无杂质空位诱导InGaAs／InP量子阱结构的光荧光研究

用光荧光谱（PL）方法研究了无杂质空位诱导（IFV）InGaAs/InP多量子阱（MQWs）结构的带隙蓝移，实验中选用Si3N4作为电介质层，用以产生空位，并经快速热退火处理，产生扩散，实验结果表明，带隙蓝移同退火温度和退火时间有关，最佳退火条件的800℃，10s。同时二次离子质谱（SIMS）的分析表明，电介质盖层Si3N4和快速热退火（RTA）导致量子阱中阱和垒之间元素互扩，这种互扩是导致带隙蓝移的主要原因。     

抗日战争时期江南地区的国共关系

本文阐述了抗战时期国共实现第二次合作的时代背景，既联合又斗争的关系，以及这种关系在江南地区的特殊性，指出以中国共产党为体育场的坚决抗战路线得民心，以蒋介石为代表的国民党顽固派消极抗日，积极反共反人民的路线失民心。     

对回转体经一次旋转到位问题的探讨

研究的是在任何情况下将回转体一次旋转到指定位置的问题。特别是当回转体旋转的前后位置异面时，采用了画法几何图解的方法求解旋转轴及旋转角度。这种方法与其它方法相比更简捷、更直观。该问题的解决可使生产流程大大简化，从而使产品成本降低，经济效益提高。     

NOVELL网络无盘工作间自动注册入网的几种方法

本文介绍了Novell网络无盘间自动注册入岗的两种方法。     

又一类二阶二次微分方程的解法

给出一类二阶二次微分方程ａ１（ｘ）ｙｙ″＋ａ２（ｘ）ｙ′２＋ａ３（ｘ）ｙｙ′＋ａ４（ｘ）ｙ＾２＝ｂ（ｘ）的解法。     

P^K（P〉3）元域上的三次方程根的状况

F是一个PK(P >3)元域 .本文证明 :研究F上的三次方程可以转化为研究方程x3 ax b =0 (a≠ 0 ,b≠ 0 ) .然后得到x3 ax b =0 (a≠ 0 ,b≠ 0 )在域F中有且仅有一根 ,或一个单根与一个二重根 ,或三个互异的根 ,或没有根 .最后 ,完整地给出了有限域上的三次方程根的状况     

亚次亚定阵及其华罗庚定理的推广（Ⅰ）

类似于正定阵、亚正定阵，讨论了次正定和亚次正定阵的一些性质，丰富了矩阵的理论。本文及以后的续文将讨论次正定阵和亚次正定阵的Hadamard乘积及Krenecker乘积，并将著名的华罗庚定理推广到次正定阵和亚次正定阵，从而得到了更多的有用结论。     

济钢中厚板厂120t转炉一次风机振动解决处理

针对120t转炉一次风机目前存在的振动问题进行了全面分析,提出了优化改造方案,实施后取得很好的效果。