四川公路堆积层边坡特征与加固方案统计关系初探

根据四川区域环境特征,在对收集到的68处省内公路堆积层边坡处治实例汇总的基础上,将影响公路堆积层边坡稳定的特征因素归结为堆积层厚度、边坡高度、坡率、岩性及其组合、地下水条件、平均年降水量及地震作用七项指标,进而分别以各项特征因素为参变量,研究其与挡墙、抗滑桩和锚杆三类典型加固方案之间的统计关系,所得结论可为山区公路堆积层边坡病害治理提供类比设计的技术资料及相关参考.     

高等职业教育产教融合政策工具 分类及优化路径--基于2010—2019年国家政策文本的量化分析

产教融合是现代职业教育体系构建的重要内容,政府应采取有效的政策工具加以推进。基于政策工具分类视角,将我国国家层面颁布的高等职业教育产教融合政策划分为供给面、需求面和环境面3类政策工具。通过对2010—2019年69份313条政策文本的量化分析,可视化展示3类政策工具占比情况。结果显示:供给面政策工具占据主导地位,需求面政策工具功能彰显,环境面政策工具作用稳定,但也存在供给面政策工具投入长、压力大,需求面政策工具引导多、示范少,环境面政策工具执行力不足、落地难等问题。“十四五”时期,需要以精准改革为核心完善供给面政策工具,借助其示范性引领作用促进产教双方深度融合,打破组织性壁垒,加大环境面政策执行力度。     

超导纳米线单光子探测技术进展

超导纳米线单光子探测技术自2001年出现以来,已经成为超导电子学领域的一个热点研究方向.作为一种新型的单光子探测技术,其具有探测效率高、暗计数低、时间抖动小、计数率高、响应频谱宽、电路简单等优势,综合性能在近红外波段已经明显超越传统的半导体探测技术,成为一种主流的单光子探测技术.本文从应用基础角度出发,对超导纳米线单光子探测器件的材料、器件工艺、性能、系统集成以及前沿应用等进行介绍,并对国际上该领域研究未来的发展趋势进行探讨.     

甲醇气相脱水合成二甲醚反应机理的研究

采用B3LYP,MP2方法在6-311++G(2df,pd)水平上,研究了酸性催化剂条件下甲醇气相脱水合成二甲醚反应的微观机理,找到了可能的反应通道,并得到了各反应通道的反应物、中间体、过渡态和产物的优化构型、谐振频率,解释了Highfield等的实验结论.从键长和能量的变化角度,讨论了化学反应过程中化学键的变化规律,以及反应过程的难易程度,为实验研究二甲醚反应提供理论依据.     

含语音增强模块的i-向量说话人识别性能分析

为解决文本无关说话人识别中训练与识别环境不同导致模式失配的问题,提出了一种采用语音增强模块进行前端预处理的i-向量说话人识别系统,从而提高系统对于环境噪声的鲁棒性.为评估不同语音增强算法的性能,利用NIST08核心测试集进行仿真实验.采用IMCRA算法对语音进行噪声估计后,分别用维纳滤波法、MMSE-LSA、传统谱减法和多频带谱减法等4种方法进行语音增强前端处理,在基于i-向量的说话人识别系统下进行实验.实验结果表明采用了语音增强的系统具有一定抗噪声性能,并且在高信噪比条件下,基于多频带的谱减法在此系统下性能最佳,而低信噪比情况下MMSE-LSA算法更有优势.     

掺铝氧化锌ZAO(ZnO:Al)薄膜研究

描述ZAO(ZnO:Al)薄膜的晶体结构,论述ZAO薄膜的光学、电学性质与其结构的关系,介绍了掺铝氧化锌ZAO薄膜的各种制备方法,并总结了ZAO薄膜在各种领域中的应用.提出了薄膜材料研究的关键问题以及今后的发展方向.     

微乳液法制备纳米二氧化硅

制备 OP-10/正辛醇/环己烷/氨水微乳液.在该微乳液中,由正硅酸乙酯在碱性条件下受控水解反应制备了 SiO2纳米粒子.通过红外光谱(FT-IR)、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)分别对样品结构及形貌尺寸进行了表征.探讨了水与表面活性剂摩尔比(R)、水与正硅酸乙酯摩尔比(H)对SiO2纳米粒子粒径的影响.结果表明制备的SiO2粒子为无定型球形颗粒,粒径为 80～105nm,SiO2纳米粒子粒径随着R和H的增大而增大.     

高微量元素豆芽研究

以豆芽作为载体,通过其发芽过程使无机铁、锌转换为有机铁、锌.在发芽以前通过控制添加剂量可以形成高铁和高锌豆芽.此种豆芽可以作为铁源和锌源,更易被人们所接受,并且为治疗和预防锌、铁微量元素缺乏症开辟了一条更可行的途径.     

基于数据仓库的库存分析应用架构

在数据仓库项目实际开发时,由于要分析的历史性数据量非常庞大,如何有效提高系统性能是关注的焦点,其中着重要解决数据增量更新与预计算之间的矛盾,此外,一般数据分析系统只能对历史性数据分析和预测,而在实际需求中可能需要对实时数据进行分析。本文以广东某集团公司信息系统建设为研究背景,以钢材库存分析为主题,提出一种高性能数据仓库架构,有效解决以上矛盾,具有较好应用价值。     

天然锗纳米晶的制备与中子嬗变掺杂研究

采用离子注入法及退火工艺,在硅基二氧化硅薄膜中制备了镶嵌结构的天然Ge纳米晶样品. 通过退火实验研究,发现随着退火温度的升高,纳米晶的晶态峰峰位红移,这意味着Ge纳米晶受到的应力减小. 当退火温度达到 700 ℃时,纳米晶的晶态峰强度显著增强,而且薄膜中与Ge有关的缺陷发光减弱. 采用中子嬗变掺杂法对天然Ge纳米晶进行了掺杂,X射线荧光光谱数据表明,样品中成功的引入了Ga杂质和As杂质. 薄膜中形成的与Ge有关的缺陷具有稳定的结构,中子辐照之后其发光仍然存在,而且,掺杂后的样品中没有发现与Ga或As有关的