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81.
利用DSP设计了高性能数字调速系统,该系统采用转子磁场定向的控制方式和SPWM变压变频方法,实现了交流异步电机调速系统的数字化.实验结果表明该系统控制精度高,运行稳定,符合一般的工业控制要求.  相似文献   
82.
连续定向凝固过程中结晶器的温度分布对固-液界面位置和形状具有重要影响.在建立三维物理模型以及确定材料热物性参数、边界条件与冷却水对流换热系数计算方法的基础上,采用ANSYS有限元软件对不同参数组合条件下镍钛形状记忆合金线坯连续定向凝固的稳态温度场进行了数值模拟.研究结果表明,在所给定的模型及各种参数条件下,镍钛形状记忆合金在结晶器内可以完成凝固过程,且固-液界面呈平直状,具备了进行连续定向凝固制备的基本条件.  相似文献   
83.
基于定向技术距离函数的收益Malmquist指数   总被引:2,自引:0,他引:2  
在分析基于收益的DEA模型和成本Malmquist指数以后,定义了收益Malmquist指数以及进一步提出基于定向技术距离函数的收益Malmquist指数,并进一步将其分解成技术效率变化、分配效率变化、技术进步以厦价格因素四个因子,从而完善了Malmquist指数模型体系。最后用线性规划给出了相应的求解方法。  相似文献   
84.
基于定向技术距离函数的投入产出型Malmquist 指数   总被引:1,自引:0,他引:1  
指出了传统Malmquist指数所存在的两个局限并对其进行了修正.修正后的Malmquist指数不仅考虑以非径向的定向技术距离函数取代径向的投入/产出距离函数,而且考虑了规模收益,从而使得Malmquist指数测量更准确,同时还测度了影响生产力进步的两个因素:技术进步和技术效率.  相似文献   
85.
用简单的真空热蒸发纯Zn粉工艺,在顺逆气流不同的情况下,直接在硅片上生长出比较定向的单晶ZnO纳米杆阵列.用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、高分辨透射电镜(HRTEM)和室温光致发光谱(PL),研究了ZnO样品的结构、形貌和光学性质.结果表明:ZnO纳米杆为具有六方纤锌矿的单晶结构,纳米杆沿着[0001]的方向生长,顺气流时顶部为完整六边形,逆气流时顶部为六棱锥.这种顶部形貌的不同,是由于顺逆气流对应不同的锌蒸汽压而引起的.光致发光谱表明制备的ZnO纳米杆具有较好的绿光光学性能.  相似文献   
86.
系统仿真技术是一门多学科的综合性技术。本文阐述了系统仿真技术的概念,并分析利用系统仿真技术结合3D人物角色模型建立仿真定向运动系统。基于系统仿真技术的定向运动,让学生有一种身临其境的现实感,提高学生的学习兴趣,使学生更加深入地理解定向运动。  相似文献   
87.
瓦斯抽放水平长钻孔定向施工技术   总被引:3,自引:0,他引:3  
为了解决长钻孔弯曲及塌孔问题,在分析钻孔弯曲的影响因素和弯曲机理的基础上,提出了优化组合钻具的施工方案,设计了套筒式稳定器及锥形刮刀钻头,并在鹤岗南山矿试验应用.结果表明:采用组合式钻具钻孔平均深度较改进前增加了71.92 m,瓦斯抽放稳定.  相似文献   
88.
分离型激光启动靶光电探测系统及信号处理电路   总被引:12,自引:1,他引:12  
介绍了一种用作分离型激光启动靶的光电探测系统及信号处理电路.半导体激光光源经准直、扩束形成激光光幕,再经距光幕一定距离(3—5m)外的具有原向反射特性的微珠玻璃屏反射回来后经球面反射镜的会聚由光电探测器接收.当弹丸飞越光幕后,光电探测系统可以获取弹丸过靶信号,实现对弹丸运动的研究.章给出了56式7.62mm弹丸实测波形.结果表明该系统有效靶区大,使用灵活方便,适用于大口径或弹道散布较大的弹丸速度的测量,也可用做其它设备(如狭缝相机等)的触发信号源.  相似文献   
89.
本文研究了在一维三态周期跳跃模型下分子马达定向运动的瞬态过程,对于给定的任意初始分布,得出了与时间有关的几率分布的解析表达式,包括到达稳态之前的所有的瞬态过程,由此可获得马达在各个时刻的漂移速度和扩散系数,这是与对时间有关的两态模型的一上推广,同时还计算了马达到达稳态所需要的特征时间,并把结果同实验及其他计算结果进行了比较,与实验值符合的较好。  相似文献   
90.
工艺参数对碳纳米管定向薄膜生长的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了生长出高质量的定向碳纳米管薄膜 ,研究了反应时间、反应温度等工艺参数对薄膜生长的影响。试验采用二甲苯为碳源 ,二茂铁为催化剂 ,在石英基底上催化裂解生长碳纳米管定向薄膜。通过扫描电子显微镜 (SEM)和透射电子显微镜 (TEM)观察表明 ,得到的薄膜是由定向性良好的多壁碳纳米管 (MWNTs)组成 ,管径为 2 0~ 5 0 nm。反应时间对定向生长的碳纳米管长度有决定性影响 ;随反应时间的增长 ,定向性更好。同时 ,较适合碳纳米管薄膜定向生长的反应温度区间为 10 5 3~ 1113K。而反应温度和反应时间对薄膜中碳纳米管的直径无明显影响。  相似文献   
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