|x|在扩展的Chebyshev结点的有理插值

研究|x|在扩展的Chebyshev结点的有理插值,得到逼近阶为O(1/(nln n)).通过数值计算发现相同逼近阶的误差与结点的密集度、结点所在曲线的凹凸性有关.     

3—己烯—1—醇及其酯类的合成和香气研究

介绍了叶醇(cis-3-己烯-1-醇)及其异构体的实用合成路线。由顺反混合(或全反式)3-己烯-1-醇制备了一系列羧酸酯,研究了这些化合物的结构与香气的关系,从中发现一些有实用价值的新香料。     

〔23，12，7〕Golay码的改进译码算法

ＭａｒｉｏＢｌａｕｍ和ＪｅｈｏｓｈｕａＢｒｕｃｋ提出了一种基于［２３,１２,７］Ｇｏｌａｙ码校验矩阵＂设计＂特性的译码算法,和其它的Ｇｏｌａｙ码译码算法相比,这种译码算法的复杂度最小,但它不便于用集成器件实现和不便于完全集成化,作者对该算法进行了改进,使其易于集成实现;同时使［２３,１２,７］Ｇｏｌａｙ码译码算法进一步简化．对其复杂度分析证明,当误码率≤１０％时,作者所设计的译码算法优于其它译码算法。     

利用射影Cap构造极大纠缠的纠缠辅助量子纠错码

依据经典四元线性码理论和纠缠辅助量子纠错码理论,由四元线性码的生成矩阵给出四元线性码稳定极大纠缠的纠缠辅助量子码的几何特征。在给定几何特征基础上,由射影空间的Cap理论,设法用组合数学方法和搜索算法构造出给定几何特征的Cap,确定Cap码的参数。利用所得到的参数优良的Cap码,结合纠缠理论,构造出一些参数优良的极大纠缠的纠缠辅助量子码。其中,所构造的极大纠缠的纠缠辅助量子码有许多是最优码,还有一些纠缠辅助量子码改进了前人所得到的纠缠辅助量子码的参数,这些纠缠辅助量子纠错码是无法用已有方法得到的。这也证明了结合组合与搜索的方法来构造极大纠缠的纠缠辅助量子纠错码是有效的。     

苯甲酰三氟丙酮与稀土配合物的合成及性质研究

本文合成了苯甲酰三氟丙酮（Ｌ）和三苯基氧膦（ＴＰＰＯ）、联吡啶（Ｂｉｐｙ）、邻菲罗啉（ｐｈｅｎ）、四甲基氢化铵（ＮＭｅ４ＯＨ）与稀土Ｙ、Ｌａ、Ｅｕ、Ｔｂ离子的混合型配合物。测定配合物的Ｈ１ＮＭＲ谱及质谱,并对测定结果进行了分析。     

含双二苯基膦戊烷铜(Ⅰ)配合物的合成与性质

室温,氮气氛下,铜（Ⅱ）盐和双二苯基膦戊烷（ｄｐｐｐ５）在溶液中通过还原取代反应合成了８种铜（Ⅰ）配合物（１．［Ｃｕ（ｄｐｐｐ５）］２（ＢＦ４）２,２．［Ｃｕ２（ｄｐｐｐ５）２（Ｃ８Ｈ３Ｏ２ＳＦ３）２］,３．［Ｃｕ２（ｄｐｐｐ５）３］（ＣＣｌ３ＣＯＯ）２,４．［ＣｕＢｒ（ｄｐｐｐ５）］２,５．［Ｃｕ２（ｄｐｐｐ５）Ｃｌ２］,６．［Ｃｕ２（ｄｐｐｐ５）３］（ＣＨ３ＣＯＯ）２,７．［Ｃｕ（ｄｐｐｐ５）（ＮＯ３）］,８．［Ｃｕ２（ｄｐｐｐ５）３］（ＣｌＯ４）２）。通过元素分析、红外光谱、热重、摩尔电导测定对其进行表征,表明这是一种行之有效的有机膦配合物的合成方法。     

阳离子交换树脂催化合成1—萘乙酸甲酯的研究

本文研究了用强酸性阳离子交换树脂作催化剂,１—萘乙酸和甲醇直接酯化合成１—萘乙酸甲酯的反应。考察了催化剂用量,反应物料配比,反应时间等因素对产率的影响,通过正交实验,找到了较佳反应条件：当催化剂用量为反应液的３％,醇酸摩尔比为２０～３０,在回流温度下反应４小时,酯的收率＞９２％,纯度＞９９％。该法工艺简单,操作方便,无三废污染,适合工业化生产。     

1,6—二磷酸果糖制备研究：Ⅰ.菌种的筛选及培养条件

介绍了１,６－二磷酸果糖产生菌的筛选和最佳培养条件的确定,在所筛选的菌种中９５１８、９５１９号菌株均具较高的产１,６－二磷酸果糖酶系活力。其最佳培养条件为：培养温度２８℃,ｐＨ６．５。     

Syndrome series of one point algebraic-geometric codes and majority voting scheme

A type of recurring relations on syndrome series is presnted. After some important theorems are established, an algorithm for computing a minimal polynomial set is presented. Finally an algorithm for determining the unknown syndromes with incorporating α majority scheme is presented.     

Preparation and optical properties of solid solution semiconductor (Zn x Cd1−x S) doped silica glasses

Semiconductor(Zn_xCd_1−x S) doped silica glasses were prepared by Sol-Gel process andin situ growth technique. The structure of the materials was characterized by X-ray diffraction technique, the particle size of semiconductor crystallites from X-ray patterns was estimated less than 10 nm. From absorption spectra, it is obtained that the absorption edges shifted to short wavelength direction when Zn contents increased, and the absorption edge can be adjusted from 2.46 eV to 2.96 eV by controlling Zn contents. The third-order nonlinear optical susceptibility was studied at 532 nm with 8 ns pulse laser by degenerate four wave mixing (DFWM) technique.