超威公司蓄电池行业清洁生产的范儿

因为铅酸蓄电池具有技术成熟、安全性好、可回收再利用、有记忆效应，且生产和使用成本都比较低的优势，目前铅酸蓄电池的销售额仍居二次电池之首，产量在市场份额中超过60％，在内燃机启动、储能、动力等领域应用，所以在相当长一段时间内仍无法被取代。     

TGS的铁电老化和历史记忆效应

测量了经18年自然老化后的TGS单晶的微分电滞回线,发现回线的形状与未老化的样品类似,故称其为隐性老化.老化的样品经热处理后,回线峰位,峰高出现显著变化,甚至出现双峰,表现出明显的老化特性,隐性老化被显性化了.老化的原因可归结为环境空气中的水分子吸附在晶片四周表面上,使晶体有些微区水解形成缺陷;以及这些缺陷向晶体内的扩散.     

正确使用手机电池

本文介绍了手机电池的种类、特点、主要指标和正确使用方法,使用户掌握手机电池的正确使用方法,以提高手机电池的使用寿命,改善手机的通话质量。     

拉压不同应力对磁记忆信号的影响及机理

通过对Q235钢退磁试件的拉伸、压缩试验,利用磁记忆在线监测系统实时跟踪记录了不同拉压应力作用下试件表面的磁信号变化特征.结果表明:拉伸载荷对合成磁场的影响是先减小后增加的,在接近材料屈服强度的0.3倍左右后趋于稳定不变;而压应力引起的合成磁场初期快速下降,之后处于上下波动变化.通过引入拉压应力所产生的不同应力退磁项,对J-A磁机械效应模型进行了改进,模拟结果与试验数据具有较好的的一致性,可用于拉压不同应力致磁机理的理论解释.     

自旋转换配位聚合物—新型分子存储材料探索

论述了d^n(4≤n≤7）过渡金属配合物的自旋转换现象的原理和表征方法以及可能作为分子基信息存储（记忆）材料的自旋转换配合物的条件,介绍了国内外研究状况及展望。     

考虑加载历史的约束混凝土动力本构模型

客观描述高应变率作用下的约束混凝土的力学行为需要考虑加载历史.将具有该特点的Eibl和SchmidtHurtienne凝土动力模型推广,使之适用于约束混凝土.采用四段式约束混凝土单轴受压应力-应变曲线,以确定模型中的静力损伤发展;利用混凝土动力试验结果并通过数值迭代,给出约束混凝土动力损伤延迟中参数的确定方法,从而得到了模型中的动力损伤延迟.算例表明,给出的方法可以较客观地描述一定范围应变率作用下约束混凝土的力学行为.     

一种并行两箱预失真方法

针对基于记忆多项式的预失真方法相关矩阵条件数和复杂度随着阶数的升高而急剧增加,数值计算复杂且失稳的问题,提出一种并行两箱预失真方法,采用非迭代查询表和正交记忆多项式两个并行模块,分别补偿功放高阶非线性失真和低阶记忆非线性失真.两个模块相互补充,预失真精度高,只须对低阶正交记忆多项式系数进行迭代求解,复杂度低.通过仿真验证了该方法对非正弦时域正交调制信号的有效性,并与基于传统多项式的预失真方法以及查询表级联多项式预失真方法进行了比较.仿真结果表明:所提预失真方法收敛速度快,复杂度低,均方误差较传统记忆多项式预失真降低19dB,较级联预失真降低4dB,功率谱和误比特率性能接近原调制信号,均优于其余两种方法.     

煤体瓦斯放散磁场响应特征

针对含煤体瓦斯放散磁效应特性,建立瓦斯放散磁效应实验系统,测试磁化与未磁化煤样瓦斯放散过程,研究恒定磁场对煤样放散瓦斯的影响。实验结果表明:放散初速度较小(f值越大),磁化后煤样瓦斯放散有明显减小趋势;放散初速度越大(f值越小),磁化后煤样瓦斯放散略有增大的趋势;且两者的变化程度都受磁化时间的影响,在撤掉磁场时Δp并未回落至初始值,并保持一定的时间记忆效应。其机理是f值大的煤样,磁化后b值减小,随着压力的升高,磁化后煤样的表面能降低值都小于未磁化的煤样,说明在加磁后煤体吸附容纳瓦斯的空间减少使得吸附量减少,产生的瞬时瓦斯压力梯度降低,从而使得瓦斯的放散初速度降低,而对于坚固性系数f值小的煤样有相反的实验结果。     

基于语篇命题分类的语言表征记忆效应研究

基于语言表征的层次性,首先探索了基于命题的语篇记忆原理与实践,然后在将语篇内容按照命题分类并根据分类而得出语篇内容记忆与其焦点信息重要性呈正相关的推论,并同通过相关实验来验证这一假说。认为语言信息在大脑中的编码、转换、存储、提取过程就是语言表征过程,而语言的模块化加工和交互作用的过程就是语言的篇章解读过程。篇章的解读与学习者对语篇的记忆密切相关,而语篇内容依托于命题来进行意义表征。     

消除射频功率放大器记忆效应的仿真研究

为了减小射频功率放大器的记忆效应,进一步提高功率放大器的线性度,采用漏极静态偏置电阻优化的方法消除电记忆效应,并利用PN结温度升高使导通电压下降的特性进行温度补偿以抵消电热记忆效应.高级电子设计系统(Advanced Design System,ADS)仿真结果表明,放大器三阶互调的高低频谱分量的差值从6.88 d B降低到0.214 d B,显著地消除了电记忆效应,同时也在一定程度上改善了电热记忆效应.