非常返Markov链的比率极限

比率极限是Markov链理论中人们比较关心的问题之一．Doeblin‘s ratio定理给出了常返Markov链的比率极限limN→∞∑n=0^NPij^(n)/∑n=0^NPkh^(n)=1/gjh,本文对非常返Markov链，给出了用fij，gjh,fjh和fkh表示的比率极限，使这类问题的结果更趋于完备．     

平面布朗运动首中带形之分布

首中时是近代马氏过程的一个重要概念．作为强马氏过程的布朗运动，其首中某集的时间或位置的分布对于研究质点运动以及位势论中的Didchlet问题与平衡问题都有重要意义．球面的首中与末遇分布在六几年就已解决，1981年白苏华等在文献[1]给出了平面布朗运动首中椭圆的分布，本文用类似方法求出平面布朗运动首中带形之分布。     

水解法制备高吸水腈纶正交实验

对腈纶纤维的水解工艺进行研究．正交实验结果表明，实验范围内，水解时间是影响腈纶纤维吸水率的关键因素，随着时间的延长，吸水率增加；水解温度80℃时吸水率较高；NaOH浓度对水解腈纶的吸水率也产生较大的影响．温度、时间和NaOH浓度都会对纤维白度产生影响．     

利用SPOT5数据制作正射影像图并辅助更新土地利用现状图的方法

对利用SPOT5卫星数据制作正射影像图的方法进行了研究，并以扬中市为例，对使用正射影像图辅助更新土地利用基础图件的可行性进行了探讨。研究发现此方法易于掌握，辅助更新效果显著。     

含苯并三氮唑的三脚架化合物及其配合物研究

合成了两个新的三脚架结构化合物；1，1，1-三（1-苯并三氮唑基甲氧甲）丙烷（A）和三[2，1-苯并三氮唑基甲氧基）乙基]胺（B），获得了它们和一些过渡金属离子形成的配合物，并用元素分析，红外光谱，摩尔电导和热分析等手段对其进行了表征。     

一类新的液晶性芳香羧酸化合物的合成

合成了一系列新的液晶性芳香羧酸化合物，化合物的结构通过元素分析、红外光谱、核磁共振波谱和质谱等方法确证。化合物5的液晶行为用示差扫描量热法(DSC)和偏光显微镜(POM)表征。发现化合物5加热至各自的熔点以上都能形成液晶态，在液晶态可以观察到向列相的丝状织构和纹影织构，随分子中末端烷氧基碳原子数增加，化合物5的熔点(Tm)和液晶态的清亮点(Ti)呈规律性变化，液晶态温度范围变宽。     

丁烯二酸二异辛酯生产工艺的改进

通过系列的实验，研究了催化剂，反应温度和操作压力对酯化过程的影响，找出了适宜的反应条件，改进了丁烯二酯二异辛酯酯化过程的生产工艺，并扩大生产。     

压电材料反平面应变问题的逆解法

对物理连续的压电材料反平面应变问题，提出了一个逆解法，将其机电耦合行为转化为两个完全相互独立的应力和电位移的边值问题，由此得出，凡物理连续的普通材料反平面应变问题的已知结果（剪应力），皆可作为压电材料相应问题的结果，而不必再费力求解．     

光照对玉米苯丙氨酸解氨酶活性的影响

在自然光照下玉米叶片内PAL活性呈周期性变化，光一方面可以启动和激活PAL活性，另一方面可以促进PAL-I的合成，使PAL活性达到一定峰值后开始下降，在连续光照下，光对PAL活性也同样具有双重影响，使PAL活性产生24h循环节奏波动、在连续黑暗中PAL活性表现较稳定的低水平。     

Interface bond mechanisms of ceramic-cemented carbide compact insert

Conclusion Ceramic-cemented carbide compact inserts have been developed by hot-pressing sintering techniques, the upper part of the compact insert is of Al₂O₃ + TiB₂ ceramic material, while the base part of the compact insert is of WC + Co cemented carbide. The compact insert makes full use of the advantages of the high hardness of ceramic materials and the high strength of cemented carbide, and its mechanical properties are just between that of Al₂O₃ + TiB₂ and WC + Co. SEM, XRD and electron microprobe analysis showed that element diffusion and formation of new phases are the main causes for the bond of Al₂O₃ + TiB₂ with WC + Co in the interface.