运用遗传算法的深亚微米输出缓冲器优化设计方法

分析了小尺寸效应对深亚微米器件性能的影响，结合输入输出耦合电容和漏极扩散层寄生电容对CMOS反相器延迟影响很大的特点，建立了小尺寸器件延时估算模型．采用变尺寸率反相器级连方法，建立了深亚微米输出缓冲器优化设计模型，并运用遗传算法建立了新的优化方法．该方法利用罚函数将小尺寸输出缓冲器优化问题转化为无约束问题，通过适应度函数设计和染色体编码，得到遗传优化结果，克服了传统方法处理非线性多变量问题时存在的效率降低等缺陷．SPICE仿真表明，应用新的深亚微米缓冲器设计模型及方法的优化结果与传统设计比较，延时减少了1个数量级以上，尺寸减小了30%以上，验证了新的深亚微米缓冲器设计模型及设计方法的可靠性．     

超高精度定位系统及线性补偿研究

依据一个带有宏定位和微定位的超高精度定位系统设计，应用弹性力学理论进行精定位台的静、动参数的分析和估算，确定了系统的自然频率，并由此设计出双伺服环的控制系统。控制系统由2根循环滚珠丝杠构成宏定位，3个压电驱动器构成微定位。在系统软件中，采用Chebyshev数字滤波器进行去噪，使整个定位系统控制在200mm的行程中，其定位精度达到了8nm。对于由压电驱动器（PZT）的迟滞和非线性特性而产生的系统重复运动误差，系统采用EMM（Exact Model Matching)控制策略，最终实现正向和反向运行的误差量比补偿前降低5倍以上，使得正反向运动几乎落在同一曲线内，实现了对压印光刻工艺集成电路制造中的高精度定位要求。     

玻璃陶瓷基板上铜薄膜的化学气相沉积

使用低介电常数基板和高电导率、高抗电迁移的金属Cu进行布线,可以提高高密度电子封装的传输速度和可靠性。采用乙酰丙酮铜作为前驱体,在常压下利用化学气相沉积技术对玻璃陶瓷基板进行Cu薄膜金属化。利用热重分析、X射线衍射和扫描电子显微镜等技术对前驱体、Cu薄膜进行分析观察。结果表明:影响Cu导体的电阻的主要因素是沉积温度。在温度为290～310℃,N2气流量为200～350mL/min和H2气流量为450～600mL/min的条件下,获得了致密的Cu薄膜,Cu导体方块电阻为25mΩ。     

语言型导线检测仪器的语音化原理及应用

利用单片机和语言电路技术设计的语言型导线查对检测仪，它可快速、准确地对导线与地短路、导线开路、导线间短路等进行查对和检查．     

VDMOS—NMOS兼容功率集成电路结构

提出一种完全新型的ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ全兼容功率集成结构的设计方法。该结构采用与ＶＤＭＯＳ工艺兼容的对接沟道结构形成ＮＭＯＳ器件，利用ＶＤＭＯＳ工艺中ｐ＾＋区反刻过程形成ＮＭＯＳ器件的有源区，利用ＶＤＭＯＳ工艺中刻双扩散口有成ＮＭＯＳ器件的栅区及多晶性互连线。     

面向21世纪的世界集成电路工业

1958年世界上第一块采用全平面工艺研制的硅集成电路(IC)问世，由此揭开了人类社会进入“硅器”时代的序幕。30多年来IC技术的发展迅猛异常，已经完成了小规模集成电路(SSI)、中规模集成电路(MSI)、大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)的发展阶段，目前正在进入特大规模     

表面张力与丝网印刷精度

随着大规模集成电路的发展,高密度封装技术越来越受到人们的重视。厚膜金属化布线是封装的一个重要形式,提高封装密度要求减小布线宽度,提高丝网印刷精度,实现微细布线。 丝网印刷对厚膜浆料有着一对相互矛盾的要求,一方面从形成的厚膜和线条外观质量考虑,要求浆料具有好的流动性以消除线条上的丝网痕迹,得到表面和边缘光滑的布线;另一方面从线条分辨率考虑,希望提高浆料粘度,降低流动性,否则浆料易于向外扩展导致图形分辨率的降低,并造成线条的短路。目前实现微细布线广泛使用的方法是提高厚膜浆料的触变性,并加入表面活性剂改善浆料的流动性。有关丝网印刷精度和流变性的关系已有较多的研     

微波单片集成电路及其发展趋势

讨论了微波集成电路的发展过程，特点，材料和元件，它的设计，制造，应用以及国内ＭＭＩＣ发展概况。     

微电子技术的进展与展望

讨论分析了近几年国内外硅微电子和ＧａＡｓ微电子生产与技术的进展，并对未来微电子的发展进行了展望。     

试论现代电视接收机结构之基本特征

以集成电路为主流的现代接收机，以其更复杂的电路结构，换来愈加完善的功能和更趋完美的声像质量．原理的相似性和结构的多样性是现代接收机的总体特征．