由于{111}面织构增多及显微结构、位错组态变化的结果.生产证明该工艺已取得较好的经济效益.     

城乡结合部小学高年级学生学习适应性的调查研究

通过对孝感城郊一小学高年级学生学习适应性的调查，运用科学的量表反映了城乡结合部小学高年级学生学习适应性不良的现状．由此分析了城乡结合部小学高年级学生学习适应性不良的几个显著原因，并提出了改善这种状况的四条建议。     

采用NaI(Tl)晶针阵列的小型单管γ相机的性能研究

通过实验对采用NaI(Tl)晶针阵列的小型单管γ相机的性能进行了研究,得到的实验结果是:(1)能量响应:对Am-241(59.5 keV)的γ射线能量分辨率为19%;(2)位置线性:绝对非线性1 mm,微分非线性0.67 mm;(3)空间分辨率:半高宽为2.2 mm.得出的结论是:(1)采用NaI(Tl)晶针阵列的小型单管γ相机的压缩效应较小;(2)由于晶针单元限制了光子的分布,所以采用NaI(Tl)晶针阵列的小型单管γ相机的空间分辨率基本上由晶针的尺寸大小决定;(3)与平板式NaI(Tl)晶体小型单管γ相机相比,采用NaI(Tl)晶针阵列的小型单管γ相机的能量响应、位置响应和空间分辨率等性能都有一个较大的提高.     

Modulation of low-frequency oscillations in GaAs MESFETs’ channel current by sidegating bias

Low-frequency oscillations in channel current are usually observed when measuring the GaAs MESFET‘s output characteristics. This paper studies the oscillations by testing the MESFET‘s output characteristics under different sidegate bias conditions. It is shown that the low-frequency oscillations of channel current are directly related to the sidegate bias. In other words, the sidegate bias can modulate the oscillations. Whether the sidegate bias varies positively or negatively, there will inevitably be a threshold voltage after which the low-frequency oscillations disappear. The observation is strongly dependent upon the peculiarities of channel-substrate (C-S) junction and impact ionization of traps-EL2 under high field. This conclusion is of particular pertinence to the design of low-noise GaAs IC‘s.