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31.
单光子发射断层成像散射解析模型的快速算法   总被引:1,自引:0,他引:1  
为校正单光子发射断层成像(SPECT)中Compton散射的影响,对投影过程进行了解析建模计算。对相机参数进行预计算形成查找表,结合初始放射源活度和散射媒质分布计算得到投影中的原发光子和一次散射光子分布。用数论方法计算查找表中的高维数值积分,使计算速度提高。分别用解析建模方法和Monte-Carlo程序对均匀模型和胸腔模型进行投影计算,比较其相对误差、归一化方差和计算时间。结果表明:解析建模方法的精度与Monte-Carlo方法相当,而计算速度快8倍,可以满足临床需求。  相似文献   
32.
2003年5月25日,就在我国第一颗中容量通信广播卫星——“东方红三号”在轨运行投入使用6年后,我国又成功发射了第三颗“北斗一号”导航定位卫星。  相似文献   
33.
目前在广泛应用的核反应统计理论模型计算程序中从来没有考虑到非稳定核5He的发射, 这些程序是用来解释实验数据和评价核数据的有用工具. 然而, 对从轻核到重核所计算的5He发射阈能结果可以看出, 在大多数情况下, 入射中子形成的复合核发射5He比发射3He要容易. 由于5He是非稳定核, 它自发分裂为一个中子和一个α粒子, 因此, 在5He的发射过程中总是伴随中子的产生. 建立了5He发射后两体崩裂过程中产生的中子和α粒子的双微分截面计算公式表示. 因为5He发射存在比较强的核反冲效应, 为满足核工程需要, 核反应能量平衡被严格考虑. 提出了对于统计理论模型计算程序在该方面的改进建议. 另外, 期待同时测量5He发射中产生的中子和α粒子的关联测量实验的实现, 以证实5He发射机制的存在.  相似文献   
34.
自从发现多孔硅室温发射可见光现象以来,硅基纳米结构第Ⅳ族半导体发光研究引起了广泛关注。这不仅可以使传统的、成熟的硅平面工艺直接应用于光电器件中去,而且为介观系统新现象、新规律研究提供了一个理想的研究体系。由于SiO_2在硅集成电路中应  相似文献   
35.
以复源点所产生的高斯波束场来模拟高效率馈源HE^-11口径的辐射,馈源辐射近区内环焦副反射面的散射场可由复射线追踪法求得。作者在该文中给出馈泊位置及馈电方向沁定量通用的费马原理表达式及散射场表达式,通过数值计算给出散射场分布结果。这一方法可用于环焦天线的分析与优化设计。  相似文献   
36.
提出了一种用于刀具破,磨损监测的新型非接触声发射传感器,它直接利用空气作为声发射信号传导介质,便于安装使用,实验证明,该传感器具有较高的灵敏度和抗干扰能力,并可应用于其它声发射监测的场合。  相似文献   
37.
通过舰载导弹垂直发射装置对燃气冲击响应的实验测量,给出了发射装置压力室典型位置的频响函数,对发射装置燃气流和压力室的振动特性有了更清楚的了解.  相似文献   
38.
根据波束等价和采样合成定理,对由若干同心圆环构成的二维非线性参差调谐宽带阵列换能器,进行波束优化计算机模拟.结果表明,给定一个期望的波束分布,通过计算机模拟运算,可获得环形参差阵的一组结构参数,其波束分布与给定的波束分布在误差范围内一致  相似文献   
39.
研究了倒金字塔填充型锥尖及正向刻蚀硅尖的制备方法,工艺及封装方法等,并分别测试了这两种场发射尖阵列的电子发射特性,分配表明倒金字塔填充型锥尖适用于制备高频器器件,正向刻蚀的硅尖适用于制备高速开关器件。  相似文献   
40.
功能覆盖膜对场发射阵列(FEA)电子发射性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了寻找适合真空微电子器件的场发射阵列(FEA)覆盖材料,我们采用了一系列功能材料作为覆盖膜,薄膜淀积采用离子束辅助淀积(IBAD)以及其它淀积技术。在10^-6Pa下测量具有不同覆盖膜的硅FEA二极管的I-V特性,测量结果表明除Au和Mo外,其它覆盖材料都对FEA电子发射性能有改进,经TaN覆盖的FEA发射电流最大。由F-N曲线估算出有效表面功函数和有效发射面积,从而说明以上所得的实验结果。  相似文献   
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