基于二维非参数化判别分析的人脸识别

基于二维线性判别分析和非参数化判别分析的思想,提出了一种新颖的用于人脸识别的特征提取方法--二维非参数化判别分析方法. 该方法解决了传统判别分析方法中的小样本问题与高斯分布假设问题. 可以准确、高效地实现人脸识别. 通过在ORL标准人脸数据库上的实验结果表明,算法相对于传统线性判别分析方法有显著优势.     

任意倾角斜旋转准光腔中的场分布

本文引入欧勒角表示从简单F－P消振腔到任意倾角斜旋转准光腔的坐标变换,用对旋转角的积分替代矢量代数的办法得到场分布,所得场分布仍是高斯分布,但是场强峰值可调节至腔口附近,这种分布增加了电子与场相互作用区的可调自由度,本文得到的场表示更加简洁,可更有利于这种类型回旋管的线性和非线性分析。     

逆高斯分布的Pearson-χ~2距离及其渐近性

利用Pearson-Х^2最大距离的定义,讨论了逆高斯分布的Pearson-Х^2最大距离及其渐近性．     

半导体器件模拟中掺杂浓度的处理

讨论了半导体器件模拟计算中的掺杂浓度处理方法，比较了Fortran与Matlab两种计算，指出利用Matlab可以避免复杂繁琐的编程，而且调整极为方便。     

利用高斯分布模型研究多晶硅晶硅界电学特性

研究了多晶硅晶界的载流子输运过程和导电机制，建立了新的晶界结构模型和晶界势垒分布模型.将晶界区域及其势垒的变化视为高斯分布，利用这个模型，给出了改善的电流-电压特性方程，并用这个关系式来解释多晶硅的电学特性.数值计算表明，多硅电阻率随势垒高度的增加而基本呈线性增加.另外，电阻率ρ随掺杂浓度的增加而减小，当掺杂剂浓度约为1×1019cm-3，ρ和ρgb下降最快.且在晶粒尺寸为102nm范围内晶界的电阻率比晶粒的电阻率约大2～3个数量级.分析结果表明，晶界是高电阻区，晶界的这种精细分布描述，有助于进一步理解多晶硅的晶界特性，从而提高多晶硅太阳电池的光电转换效率.     

广义逐次截尾数据下逆高斯分布参数的贝叶斯估计

针对可靠性应用研究中常需要确定寿命分布参数的问题,讨论了在广义逐次截尾数据下具有位置参数和尺度参数的逆高斯分布(inverse Gaussian,IG)的贝叶斯估计问题,给出了两参数的后验密度核。利用逆变换方法,产生遵从后验密度核的随机数,进而研究了估计未知参数的Gibbs抽样策略。Monte-Carlo模拟结果表明:基于广义逐次截尾数据的贝叶斯估计精度接近完全数据下贝叶斯估计。用一个实际例子进一步说明提出方法的可行性。     

仿壁虎粘附阵列与粗糙表面间粘附仿真分析

根据线性梁理论，针对仿壁虎粘附阵列与服从高斯分布的粗糙表面，分别建立了在动态粘附接触与动态脱离过程中二者相互作用力模型．基于合理的参数选择，讨论了该作用力与二者间的间距、预压力及夹角等因素的关系，并得到仿真结果．这一研究为仿壁虎纳米粘附阵列的设计提供理论参考．     

一种基于树结构的高斯分布扩频指纹嵌入技术的方法研究

数字指纹是目前保护多媒体内容不受非法拷贝分配的最新技术。一定条件下,多媒体拷贝内容能够有效跟踪非法用户并抗击共谋攻击是其应用的关键技术。在多播环境下,考虑带宽影响研究了一种基于树结构的扩频指纹嵌入系统。该系统在高斯分布情况下,对一定的共谋攻击者,系统俘获其的概率比正交扩频指纹系统提高了约40%,从而增强了追踪非法用户的能力,进一步提高了指纹加密系统的鲁棒性。     

高斯光束横向分布对激光器振荡频率的影响

从半经典激光理论出发,考虑稳定腔内高斯驻波场分布,得到修正的频率方程。结果表明,光强高斯分布和激光谐振腔结构因素对激光振荡频率的影响同时增强了频率牵引效应和频率推斥效应,而且对频率牵引的影响较对频率推斥的影响更为强些。     

逆高斯分布在可靠性数学理论中的应用

Schrodilnger和Smo1uchowski在研究Brown运动时引入了有正漂移的Brown运动的首达时分布，即逆高斯分布，它在随机过程中是一个很有用的理论工具．本文在逆高斯分布概念的基础上给出了它的4个基本性质及2个抽样性质，并将逆高斯分布及其基本性质和抽样性质应用于可靠性数学理论，得到了一个系统指标服从逆高斯分布时，系统可靠性理论指标的主要结果．