利用扩展TLM研究内置带孔隔板结构的箱体屏蔽效能

基于扩展的传输线方法,对内置带孔金属隔板的带缝箱体,建立了平面波照射下腔体屏蔽效能的等效电路模型,推导出屏蔽效能的计算公式,屏蔽效能的计算结果与CST软件仿真结果进行对比,验证了扩展的传输线方法计算的可行性.分析了金属隔板上圆孔的尺寸及位置对电场屏蔽效能的影响,以及金属隔板的位置对测试点的屏蔽效能的影响,结果表明圆孔直径越小,位置离开隔板中心的距离越大,屏蔽效能越高,谐振频率向下偏移量越大;隔板位置的变化会造成箱体谐振频率的偏移,隔板距离孔缝面越近,谐振频率向上偏移且偏移量越大.基于单缝单孔的箱体,对含有多缝多孔的复杂箱体进行分析,结果表明增加孔和缝的数量会使屏蔽效能增大,孔数量的改变也会使谐振频率产生偏移.     

传感器信号远距离传输技术

在很多情况下，测控系统距离传感器现场较远，传感器信号需要远距离传输．本文从应用的角度，研究了传感器信号远距离传输时，信号形式的选择与信号形式的转换方法．传输线引起的信号畸变与抑制技术，对传感器远距离供电时的稳压方案。     

多芯片组件的互连与灵敏度分析

特性尺寸的减小、系统复杂性的增加和工作速度的提高已使互连成为影响电路性能的重要因素,因此如何快速而有效地进行互连分析是很重要的．在对传输线进行分析后发展了一种用ＡＷＥ对含耦合传输线的电路进行分析的方法．通过把矩阵指数函数展开可以方便地求出应用ＡＷＥ方法时需要求得的系数．该方法仅需进行矩阵的加法、乘法运算和一次ＬＵ分解,能快速而有效地求取含多根耦合传输线的互连网络的瞬态响应．在电路设计中灵敏度很有用,因为它是优化、统计分析、可靠性分析和面向性能设计的基础．将该方法推广应用于灵敏度分析得到了一种求取灵敏度的新方法．与传统的ＳＰＩＣＥ方法相比,该方法是高效的．     

传输线阻抗匹配的分析与设计

介绍了传输线的基本特征以及信号线视为传输线的具体条件。指出了传输线阻抗匹配的数学物理模型及阻抗计算公式。以高速收发器中的传输背板为例,不仅详细介绍了背板传输线阻抗匹配的设计过程及参数计算方法,而且结合生产实际,总结出PCB工艺对特征阻抗的影响。对传输线阻抗匹配问题的分析与设计提供了重要参考。     

一种计算有损均匀传输线正弦稳态解的方法

由偏微分方程描述的均匀传输线至今还未有一种通用的求解方法,因此众多学者对传输线的理论问题仍在不断的探索和研究,其中均匀传输线稳态解的计算也是所研究的内容之一.提出了另一种计算有损均匀传输线正弦稳态解的方法.首先建立有损均匀传输线的复频域模型,解得线上电压电流在任意激励下的复频域解,随即得到关于线上电压电流的网络函数.然后根据网络函数与系统频率特性的关系,得出线上电压电流在正弦激励下的稳态解,最后通过计算实例验证了该结果的正确性.     

基于PSPICE建模仿真方法研究传输线网络时域响应

为研究注入式电磁脉冲对端接负载的传输线网络的耦合规律,以典型的环形网络和树形网络为研究对象,基于PSPICE建模仿真方法,研究方波脉冲在传输线网络中的时域响应. 对端接电阻负载的同轴线网络瞬态响应的实验结果、BLT方程求解结果、PSPICE仿真结果进行了对比分析,表明了PSPICE方法与BLT方程求解结果及实验结果具有很好的一致性. 针对BLT方程方法在求解电容、电感负载及非线性负载上存在计算复杂、较难求解的问题,利用PSPICE建模仿真方法对端接电容负载的环形同轴线网络、端接瞬态抑制二极管的树形同轴线网络和多芯线缆网络的方波脉冲瞬态响应进行了仿真,与实验结果具有较好的一致性. 这些结果验证了PSPICE建模仿真方法在解决电磁脉冲对端接线性、频变及非线性负载的传输线网络时域响应的有效性.      

一种双层介质及MIS结构微带传输线传输常数的全波分析方法

推导了双层介质微带传输线的电场积分方程,用电场积分方程法计算了单层、双层无耗或有耗介质以及MIS结构的微带线的复传输常数,并与其他方法、实验结果作了比较。     

大型Z箍缩装置中心汇流区电感计算

为了快速估算大型Z箍缩装置中心汇流区电感，研究Z箍缩装置电功率和能量传输效率的规律，对Z箍缩装置中心汇流区做近似处理，给出了绝缘堆、真空喇叭口、真空磁绝缘传输线、汇流柱等部件电感近似计算公式，建立了一种快速估算Z箍缩装置中心汇流区电感的方法，获得了中心汇流区电感与电气参数(绝缘堆峰值电压)和结构参数(中心汇流区半径及分层数、真空磁绝缘传输线倾角)的定量关系。在此基础上，建立了典型Z箍缩装置简化电路模型，实现了从中心汇流区结构参数→电气参数→输出电流的自洽电路模拟，获得了中心汇流区分层数及半径对Z箍缩装置短路电流的影响规律。计算结果表明：所提电感计算方法获得国际典型Z箍缩装置的中心汇流区电感与文献最大误差为3.3%;中心汇流区电感随分层数增大而减小、随半径先减小后增大，存在使中心汇流区电感最小的优化半径。所提方法可为同类型Z箍缩装置的设计提供理论参考。     

基于Verilog-A的深亚微米GGNMOS ESD保护器件可调模型研究

针对深亚微米工艺实现的GGNMOS器件推导分析了其相关寄生元件的工作机理和物理模型,并基于Verilog-A语言建立了保护器件的电路仿真模型.详细讨论了保护器件寄生衬底电阻对保护器件触发电压的影响,进一步给出了衬底电阻值可随源极扩散到衬底接触扩散间距调节的解析表达式并用于特性模拟,仿真结果与流片器件的传输线脉冲测试结果吻合.     

基于传输线理论的电磁波反射系数正交分析研究

分析电磁参数对电磁波反射系数R的影响是电磁波屏蔽吸波研究的热点之一。考虑到影响电磁波反射系数R的因素很多,同时研究多个因素而成为关键点。在前人学者基础上,基于传输线理论,利用正交试验设计进行安排试验,分析研究电磁参数的四个因素以及电磁波频率f、吸波层厚度d六个因素对反射系数的影响。模拟实验结果表面： 对电磁波的反射系数R的影响大小分别为吸波层厚度d、相对复磁导率虚部 、相对复磁导率实部 、相对复介电常数虚部 、电磁波频率f、相对复介电常数实部 ;在X波段区间内,吸波层厚度d对电磁波反射系数具有显著影响,而相对复介电常数实部和虚部、相对复磁导率实部和虚部、电磁波频率产生影响,但不够显著。