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881.
综述了石墨烯谷电子学的部分研究进展;探讨了在二端石墨烯块材料中产生谷极化电流的可能性.在块材料中,有2种与谷自由度直接耦合的势能:应变产生的赝矢量势和依赖于子晶格的静电势(交错势能).对称性分析表明,仅靠这2种势能的作用不能产生谷极化的输出电流.若将这2种势能分别和普通的磁电垒联合,就能获得显著的谷过滤效应.利用交错势能和磁电垒联合调制产生的谷电流可通过逆谷Hall效应测量.  相似文献   
882.
采用自制脉冲电源,研究脉冲磁致振荡(pulse magneto-oscillation,PMO)对纯铝凝固组织的作用效果,考察浇注温度对纯铝凝固组织细化的影响.实验结果表明,低的浇注温度有利于铸锭中形成适合晶核生存的温度场,增加晶核存活数量,从而改善铸锭的细化效果.  相似文献   
883.
为了用TFTAMLCD作为微型计算机的监视器,根据目前TFTAMLCD屏的水平并基于CGA的显示标准,设计了TFTAMLCD控制模块,该模块包括液晶显示控制器(LCDC)、编码电路、显存等几部分,它能够满足CGA的所有标准,正确接收和支持CPU指令,支持ROM-BIOS例程;能够提供液晶显示组件所需的各种控制信号,尤其是与CRT不同的信号。测试结果表明,利用所设计的控制模块能够用TFTAMLCD取代CRT终端,实现CGA方式的显示。  相似文献   
884.
目的运用量子化学计算为苯乙烯基苯并咪唑染料分子的结构与性质关系,以及染料的设计及合成提供理论依据。方法采用PBE1PBE和B3LYP两种密度泛函理论(DFT)方法及6-31G*极化基组对染料分子进行量化计算。结果对α-甲基-2-取代苯乙烯基苯并咪唑染料系列进行了几何构型全优化,并采用含时密度泛函方法(TD-DFT)计算了分子第一激发态的电子跃迁,计算所得到的最大吸收波长λmax与实验值吻合得很好,在微观上解释了苯环上取代基CH3,OH,Cl,OCH3,N(CH3)2,NO2对分子电荷转移,前线轨道能量和电子光谱的影响规律。结论采用PBE1PBE/6-31G*方法可以计算并预测苯乙烯基苯并咪唑系列染料分子的几何构型和电子吸收光谱性质。  相似文献   
885.
本文根据在林网下垫面测量的温、湿和风速梯度资料,分析了温、湿和风速廓线的相似性及通量特征。结果表明:在林网下垫面弱稳定大气近地面层中(0.10.25时,随Ri增大而增大。廓线参数β_u,β_?和β_w不是常数,而是稳定度参数Ri和L的函数。在Ri=0.25和L=20米附近廓线参数出现间断,两边遵循不同的变化规律。当Ri>0.25时,湍流交换减弱,感热和潜热通量的变化趋于稳定。  相似文献   
886.
以Co2O3和LiOH·H2O为原料,微波加热合成锂离子电池正极材料LiCoO2·考察了微波输出功率、微波加热时间及保温时间对产物结构和组成的影响,用XRD实验对所得产品进行表征·结果表明,当微波输入功率为360W,加热时间为10min,保温时间为10min时,产品是单一相层状结构LiCoO2,晶格常数和标准值一致·SEM实验显示,该反应条件下制备LiCoO2样品颗粒边缘清晰、光滑,颗粒度约为5μm,粒度分布较均匀·对LiCoO2的微波合成机理进行了探讨,结合XRD实验,说明Co2O3和LiOH·H2O反应生成LiCoO2分两步完成·  相似文献   
887.
直接序列扩频通信技术具有抗多径干扰等许多优点,跳频通信技术具有很强的抗部分带宽干扰的能力.结合这两种通信技术的特点,重点介绍了一种由m序列和Walsh函数构成的DS—FH混合扩频系统,该系统利用Walsh函数的频谱特性实现跳频,同时具有直扩技术和跳频技术的优点,并且实现简单.在系统实现中扩频码和跳频图案的产生部分用CPLD来完成,并对此进行了详细的介绍.  相似文献   
888.
通过DSC-TG综合热分析、X衍射分析、线膨胀测试仪、扫描电镜等测试方法研究了ZnO/Na2 O(mol)(Z值)对Li2O-K2 O-SiO2-Al2O3-B2O3系陶瓷结合剂及立方氮化硼砂轮性能的影响,结果发现:ZnO能够抑制α-石英晶相析出,诱导析出低膨胀晶体Li2OAl2O37.5SiO2,并随着Z值的增加,α...  相似文献   
889.
自2004年以来,中央连续5年制定出台5个指导“三农”工作的“一号文件”。在这5个中央“一号文件”政策的有力支持下,一度沉寂的农村重新焕发出勃勃生机。从对5个“一号文件”的解读中,我们不难看出,这5年是我国农业发展最好、农村变化最大、农民得到实惠最多的5年。5年来,吉林省全面贯彻落实中央“一号文件”精神,陆续推出了一系列惠农政策,从根本上调动了农民种粮积极性,使农民确实增收,真正富起来了。  相似文献   
890.
在微传感器系统中,采用多层耐熔金属硅化物互连工艺,克服微传感器与IC芯片单片集成时,铝连线不能承受微传感器制造过程中要求的退火高温,而且此互连结构能在标准CMOS工艺线上加工,降低了制造成本.经流片验证,此互连结构具有台阶覆盖能力强、热稳定性好、电阻率较低、易于干法刻蚀等特点,能满足大规模IC多层互连线要求.由它构成的大规模数模混合集成电路,在退火条件分别为500°C5、h,600°C、30 min,650°C5、min的实验后仍保持性能.以上退火条件符合基于铁电薄膜的微传感器系统单片集成的要求.  相似文献   
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