磁处理碳酸钙过饱和溶液析晶过程中的"磁记忆效应"

利用双道析晶动力学实时监测系统(DPMS)和时间延迟摄像显微镜(TLVM)系统,验证了磁场抑制碳酸钙过饱和溶液析晶过程中“磁记忆效应”的存在。根据析晶动力学曲线和TLVM图片,比较了磁处理溶液静置不同时间(10,27,45,70、80h)后“磁记忆效应”的差异,首次提出了“磁记忆效应”存在峰值。TLVM光学实验照片清晰显示:溶液磁处理之后静置时间约30h时,沉析物中文石所占比例最多,方解石和球霰石所占比例最少,从而形成软垢,达到最佳阻垢效果;且还发现磁记忆时间至少可以达80h。     

瓦斯水合物在含煤表面活性剂溶液中生成影响因素

为促进瓦斯水合物快速生成以预防煤与瓦斯突出,利用可视化实验系统,进行了14.3～25.4 ℃和18.66～26.70 Mpa条件下三种含煤表面活性剂溶液体系中瓦斯水合物生成过程的实验研究,得到了生成过程的p-T-t关系.结合水合物生成速度和含气率等计算模型对实验数据进行了计算,并对计算结果和实验过程进行了分析.结果表明:表面活性剂的加入缩短了水合物生成诱导时间,提高了生成速度和含气率,合成的水合物样品含气率达到136～150;多孔介质(煤)的存在对水合物的生成有较小的延缓;记忆效应对瓦斯水合物生成影响显著,在拥有水合物分解残余五面体环等结构的实验体系中,水合物生成诱导时间缩短10～20倍.     

水滑石类化合物重构性能的研究

阐述了类水滑石的结构特点和记忆效应,对类水滑石重构性能的影响条件进行了比较详细的分析,并对其重构性能的应用前景进行了展望。     

可充电电池及其充电器的发展动向

本文叙述了目前国内外可充电电池的使用情况及发展趋势,介绍了各种充电方法和一种典型的充电器实用线路。     

一种新的RF预失真方案的设计与仿真

根据预失真原理,利用对消的方法,提出一种改进的预失真电路的方案,设计了分别产生三阶和五阶互调分量预失真器电路.最后以Polyfet公司的有记忆效应的功放管设计的功率放大电路为例,分析比较了未加预失真电路的功放性能和加了预失真电路的功放性能,测试结果表明失真分量有了很大的改善,三阶互调系数(IMD3)改善了20.5 dB,五阶互调系数(IMD5)改善了3.8 dB.IMD3比传统的方案提高了3.2 dB,IMD5比传统的方案提高了5.8 dB.     

玻璃同心气动雾化器的主要参数和性能的探讨

雾化器是电感耦合等离子体光源的重要部件之一,它可分为用于液体试料和用于固体试料两类迄今为止绝大多数的工作是对液体试料进行分析,常采用气动雾化器(其中包括直角的和同心的)及超声雾化器。虽然超声雾化器灵敏度较高,但其结构较复杂而且往往需要配备去溶剂装置,因而记忆效应较为严重,而气动雾化器结构简单,价钱便宜,操作方便故常被采用。本文介绍我们在一套加以改装的高频加热装置作为电源的ICP光源上进行同心气动雾化器的主要参数对光谱性能的影响,去溶剂作用的机理和记忆效应等的实验结果。     

自适应数字预失真系统的Householder块精确逆QR分解递归最小二乘法

在非常数包络调制系统中,数字预失真技术已成功应用于线性化功率放大器. 文中提出一种适用于非线性功率放大器宽带数字预失真的增强记忆多项式模型. 与传统的记忆多项式和广义记忆多项式模型相比,该模型通过包含Volterra模型的交叉联合记忆项,在保持低复杂性的同时给出了优越的线性化性能. 预失真系统的参数估计使用Householder块精确逆QR分解递归最小二乘算法,通过计算机仿真研究了Householder块精确逆QRD-RLS算法的性能. 对强非线性AB类功率放大器进行了实验测量,并收集相应的复包络IQ基带数据,根据这些数据建立行为模型并验证预失真器性能. 结果表明,对瞬时带宽为5 MHz的WCDMA输入信号,在5 MHz频
率偏移处将ACPR改善了25 dB.     

Fe-13Cr-5Ni马氏体不锈钢在连续加热过程中两相区的奥氏体生长行为

通过光学显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射仪以及显微硬度仪研究Fe-13Cr-5Ni马氏体不锈钢在加热过程中的组织转变行为.结果表明,Fe-13Cr-5Ni钢在10℃·s-1的加热速率下,加热至奥氏体单相区,冷却至室温后具有明显的“组织遗传”现象.奥氏体以“针状”形式在马氏体板条界处形核并沿着马氏体板条界长大,与母相间保持Kurdjumov-Sachs(K-S)位向关系.加热至两相区不同温度然后淬火至室温,奥氏体的量随两相区保温温度的升高先增加再减少,650℃时对应室温下残余奥氏体的极大值,并且这一变化趋势与试样显微硬度测试结果所得结论一致.     

低碳钢扭转过程弱磁信号变化及金属磁记忆效应

研究地磁场存在条件下扭转过程中低碳A3钢的弱磁信号变化和金属磁记忆效应.在扭转实验机上对A3钢弱磁信号变化和转矩变化之间的关系进行了实验研究,通过记录试件表面磁场强度垂直分量和所施加的转矩值,绘制出二者之间的关系曲线,分析了弹塑性阶段弱磁信号变化特点.磁信号在弹塑性区域发生变化的主要原因是磁畴在应力作用下的定向分布和位错对磁畴转向的阻碍作用.根据实验结果提出了通过设立弱磁信号的梯度阈值进行构件应力状态及微损伤判别的新方法.     

大激活熵是触发非晶合金记忆效应的关键

非晶/玻璃等非平衡态材料在能量驱动下会逐渐“老化”（ageing），体积和能量状态逐渐降低，这是非平衡态材料的本征特征之一。不同于“老化”的自然演化规律，记忆效应是指非晶合金经历先低温再高温两步退火时，焓或体积会先增加而后降低至平衡态。如果材料或体系达到热平衡态，初态和历史的记忆将被彻底遗忘。半个世纪以来，人们对记忆效应的理解局限于诸如Tool-Narayanaswamy-Moynihan（TNM）模型等唯象层面，对其物理起源仍不清楚。通过研究非晶合金在单步和两步退火中的弛豫规律，发现非晶合金中存在从β弛豫向α弛豫的等温转变现象，并进一步发现大激活熵是触发记忆效应的关键。这些结果对理解玻璃等非平衡态材料的物理本质和精准调控其性能具有重要意义。