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71.
分层土壤参数是影响交直流互联系统直流电流分布的重要因素.将各层土壤的电阻率及厚度作为自变量,变压器中性点的直流电流作为因变量,利用二元函数的三维曲面及等值线来描述变压器中性点直流电流与各层土壤参数的关系;基于此,研究多层土壤参数同时变化时,交直流互联系统直流电流分布与地理位置的关系.结果表明:变压器中性点的直流电流分别与第l层土壤电阻率比厚度、第2层土壤电阻率乘厚度、第3层土壤电阻率比厚度相关;当第1层土壤电阻率取最小值、厚度取最大值,第2—4层土壤电阻率全部取最大值、厚度全部取最小值时,各站点变压器中性点的直流电流相对较大;距离接地极越远,不同站点变压器中性点的直流电流差距越小.  相似文献   
72.
目的基于TiO2光催化性能的染料敏化改性,采用噻吩醛和邻苯二胺缩合反应,合成1-(2-噻吩亚甲基)-2-(2-噻吩基)苯并咪唑及其配合物。方法在稀土金属盐模板剂的作用下,合成得到了1-(2-噻吩亚甲基)-2-(2-噻吩基)苯并咪唑。结果合成了目标产物及其相应的配合物,并且通过单晶结构进行结构表征,用元素分析,红外,热重,固体荧光等进行性质表征。结论在配体合成方法上有一定的创新和突破,该制备方法简便易行,且产物较纯,无副产物,产率高,没有环境污染。  相似文献   
73.
员工创新活动是组织创新的核心要素,组织创新气氛是影响员工创新行为的重要的环境因素之一,而组织创新气氛影响员工创新行为的机制是研究的重点,在分析组织创新气氛和创新行为相关理论的基础上,提出假设,认为员工目标取向对组织创新气氛和员工创新行为的关系有调节作用。同时,剖析现实背景,以计划行为理论为理论基础,提出另一假设,认为员工心理资本在组织创新气氛和员工创新行为的关系中起到中介作用。  相似文献   
74.
不锈钢因其良好的耐腐蚀性能而被广泛应用于各领域,本文介绍了不锈钢中常见的C、Cr、Ni、Si、Mn、Mo、N等合金元素各自对其组织及性能的主要影响与作用,而当这些合金元素同时存在时,不锈钢的组织及性能则取决于他们影响的总和。  相似文献   
75.
针对目前基于区块链的身份认证方案存在节点性能损耗严重的问题,提出一种基于双共识混合链的跨异构域身份认证方案。采用多因子分析方法对基于综合性能的Raft共识算法进行优化,实现了对节点综合性能的合理评估;选出综合性能优异的节点作为跨域节点,可避免因跨域节点性能不佳而引起的系统故障。该方案结合实用拜占庭容错共识机制并引入监督节点,增强了认证系统的拜占庭容错能力,解决了因恶意节点导致的域内错误认证问题。利用SM9广播密码算法对认证过程中的通信数据进行加密,实现了系统的双向认证和保密通信,确保了系统的安全性。实验表明:该方案的双共识认证机制相较于单一共识认证机制,具有较强的拜占庭容错能力和较高的吞吐量,不但能使系统更加安全稳定,而且减少了单对单加解密计算操作,降低了系统的计算开销和时间开销。  相似文献   
76.
针对一类严格块反馈型不确定非线性系统,采用反步设计方法提出了一种新的基于滑模状态观测器的L1自适应控制方案。由于系统状态不完全可测,首先设计滑模观测器对系统状态进行估计,并分析观测器的收敛性,在此基础上,通过反步法得到系统的理想控制律。为了消除反步控制中的“项数膨胀”,引入非线性跟踪微分器来提取理想控制律的微分信号。为提高系统响应的瞬态性能,消除控制输入的高频振荡,引入L1自适应控制对控制律进行改进,通过理论推导证明了闭环系统的稳定性。最后通过数值仿真算例验证了所设计控制方案具有快速的收敛性、良好的跟踪性等期望性能。  相似文献   
77.
GeSi:H films are prepared by hot-wire chemical vapor deposition(CVD) with high hydrogen dilution, DH=98%. Effects of hot wire temperature(T_w) on deposition rate, structural properties and bandgap of GeSi:H films are studied with surface profilemeter, Raman spectroscopy, Fourier transformed infrared spectroscopy, and UV-VIS-NIR spectrophotometer. It is found that the deposition rate(Rd) goes up with increasing of T_w, but increasing rate of Rd declines when T_w≥1 550 ℃. High T_w is beneficial to the formation of Ge-Si, but it has little effect on relative contents of the hydrogen bonds(Ge-H, Si-H, etc.) in the films. In the T_w range of 1 400-1 850 ℃, the maximum bandgap of the GeSi:H films is 1.39 eV at T_w =1 450 ℃ and the band gap decreases with T_w increasing when T_w≥1 450 ℃.  相似文献   
78.
79.
80.
信息支援法律制度包括信息透明度保障、信息安全保障及信息援助制度。该法律制度的构建是信息社会发展的必然要求。信息支援法律制度能否体现其法的正义、自由、秩序、效率等法律价值,表征着信息支援法能否满足人类信息生存和信息需要的基本性能与效用及其存在的意义。  相似文献   
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