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81.
本文分析了图像引擎粒子系统的传统实现方法的优劣,提出了一种称为发射源&影响者(E&AMode)的图像渲染模式,该模式实现了粒子系统模拟效果的多样性,粒子运动状态的动态性和结构设计的灵活性.本文介绍了新模式的基本结构、算法思想和实现方法.试验结果表明,发射源&影响者模式能够实现粒子属性的灵活设置,粒子运动状态的动态改变和模拟效果的多样性. 相似文献
82.
在声发射的实际应用中,采集的声发射信号很多都是经过不同界面传输的,其传播特性也受到不同程度的影响,其中通过螺栓紧固联接平面界面传播是最常见的一种。分析了引起声发射信号衰减的各种原因,采用成都动科信号采集卡及其相应的分析系统,模拟设计几组螺栓紧固联接平面试件来进行声发射信号传播特性研究。初步分析研究了在表面粗糙度、压力、接合面介质等不同条件下声发射信号通过螺栓紧固联接平面界面传播后的衰减情况,为声发射检测复杂结构设备具有重大参考意义。 相似文献
83.
成功制备了结构为ITO/PDDOPV/PPQ/Al的异质结聚合物发光二极管 ,其中PDDOPV是一种空穴型聚合物材料而PPQ是一种电子型聚合物材料 .该器件在正反向偏压下均可发光 .在正向偏压下的光发射主要来自PDDOPV ,但在反向偏压下的光发射则包括来自PPQ的蓝光发射和PDDOPV的黄光发射 .蓝光强度与黄光强度的比值随着反向偏压的增加而增加 .提出了加速电场的概念 ,并在此基础上从理论上分析了蓝光强度与黄光强度的比值随反向偏压的增加而增加的发光机理 ,指出了决定这一比值的主要因素 . 相似文献
84.
采用OMA-4000测量了SiH_4射频辉光放电等离子体的光发射谱,研究了其谱线强度随放电射频功率和反应气体流量间的变化关系。结果表明:在放电射频功率增加和反应气体流量升高的过程中。其等离子体状态分别发生了性质不同的转变,这种转变联系到射频功率耗散机制的变化。当反应气体流量增加时,电子获得能量的机制由阴极暗区加速转变为等离子体内电场的加热效应;而在放电功率升高的过程中,离子轰击阴极产生的二次电子发射效应导致了光发射谱强度急剧增强的转变。 相似文献
85.
介绍了一种新型的专为阴极研究设计的与俄歇能谱仪(AES)相连的脉冲激光沉积(PLD)装置,本装置可以实现阴极薄膜的快速制备,测量发射性能和原位分析表面成分。简述了此装置在研究阴极表面发射机制最新应用。 相似文献
86.
为解决防空作战中舰炮对空射击火力分配问题,综合考虑舰炮武器的作战能力和空中目标的威胁态势,结合武器目标分配和射击时机分配,采用动态火力分配研究方法,重点分析了射击时机对毁伤概率的影响。结合权重函数与毁伤概率P(t)的分布律,最终计算出了射击时机目标函数和射击时机分配模型。该研究成果对于舰炮对空射击的理论分析和实际运用提供了参考。 相似文献
87.
迭代重建算法已成为PET的标准重建方法,其系统响应矩阵实现图像空间和投影空间之间的映射关系,是迭代重建算法的关键.面向list-mode断层重建,以优化Siddon算法为基础,实现了一种敏捷的正交距离射线追踪方法,实时计算系统响应矩阵,生成近似高斯形的LOR线,有效建模了探测器响应函数.结果表明该算法在重建精度和效率之间达到较好的平衡,满足了list-mode断层重建的需求. 相似文献
88.
依据荧光发射谱谱线强度正比于激发态粒子数原理,通过测量不同激发态能级所发射荧光谱线的相对强度,对Ne气脉冲电晕放电等离子体平均电子温度随峰值电压、样品气压的变化以及有效电子温度的时间行为进行了实验研究.结果表明,平均电子温度随放电峰值电压、样品气压均呈现近线性的变化趋势;而有效电子温度随时间变化先于脉冲电晕放电电流的变化. 相似文献
89.
边坡因失稳而发生滑坡灾害会造成严重的人员伤亡和经济损失,为探究岩质边坡失稳破坏机理,进而对边坡进行针对性治理。本文以贵州省境内某高速公路边坡为研究对象,通过单轴压缩试验分析了该边坡的岩层岩性,并利用真实破坏过程分析方法(realistic failure process analysis)对该岩质边坡进行了数值模拟。研究表明:破碎带对边坡稳定性影响显著,支护前后边坡滑移面均出现在破碎带与基岩的接触面。锚索支护极大地提高了边坡的安全系数,无支护时边坡安全系数为1.1,边坡较不稳定;支护后边坡安全系数为1.64, 边坡稳定。边坡失稳破坏过程伴随着声发射能量的变化,支护前后均表现出缓增-激增-平缓的演化规律,因此,边坡发生灾害过程可以通过能量监测实现预警预报。研究结果对贵州省高速公路边坡失稳机制的研究和滑坡灾害防治具有重要的指导意义。 相似文献
90.
《西安交通大学学报》2017,(11)
以MgO薄膜、MgO/Au复合薄膜作为二次电子发射材料的研究对象,利用持续电子束轰击薄膜的方式,研究了二次电子效应与时间的变化规律。通过测试样品时间的指数衰减,电导率和介电常数对衰减速率的影响,建立模型假设来研究二次电子发射的机理,提出了潜在电子的概念及平板电容模型;以此模型为基础进行分析推导,建立了二次电子发射过程理论模型,得出了诱导电流和二次电子发射系数实验值的表达式,与实际样品测试结果的趋势一致,二次电子发射材料性能的衰减速率与薄膜电导率正相关,验证了所提理论模型能很好地解释介质薄膜二次电子发射的衰减机理,有助于提高二次电子发射材料的衰减性能,为改进工艺和研发新型介质薄膜材料提供了一定的理论指导。 相似文献