剑杆的弹性振动

剑杆引纬,由于剑杆加速度峰值达几十个 g,不可避免地引起剑杆弹性振动。当剑尾以名义加速度(?)(t)运动时,剑杆纵向振动方程为:ρA[((?)~2u)/((?)t~2)+(?)(t)]=(?)/(?)x(EA((?)u)/((?)x))在现有设计及应用中,(?)(t)均满足展成收敛的傅氏级数条件。从而可应用谐波分析法研究剑杆强迫振动的解。本文假设剑杆为等截面直杆,按梯形加速度规律计算剑杆纵向振动对位移的影响,并给出杆内动态正应力的计算式,为剑杆的强度设计提供了理论依据。     

从正交切削试验获得低碳钢动态剪切流动应力特性

本文采用正交切削试验技术，获得０．２％Ｃ钢在温度２００℃，剪应变１－２，剪 应变率３×１０３－３×１０５ｓ－１范围的动态流动特性。通过对数学模型的非线性回归分 析，得到动态剪切流动应力的定量表达式。与分离式Ｈｏｐｋｉｎｓｏｎ杆试验数据的对比， 证实了该技术所得结果的正确性和可靠性。     

纤维硼镁矿的盐酸浸取动力学

以分段处理的方法,将纤维硼镁矿的盐酸浸取反应视作拟一级化学反应。把反应分成0—50%、50—70%及>70%三段,分别求得反应速率常数和表观活化能。当温度<80℃时,反应始终属化学反应控制;当温度>80℃时,反应前期系受液-固两相界面的传质速率控制,后期则仍属化学反应控制。这对确定生产操作条件具有重要的实践意义。     

在低温煅烧硅酸盐水泥熟料时率值与q值(SO_3/CaF_2)的选择

在实验室用多因素试验正交优选法,对低温煅烧硅酸盐水泥熟料的率值和 q 值(SO_3/CaF_2)选择进行了研究,发现在1320℃的实验室条件下、当生料中的 CaF_2含量为0.8时,最佳的熟料率值及 q 值组合为:KH=0.95,n=1.7,p=1.4,q=1.5。它们对熟料强度及易烧性影响程度的次序为 q>KH>p>n。q 值选择不当是熟料凝结时间不正常的主要原因之一。     

一种Jacobi型方法及其应用

本文给出了一种新的Jacobi型方法,用于求埃尔米特矩阵的全部特征值和特征向量时,比[1]中所用的Jacobi方法收敛速度快一倍,存贮量少一半,计算总量也少一半。实例表明效果还要好些。这一新方法可用于埃尔米特矩阵同时迭代法正定广义埃尔米特特征值问题的同时迭代法以及一般广义埃尔米特特征值问题。     

n阶泛函微分方程振动性综述

本文的目的是介绍n阶泛函微分方程振动性的若干近期成果。全文共五分部。首先我们做了必要的准备工作。在第二节中,介绍了适合于常微分方程和泛函微分方程的振动判据的情况。在作三节中,介绍了由滞后引起的振动。在第四节中对非齐次方程的振动性的发展给予介绍。     

隔水管非线性振动的线性化分析

本文在规则波浪与海流联合作用下对海洋钻井隔水管进行了动力分析,对非线性拖曳力采用改进的线性化方法,推导了有限元线性振动方程。求解这些方程几乎象静力方程一样,只需要少数几次迭代就可求得响应最大值。同时给出一些规则波浪与海流联合作用下的算例,并对由本文方法和由非线性时间域动力分析方法分别求得的两种结果进行了比较。比较表明,两种计算结果吻合。本文的线性化方法及把动力方程变换为静力方程的方法,能节约计算机时。隔水管是海洋工程中较典型的构件,该分析方法便于实际应用。     

纺织品紫外线透过率测试的影响因素分析

在测试纺织品紫外线透过率时，紫外光源，接受传感器，光源与传感器间的测试距离以及试样的放置方式都会对测试结果产生较大的影响．依照GB／T17032《织物紫外线透过率的实验方法》技术要求，对这些因素进行实验研究．结果表明，选用紫外氘灯光源，接受波段280～320nm，主波长297nm的接受传感器，测试距离采用38-40mm以及合适的试样放置结构，能有效提高纺织品紫外线透过率测试的精度和稳定性．     

高产旱稻新品种“GS郑旱2号”

该品种是常规粳型早稻新品种，已通过国家农作物品种审定委员会审定。该品种产量水平高，综合农艺性状优良，生育期120天，高91．6cm，穗长20cm，平均每穗总粒数86粒，千粒重30．4g，糙米率81．8％，整精米率62．8％．直链淀粉含量15％，胶稠度90mm，抗胡麻叶斑病，抗穗茎瘟病，适应性广，适于黄淮海地区(豫、鲁西南、秦岭以南，晋南，皖中北，苏北等地)的早稻区种植。     

Modulation of low-frequency oscillations in GaAs MESFETs’ channel current by sidegating bias

Low-frequency oscillations in channel current are usually observed when measuring the GaAs MESFET‘s output characteristics. This paper studies the oscillations by testing the MESFET‘s output characteristics under different sidegate bias conditions. It is shown that the low-frequency oscillations of channel current are directly related to the sidegate bias. In other words, the sidegate bias can modulate the oscillations. Whether the sidegate bias varies positively or negatively, there will inevitably be a threshold voltage after which the low-frequency oscillations disappear. The observation is strongly dependent upon the peculiarities of channel-substrate (C-S) junction and impact ionization of traps-EL2 under high field. This conclusion is of particular pertinence to the design of low-noise GaAs IC‘s.