广义自旋变相过程的最优耦合及其保序性

将最优耦合方法应用到广义自旋变相过程,证明了其最优耦合的存在性,并给出一类特殊情形的显示表达式,还讨论了其保序性。     

腺病毒载体介导胸苷激酶基因/ACV对大鼠脑胶质瘤的离体和活体杀伤作用

建立缺陷型重组腺病毒载体介导的胸苷激酶基因治疗系统（Adtk／ACV）,进行离休和活体治疗大鼠C6脑胶质瘤研究．将质粒pAdtk与pJM17共转染腺病毒包装细胞──293细胞,同源重组后制备纯化的Adtk并以PCR证实;Adtk对离休C6细胞的杀伤作用随着Adtk滴度和ACV剂量增加而增强,并有旁观者效应,而未转染C6细胞和AdLacZ转染C6细胞均未被杀伤;扫描电镜下见Adtk／ACV处理的细胞呈明显病理改变;ACV可有效杀伤Adtk／C6细胞．在大鼠脑立体定向仪引导下于右额叶接种2×106个C6细胞,分别于第3,6,8和10天原位注射Adtk,同时腹腔注射ACV（100mg／（kg·d-1））,3d组、6d组、8d组大鼠成活期在90d以上,组织学检查未发现肿瘤细胞．10d组成活期（28．5±4．6）d,而C6未治疗组和AdLacZ／ACV治疗组成活期分别为（1．8±3．1）d和（14．0±2．2）d．本文建立的Adtk／ACV在离体和活体水平对大鼠C6脑胶质瘤有强烈的杀伤作用,效果确实,应用方便,ACV价格便宜,有潜在临床应用价值．     

Ru原子高Rydberg态能级的唯象势计算

将文[4]提出的用于碱金属原子的唯象势推广到一般原子的高Rydberg态,并对Ru原子4d7（4F）ns（n＝28－45）和4d7（4F）nd（＝26－48）系列的Ryd－berg能级进行PWKB计算．在理论值与实验数据之间进行比较的基础上,讨论了所得结果的物理意义．     

一种应用双端信息自同步校正的故障测距法

针对高压,超高压远距离输电线路,提出了一种应用双端信息自同步校正的故障测距法,该算法采用长线模型,计及了线路分布电容的影响,能够实时修正输电线路两端采样的相角差,从而避免了由于两端采样信息不同步而造成的测距误差,经过大量的数字仿真试验,其结果十分令人满意。     

剪切型建筑结构抗共振抗震设计

通过将剪切型建筑结构的固有频率调离场地的卓越频率区域,提出一种抗共振抗震设计方法。数值算例说明该方法是很有效的。     

土壤中碳酸钙和有机碳测定的一种新方法

利用阿曼苏丹国的一千多个土壤样品,对土壤中碳酸钙和有机碳测定的实验方法进行了研究。发现实际碳酸钙的含量可由“亚稳态”时碳酸钙含量乘以适当的因子代替,从而大大提高了工作效率。而利用有机碳/全氮(C/N)的特殊规律,则可建立一个确定“有机碳”实验中所需土壤样品量的新方法。     

东营凹陷八面河地区坡折带特征及其对地层岩性圈闭的控制作用

通过对东营凹陷八面河地区广利东洼陷边缘坡折带的识别标志、成因机制以及演化规律的研究,总结了该区坡折带对于地层岩性圈闭的控制作用,以便为地层岩性油气藏的勘探提供依据.研究表明,该区广利东洼陷边缘发育挠曲坡折带和断裂坡折带,构造活动是形成坡折带的主要因素.坡折带的演化规律与构造活动的阶段性演化或幕式构造作用相对应,也表现出多期性、幕式活动和差异性活动的特点,而且坡折带规模与构造活动大小有关.坡折带对地层岩性圈闭的控制主要表现为:坡折带附近是地层岩性圈闭发育的有利区带;规模较大的坡折带控制了多数地层岩性圈闭,地层岩性圈闭在纵向上发育具有继承性特点;坡折带在横向上可以存在较大的变化,可形成不同的圈闭类型;坡折带控制下的地层岩性圈闭含油气性十分有利.     

一种基于DSP的JPEG2000视频压缩系统的实现

JPEG2000是国际标准化组织ISO和国际电信联盟ITU T共同制定的新一代图像压缩标准.它是基于EB COT算法,使用DWT,采用两层编码策略, 能够获得较好的压缩率.介绍了JPEG2000的基本特点,概述了其图像编码系统.详细描述基于DSP的JPEG2000硬件压缩系统各个硬件的选择以及具体的实现过程.     

壳聚糖接枝甲基丙烯酸羟乙酯的合成与表征

用硝酸铈铵(CAN)为引发剂,氮气保护下,研究了w=2%醋酸溶液中壳聚糖与甲基丙烯酸羟乙酯(HEMA)的接枝共聚行为.重点探讨了反应温度、反应时间、引发剂浓度和单体浓度对接枝聚合反应的影响,优化得到如下最佳反应条件,硝酸铈铵溶液浓度为0.0180mol.L-1,甲基丙烯酸羟乙酯溶液浓度为0.1690mol.L-1,壳聚糖溶液浓度为0.0617mol.L-1,反应温度为60℃,反应时间为5h,可得到最大接枝率为70.4%.并通过差热分析和红外光谱分析对接枝共聚物进行了表征,从而提供了一种生物相容性的亲水改性壳聚糖的方法.     

ZAO透明导电纳米薄膜中Al元素分布对其性能的影响

主要对直流反应磁控溅射法制备ZAO纳米薄膜中Al元素的相对含量进行了分析,对其作了EDS,XRD测试,并研究了Al质量分数与ZAO薄膜的光、电性能的关系·得出ZAO薄膜中成分是均匀的,具有ZnO晶体结构;Al元素的掺杂没有形成新的化合物(Al2O3),Al对Zn的掺杂替换是提高ZAO薄膜导电性能的关键因素,对薄膜在可见光区的透射性影响不大·制备的薄膜最低电阻率为4 5×10-4Ω·cm,可见光透射率达到80%以上·