门城煤柱开采可行性分析

本文在大量实验等工作的基础上,对门城煤柱开采可行性程度进行了详细的分析和论证,着重指出煤柱开采合理方案中值得重视的支承压力峰值、刀柱合理宽度、悬板极限跨度等重要参数。     

a—si pin太阳电池势垒宽度和结电场分布的计算

本文采用自恰法及数字积分运算,对两种不同基体的Pin无定形硅太阳电池的势垒宽度和结电场分布做了计算。所得结果不仅与文献[1]所报导的结电场分布规律相一致,而且与文献[2]所报导的实验值很接近,这就为a—si太阳电池的最佳设计提供了一种新的计算方法。     

旋喷泵的理论扬程和叶轮的优化设计

论述了旋喷泵的理论扬程是叶轮的理论扬程，其集流管的作用是使得叶轮出口液体的动能转变为压力能。根据旋喷泵扬程。流量曲线特点，提出了旋喷泵叶轮的优化设计数学模型、叶轮优化设计方法及水力参数的设计原则。依此方法，进行了实例计算。     

铁乳胶室簇射转换曲线半宽度与强子／γ分辨

利用中日合作西藏甘巴拉山铁乳胶室的实验数据，研究了级联转换曲线及其半宽度（ＦＷＨＭ）的性质，讨论了利用半宽度分布将起始点深度面△ｔ＜６ｃ．ｕ．的簇射事例中强子与γ区分开来的可能性，并由此提出一种联合判选标准，这种标准提高了铁乳胶室强子的判选效率．     

利用谱线的多普勒展宽测定等离子体离子温度

本文论述了利用研制的谱线线形快速扫描仪测定HT-6B托卡马克等离子体离子温度的原理和方法。通过测定OV2781线的多普勒宽度,得到的离子温度约为40eV。     

电腐蚀法制备n-Bi_2 S_3光电极

电腐蚀法是以金属腐蚀原理为基础的。它是一种极为简便的制备光电报的方法。对于n—Bi_2S_3光电极的制备,只要将镀有铋的金属或导电膜放在电腐蚀液(硫化物电解质溶液)中,加上一定的电压,便可在金属基板或导电膜上形成一层具有光电性的硫化物沉积物,此即n—Bi_2S_3,且有半导体性能,其禁带宽度为1.22ev。它在一定的电解液中具有较好的稳定性,我们对n—Bi_2S_3电极进行了初步的研究,发现在光的长期照射下,光电性基本不变。     

R上Sobo1ev类由二重样本的最优插值

本文研究Sobolev类Wpr在Lρ(R),1相似文献   

综放沿空异形煤柱留巷系统力学场演化规律

研究了不同煤柱宽度时综放沿空异形煤柱锚网支护留巷系统围岩应力分布和破坏特征. 揭示了煤体边缘水平应力和垂直应力峰值不耦合的规律以及巷道顶板应力峰值随煤柱宽度不同而演化的轨迹. 深入探讨了综放沿空留巷岩石力学系统的控制变量,并根据控制变量的取值对系统稳定性区域进行了划分,对不同煤柱宽度时的巷道系统稳定性进行了综合分析和评价,对综放沿空留巷合理护巷煤柱宽度提出了建议. 提出并实施了"以加固沿空异形煤柱为主、悬承锚网支护留巷圈为辅"的综合控制技术.     

Co掺杂对Zn1-xCoxO稀磁半导体光学性质的影响

溶胶-凝胶法制备了Co掺杂的ZnO基稀磁半导体,研究其粉体和薄膜的结构和光学特性.X射线衍射结果表明Co2 随机替代Zn2 位置进入ZnO晶格,并引起晶格常数的变化.紫外-可见透射光谱表明样品的禁带宽度随着Co掺杂浓度的增大呈现非单调变化规律,低浓度掺杂样品的光学带隙随掺杂浓度增大而减小(红移),这是由于Co2 替代Zn2 ,局域d电子与能带电子之间的sp-d交换耦合引起的.     

EDT毛化轧辊表面凹坑形成过程

针对轧辊表面电火花毛化过程中放电中心温度的变化、凹坑形状与电参数的关系等问题进行了研究.通过分析放电通道形成过程和热流密度分布函数,采用解析法建立了单个脉冲放电通道的热传导模型,并运用积分变换法和有限差分相结合的方法进行了温度场求解.讨论了轧辊表面在不同峰值电流下放电区域中心位置的瞬态温度变化,确立了峰值电流和脉冲宽度与熔化凹坑形状的关系.结果表明,理论计算值与实验结果相吻合,所建模型与采用的方法正确,可用于轧辊表面形貌形成过程的仿真.