硅赝异质结双极晶体管的电学参数性能分析

具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管，其能带结构类似于真实异质结双极晶体管的能带结构。本文研究了硅赝质结双极晶体管的电流增益，截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系。并指出了硅赝异质结双极晶体管在低温下应用的潜力。     

一维异质结的能带

本文从简化模型出发,用量子力学分析方法对一维有限异质结的能带结构进行了探讨。     

具有高增益特性的InGaAsP/InP异质结光晶体管

用液相外延方法制造了InGaAsP/InP异质结光晶体管,在1.3μm光增益高于200,在1.0μm光增益在1000倍以上,并在0.7μm～15μm范围内测量了谱响应。     

基于SiGe BiCMOS的全集成射频功率放大器设计

提出了一种基于SiGe BiCMOS工艺的适用于移动设备的紧凑全集成功率放大器.设计采用cascode驱动级与共发射极功率级级联以提高放大器的功率增益,片上集成CMOS电源以提供偏置电流,采用分布式的镇流电阻和具有热负反馈效果的偏置电路补偿结温以防止放大器在高温工作时失效,并且采用一种紧凑的电路级的热耦合模型对所提出的热稳定措施进行仿真验证.后仿结果表明：PA在3.3 V供电下、2.4~2.5 GHz的工作范围内输出增益为32.5 dB,S11&S22<-10 dB,1 dB压缩点处的输出功率为25.4 dBm,在25 ℃的环境温度下最高结温小于65 ℃（饱和）.芯片面积仅为1.25×0.76 mm2.测试结果表明：在-45~85 ℃的工作环境下,可以在增益要求为26.5~32.9 dB的应用中正常工作.1 dB压缩点处的输出功率为24.3 dBm.采用 20 MHz 64-QAM OFDM信号测试,DEVM达到-30 dB的输出功率为18.1 dBm.     

数字解读北京企业研发机构概况

首都科技资源是开放性的战略资源，伴随着经济全球化、科技经济一体化的发展进程，来自国内外的战略投资者将眼光投向北京，纷纷在北京设立研究开发机构；与此同时，大批民营科研机构蓬勃发展，国家设立的科研院所已加快了科技体制改革步伐，焕发出新的活力，北京的创新体系正呈现出一个运营机制市场化、投资主体多元化的新格局。     

RTD/HPT单片集成的光控D触发器

本文从量子力学和微电子学角度,运用共振隧穿二极管、光敏异质结双极晶体管的电路模型成功的建立由RTD与HPT集成的D触发器电路模型,并运用Pspice模拟软件模拟了D触发器的特性。通过模拟阐述了由RTD与HPT集成的D触发器的工作原理;通过电路模拟体现了RTD的高速高频,HPT的响应速度快、光电流增益高的特点。     

利用上市公司资源，加快重庆资本市场发展

通过对重庆市上市公司最新基本情况、统计数据、市场表现等资料的整理，及与兄弟省市市场的对比，剖析了重庆资本市场落后的根源，探索了加快重庆资本市场发展的途径。     

用AR-EGARCH-M模型对中国股市波动性的拟合分析

利用AR（m)-EGARCH(p,q)-M模型，以1996年12月16日－2001年9月28日上证综指和深圳成指数盘价为样本，对我国股市的波动性进行拟和分析，并对实证结果给予了解释，指出了中国股市目前的一些发展现状。