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151.
152.
利用复合微分算子和Hadamard乘积定义一类单位圆盘内的p叶解析函数类,利用解析函数理论研究得到它的系数关系,并利用系数结论研究它的部分和性质. 相似文献
153.
证明了n维空间上的解析函数,在极值点的某去心邻域上,其Frechet导算子不为零算子的结论. 相似文献
154.
徐珺 《华中师范大学学报(自然科学版)》2006,40(2):197-201
对美国国家智能运输系统体系框架的开发过程、内容构成和实施策略进行了分析与总结.在对其框架定义发展模式和执行策略推进模式这两大核心内容进行梳理和分析的基础上,总结了美国国家智能运输系统的体系框架在设计思想、设计方法和与具体实施的关联性等方面的发展特点,并从以上几个方面出发,对我国在发展智能运输系统体系框架的完善过程中应注意的重点提出了建议. 相似文献
155.
目的 研究基于一致风险谱的我国核电安全壳地震风险分析方法,为我国核电厂结构基于一致风险抗震设计方法修订提供参考。方法 通过推导地震风险解析模型,总结美国土木工程学会《核设施中结构、系统和部件的抗震设计准则》(ASCE/SEI 43)中一致风险谱生成理论和方法,生成场地一致危险谱和一致风险谱;采用安全系数法,生成算例厂址核电安全壳模型易损性曲线;采用解析风险函数,得到算例结构地震风险。结果 基于平动第一周期的风险大于基于平动第二周期的风险;平均值地震风险大于50%置信度地震风险,小于95%置信度地震风险,表明平均值地震风险结果与小于具有95%置信度地震风险相当;如果以95%为要求标准的风险进行鉴别筛选,平均值地震风险结果偏于不保守;对于核岛等抗震设计分组为5(SDC 5)的结构、系统和部件,两版ASCE/SEI 43规范给出的一致风险谱大多数情况下相同;一致风险谱地震作用下,我国安全壳风险水平远低于ASCE 43规范目标风险。结论 我国核电安全壳设计安全裕量较大,面临地震风险远小于ASCE 43规范中的目标风险。 相似文献
156.
研发国际化在企业提升技术实力、创新绩效等方面发挥着举足轻重的作用。基于企业行为理论,探究了创新期望顺差、冗余资源两种“富有”状况对企业研发国际化决策的影响,以及企业政治关联和国际经验在其间的调节作用。利用2008~2016年中国A股上市公司的经验数据,究发现:创新期望顺差和冗余资源对企业研发国际化具有显著的正向影响;企业政治关联通过帮助企业获取更多的“走出去”优势,最终强化创新期望顺差和冗余资源对企业研发国际化的正向影响;企业国际经验则会通过帮助企业获取更多的“走进去”优势,最终强化创新期望顺差和冗余资源对企业研发国际化的正向影响。本研究不仅增强了企业行为理论对企业战略性决策的解释力,对企业更好地推进研发国际化也具有启示意义。 相似文献
157.
为提高甚高频数据交换系统(very high frequency data exchange system, VDES)中应用特定消息(application-specific messages, ASM)的解码性能, 提出一种基于循环冗余校验(cyclic redundancy check, CRC)的改进维特比纠错算法。通过合理降低符号状态数和使用部分CRC参与纠错, 使该算法平衡了纠错性能和计算量, 同时提出了新的分支度量以解决过于理想化的传统分支度量导致的性能损失。仿真表明, 新分支度量相比传统分支度量提升了1 dB的误帧率(packet error rate, PER)性能, 在用12个CRC寄存器参与纠错的条件下,该方法比相干解调算法提升了1 dB的PER性能, 同时通过合理的符号状态数降低策略将计算量降为传统算法的1/4。 相似文献
158.
159.
0 IntroductionWith the development of science and technology,manipulators have been widely utilized in some specialfields of space , deeper ocean, and nuclear materialcleanup.Becausethese workingenvironments are distant ,harsh and dangerous ,itis difficultfor peopletorepairthefailed manipulators onthe spot .Therefore ,the manipula-tors should operate normally for a long time . To meetthese requirements ,the manipulators must have not onlyhigher reliability but also fault tolerance capabilities… 相似文献
160.
文章针对高k栅MOSFET的栅介质层及其侧壁掩蔽层提出了一个二维定解问题,求出了二维电势和电荷分布.文章根据栅极电荷与栅源及栅漏电压关系,提出了MOSFET的栅极和源极/漏极之间的寄生电容的模型,用半解析法计算了这些寄生电容,得到了寄生电容与几何尺寸之间的关系.文章的计算结果表明改变栅极电介质常数可以得到一个寄生电容的最小值,计算结果与CST仿真结果能够很好地符合. 相似文献