HEMT材料的电子辐射效应

用能量为１～１．８ＭｅＶ、注量为１０￣（１３）～１０￣（１０）／ｃｍ￣２的电子，对ＨＥＭＴ（高电子迁移率晶体管）材料进行辐照，得到了材料结构中的２维电子气（２ＤＥＧ）的电输运性质随辐照电子能量和注量的变化关系，井进行了讨论．还将该结果与电子辐照Ｐ－ＨＥＭＴ和ＬＴ－ＨＥＭＴ材料的结果进行了比较，对异质结界面的辐照效应进行了分析。     

碱金属夹层对半导体异质结能带偏移的影响

用光电发射的方法研究了碱金属夹层对Ｇｅ和Ⅲ－Ⅴ族半导体异质结形成和能带偏移的影响．实验表明，价带偏移（ΔＥｖ）与夹层厚度有关．０．５ＭＬＣｓ和１ＭＬＮａ可使Ｇｅ／ＩｎＰ（１００）及Ｇｅ／ＧａＡｓ（１００）的ΔＥｖ的值分别增加０．２０ｅＶ和０．１８ｅＶ．碱金属与衬底相互作用而引起的界面偶极矩的改变是导致ΔＥｖ改变的主要原因．     

LPE法生长GaP／Si材料初探

用普通的液相外延（LPE）方法，在Si衬底上生长了厚约10um的GaP外延层，并对以Ga，In或Sn为生长熔体进行生长得到的结果做了比较，结果表明，Si在Ga中溶解度很大，Ga不适合做熔体；In为熔体时生长出InGaP合金，Si含量较高，而且出现化学计量比偏离现象，Sn为熔体生长的GaP层中Si含量小于In溶体，而且GaP符合化学计量，测得GaP外延层带隙波长为540nm。     

LPE法生长GaP/Si材料初探

用普通的液相外延(LPE)方法,在Si衬底上生长了厚约10μm的GaP外延层,并对以Ga,In或Sn为生长熔体进行生长得到的结果做了比较.结果表明,Si在Ga中溶解度很大,Ga不适合做熔体;In为熔体时生长出InGaP合金,Si含量较高,而且出现化学计量比偏离现象;Sn为熔体生长的GaP层中Si含量小于In熔体,而且GaP符合化学计量比.测得GaP外延层带隙波长为540     

基本财务比率分析

财务分析以企业财务报告及其他相关资料为主要依据，对企业的财务状况和经营成果进行评价和剖析，反映企业在运营过程中的利弊得失和发展趋势，从而为投资者、债权人、经营决策者等相关人员提供重要的财务信息。财务分析是评价财务状况、衡量经营业绩的重要依据；是挖掘潜力、改进工作、实现财务管理目标的重要手段：是合理实施投资决策的重要步骤。     

会计发展与电子商务

一、电子商务对会计的影响 会计发展的原动力是企业经营环境的变化和信息需求的变化电子商务时代，虚拟企业将成为常见的企业组织形式，如果会计不能向管理者，投资者反映上述各方面的重要信息，将使会计的基本原则全面性和重要性原则受到制约、将使会计的基本原则全面性和重要性原则受到制约，管理者、投资者也就无法依据会计提供的信息进行决策和投资活动。     

基于投资者信念及神经元网络的指数预测

分析了金融学的新发展对短期定量预测技术的理论支持，基于用神经元网络预测选择变量困难的问题，提出了在价格和交易量趋势中挖掘投资者信念作为预测依据的新思路，并用上证30指数进行了预测检验，结果显示挖掘投资者信念和神经元网络结合能够产生预测能力。     

浅析股票投资风险的影响因素及对策

市场经济是风险经济，风险经济不可避免的包含了投资风险，而股票投资风险乃是投资风险的一种，它有其自己的种类及生存的环境也就是戍因，如何控制、避免和预防风险在市场经济高速发展的今天却成为人人不可忽视的问题。作为投资者一定要加大对信息的筛选力度，要有高度的警惕心。上市公司也要保持和维护自己公司的声誉和形象。     

含有2个五边形-七边形缺陷对的单壁碳纳米管的电学性能

在紧束缚近似基础上,应用扩展的Su-Schriffer-Heeger(SSH)模型,在实空间研究了1根完整"之之"碳管管壁中沿周长方向并排引入2个五边形-七边形拓扑缺陷对所形成的同质结的电学性能;计算了(9,0)-(9,0)和(8,0)-(8,0)系统的电子态密度,对五边形-七边形缺陷对在碳管中沿轴向依次排列和沿周长方向并排放置时的电子态密度进行了比较.研究结果表明五边形-七边形(5/7)拓扑缺陷对决定费米能级附近的电学行为;拓扑缺陷不同的分布与排列方式对碳管电学性能的影响有明显差异.     

以色列风险投资概况

经过近３０年的发展,以色列已成为世界上风险投资最发达的国家之一,被誉为第二硅谷。本文着重对以色列风险投资的发展历史、投资特点、运作方式及所取得的成就作了介绍