Growth of Ge Layer on Relaxed Ge-Rich SiGe by Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition

The paper describes the growth of a germanium (Ge) film on a thin relaxed Ge-rich SiGe buffer. The thin Ge-rich SiGe buffer layer was achieved through a combination of ultrahigh vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) SiGe epitaxial growth and SiGe oxidation. A lower Ge content strained SiGe layer was first grown on the Si (001) substrate and then the Ge mole fraction was increased by oxidation. After removal of the surface oxide, a higher Ge content SiGe layer was grown and oxidized again. The Ge mole fraction was increased to 0.8 in the 50 nm thick SiGe layer. Finally a 150 nm thick pure Ge film was grown on the SiGe buffer layer using the UHVCVD system. This technique produces a much thinner buffer than the conventional compositionally graded relaxed SiGe method with the same order of magnitude threading dis- location density.     

一种深亚微米CMOS工艺驱动电感式互联缓冲器工作模式的研究

研究了互补金属-氧化物半导体(CMOS)的栅极驱动电阻-电感-电容(RLC)互联的实际工作模式。采用α-指数模型,对深亚微米CMOS线驱动器晶体管工作区内的片上互联电感效应进行了分析。这项研究表明在缓冲区切换时,线性和饱和的工作模式有可能同时存在,因而饱和区和线性区模型都不能单独用来表征晶体管的工作模式。还提出了一种工作在饱和区的线驱动器的MOS管开关时间部分的计算效率的闭合表达式。相比较具有较宽范围行参数的SPICE仿真来说,提出的公式具有15%的准确性,特别适合CAD工具的实施。     

Fast wire segmenting algorithm considering layout density and signal integrity

A k-shortest path based algorithm considering layout density and signal integrity for good buffer candidate locations is proposed in this paper. Theoretical results for computing the maximal distance between buffers are derived under the timing, noise and slew rate constraints. By modifying the traditional uniform wire segmenting strategy and considering the impact of tile size on density penalty function, this work proposes k-shortest path algorithm to find the buffer insertion candidate locations. The experiments show that the buffers inserted can significantly optimize the design density, alleviate signal degradation, save the number of buffers inserted and the overall run time.     

水下爆炸冲击载荷下液气缓冲器抗冲特性分析

概述了新型液气缓冲器的基本结构和运动过程. 基于动力学基本理论,建立了该缓冲器冲击输入与经缓冲后的冲击输出两者之间的数学模型. 通过Matlab数值仿真计算,研究了气室高度、油腔截面面积、伸进阻尼孔面积、伸张阻尼孔面积等参数对该型缓冲器抗冲击性能的影响,得出了各参数对抗冲击特性的影响规律.     

双气腔油气式缓冲器缓冲性能优化分析

通过对双气腔油气式缓冲器结构参数的合理设计,可以大大提高缓冲器的缓冲性能.针对某型双气腔油气式缓冲器起落架,首先建立其数学模型,利用动力学仿真软件ADAMS中的Aircraft分析模块对缓冲器性能进行仿真分析,得到一系列试验样本点;基于非线性响应面法,利用所抽取样本点,建立了设计变量和优化目标间的数学关系;以缓冲器缓冲效率为优化目标,支柱最大垂直载荷和最大行程为约束条件,对设计变量进行优化;对优化后结构参数进行模拟仿真分析,结果表明优化后结果与仿真结果偏离误差在1.2%以内,拟合函数可信度较高;优化后缓冲器效率较优化前增大4.6%,优化方法切实有效.在对缓冲器仿真分析的基础上,为起落架缓冲器的设计和改进提供一种优化方法,有一定的实用价值.     

用于高速模数转换器的非对称全差分参考电压缓冲器

针对现有高速高精度模数转换器(ADC)芯片内部参考电压缓冲器需要牺牲很大功耗来满足精度和速度要求的问题,提出了一种具有非对称AB类输出级的全差分参考电压缓冲器,能够以较低的运放增益满足缓冲器高精度的需求,从而显著降低缓冲器的功耗。通过引入非对称的输出结构,参考电压缓冲器只需要满足高带宽,不再需要较高的开环增益;输入级采用互补结构进一步降低了功耗;为了消除传统结构所引入的高阻节点,提出了低输出阻抗的AB类驱动电路,提高了带宽。仿真结果表明,在负载为20pF的片内滤波电容的情况下,参考电压缓冲器的功耗为27mW,建立时间小于2.5ns,与相近性能的电路相比,所提电路的功耗更低。其中运放的单位增益带宽为602MHz,相位裕度为61°。所提出的参考电压缓冲器应用于一款双通道14位200 MHz的流水线ADC中,测试结果表明,ADC的信号噪声失真比达到73dB,所提出的电路结构能以较低的功耗实现较高的精度和速度。     

关于降低ST型缓冲器阻抗力的研究

通过构建ST型缓冲器力学结构模型,在对ST型缓冲器进行理论分析的基础上,提出了从缓冲器结构到工艺的综合改进建议,并得到了试验验证,解决了ST型缓冲器阻抗力超限问题.     

包装机铝箔纸缓冲器的风机控制装置

高速包装机GD X6在烟草生产企业广泛使用,现有的GD X6高速包装机铝箔纸缓冲器风机无独立打开或者关闭的控制装置,其与包装机整体运作。在日常生产过程中或清洁保养时,风机容易吸附烟尘及灰尘,大量的烟尘进入铝箔纸缓冲器风机内,就会导致运行中的铝箔纸因风机所产生的负压不均匀,而导致受力不均引起铝箔纸断裂,降低了产品的品质与效率;此外,大量的烟尘会加重风机的负载,影响风机的使用寿命。     

馈能式缓冲器的研究

本文介绍一组由无源器件组成的开关辅助电路,其广泛应用于由高频电力电子器件作为单端电源转换开关的馈能式缓冲电路中,并对无源无损耗缓冲器的特性和应用进行了探讨。