CuZnAl形状记忆合金时效过程研究

铜基形状记忆合金的时效是影响其应用的关键之一。对ＣｕＺｎＡｌ形状记忆合金 时效过程的研究表明：在 ２９３～３７３Ｋ温度范围内时效，随时效温度的提高．马氏体 相向母相转变的温度变化值减小．时效作用减弱；母相保温可使相变点稳定；造成 ＣｕＺｎＡｌ形状记忆合金时效的一个重要原因是淬火过饱和空位的偏聚。     

超立方体的3－独立集及其在神经联想存储器中的应用

用Ｉ３（ｎ）表示ｎ－立方体Ｑｎ的３－独立数。提出了构造Ｑｎ的３－独立集的一个算法，证明了２ｎ－［ｌｏｇ２ｎ］－１≤Ｉ３（ｎ）≤［２ｎ／（ｎ＋１）］．这些结果被应用于神经联想存储器的设计．     

Windows环境下编程的内存管理

Ｗｉｎｄｏｗｓ多任务系统应用程序设计中，内存管理是一项关键技术．论述了为降低应用程序占用内存量和占有时间及应注意应用程序设计中内存组织形式的选择，以减少或限制不必要的内存对象．并使用可移动对象，合理管理内存以防止ＧＰ故障的产生．     

多层反馈BP网联想记忆分析

多层反馈ＢＰ网络是一种非线性动力学系统。为了对多层反馈ＢＰ网络进行形式分析，作者采用了电路类比的方式得到了它的数学模型。根据反馈ＢＰ网络的数学模型证明了反馈ＢＰ网络联想记忆过程的稳定性及有关性质，为反馈ＢＰ网络的应用奠定了理论基础。     

286以上档次微机内存资源的优化管理和使用

对微机内存资源的管理和使用是一个重要实用意义的问题。本文对有关微机系统内存的易于混淆的概念进行了阐明，讨论了在操作系统水平上对内存的管理和优化利用，同时指出了优化利用内存资源时应注意的的些问题。     

全屏幕编辑器程序设计的探讨

本文通过对全屏幕编辑器的剖析，对全屏幕编辑器程序设计中所经常碰到的问题作了必要分析，给出了相应的解决办法，最后对全屏幕编辑器的设计提出了进一步的设想．     

光时隙多通路的有效分配算法

本文对光时隙分配算法进行了探讨，提出了改进的ＴＳＡ算法，并用软件对该法的有效性进行了分析与论证。     

软件设计中的性能优化与内存管理

本文从软件设计中的性能和评价标准出发,分析了内存管理对软件性能的影响,提出了内存管理的基本 原则和方法．同时,给出了内存管理和软件性能的优化的相关实例．     

磁处理碳酸钙过饱和溶液析晶过程中的"磁记忆效应"

利用双道析晶动力学实时监测系统(DPMS)和时间延迟摄像显微镜(TLVM)系统,验证了磁场抑制碳酸钙过饱和溶液析晶过程中“磁记忆效应”的存在。根据析晶动力学曲线和TLVM图片,比较了磁处理溶液静置不同时间(10,27,45,70、80h)后“磁记忆效应”的差异,首次提出了“磁记忆效应”存在峰值。TLVM光学实验照片清晰显示:溶液磁处理之后静置时间约30h时,沉析物中文石所占比例最多,方解石和球霰石所占比例最少,从而形成软垢,达到最佳阻垢效果;且还发现磁记忆时间至少可以达80h。