低温低氧压下激光法在金属基底上沉积高温超导薄膜的缓冲层钇稳定氧化锆

制备高临界电流J_c的高温超导线材与带材是高温超导走向强电应用的重要课题.与Bi系及T1系相比,YBa_2Cu_3O_(7-δ)(YBCO)的不可逆线低,在液氮温区仍有很强的钉扎力.YBa_2Cu_3O_(7-δ)已在单晶基片上生长出很高质量的薄膜,J.高达(5～6)×10~6A/cm~2.但是单晶基底对强电应用是不利的,为了使YBCO薄膜的优良性能应用于带材,必须把YBCO沉积到可弯曲并且便宜的金属基底上.为防止金属基底与YBCO之间的扩散反应,用钇稳定氧化锆(YSZ)做缓冲层.但是用这种薄膜沉积法得到的带材由于不是外延生长,J_c为 10~3～10~4A/cm~2.近来人们用离子束辅助沉积法(IBAD)在金属基底上得到具有平面内织构的YSZ缓冲层,并在其上外延生长出J_c达到 10~6A/cm~2的YBCO薄膜,这使得IBAD薄膜法成     

Gauss—Weierstrass算子的某些逼近性质

该文主要讨论了Ｇａｕｓｓ－Ｗｅｉｅｒｓｔｒａｓｓ算子（Ｗｎ）在给定点对ＬｉｐｓｃｈｉｔＺ函数类的逼近误差以及某些高阶逼近问题，并得到了（Ｗｎ）的局部Ｎｉｋｏｌｓｋｉｉ常数。     

丝状绕花内插元件强化管内换热技术的研究

丝状绕花内插元件强化管内换热技术是一项综合强化换热的新技术，它应用到管式换热器的制造领域，有效地克服了普通管式换热器换热弱的不足，发挥了坚固耐用、适用范围广、操作弹性大的优点，大大提高了管式换热器的传热效率．是我国管式换热器技术研究的最新进展．     

Hp空间上Toeplitz算子的本质谱

设T是复平面C中的单位圆周,H~P(T)(l相似文献   

拟序群上的Toephiz C~* -代数的忠实表示的刻划

设G为一离散群，（G，P）为一个拟序群．记T（G，P）为相应的ToeplitzC-代数．给出了T（G，P）的一个表示为忠实的充要条件．     

超双曲型方程的Dirichlet问题

从紧算子的谱理论出发，给出了超双曲型方程（△x-△y）u＋λu＝f（x,y），x＝（x1，x2，…，xm），y＝（y1，y2，…，ym）的Dirichlet问题解的存在性和唯一性定理．     

奇摄动三阶非线性边值问题

利用微分不等式技巧和Volterra型积分算子，研究了三阶非线性奇摄动边值问题解的存在性、唯一性及渐近估计．     

Banach空间Co上的弱紧算子

利用天值序列空间为工具证明了Banach空间Co上的每个弱紧算子是紧算子．     

多元Sikkema算子的逼近定理

研究单纯形上多元Ｓｉｋｋｅｍａ算子的逼近，得到逼近正逆定理和渐近估计。     

关于二元广义Baskakov算子的逼近

构造了广义二元Ｂａｓｋａｋｏｖ算子，讨论了其在Ｃ空间的逼近性质。