紫杉醇、顺铂方案诱导化疗联合放射治疗晚期鼻咽癌近期疗效观察

目的观察紫杉醇(TAX)+顺铂(DDP)方案诱导化疗联合放射治疗晚期鼻咽癌的近期疗效.方法观察组36例鼻咽癌患者给予紫杉醇+顺铂方案化疗,第3周期化疗后1周开始放疗;对照组36例给予单纯放疗.两组放疗方法、剂量相同.结果初治鼻咽癌对TAX+DDP方案化疗有较高的反应率,使33.3%病人的T分期和44.4%的N分期降低;近期疗效观察组鼻咽部及颈淋巴结CR率分别为91.7%及88.9%,较对照组的72.2%和66.7%高(P＜0 05);化疗及放疗毒副反应两组无明显差别(P＞0.05).结论TAX+DDP方案用于局部晚期鼻咽癌的诱导化疗,具有疗效好、毒副反应轻、患者依从性高等优点,是中晚期鼻咽癌诱导化疗较理想的化疗方案.     

多元不缺项插值基的存在条件及构造算法

运用构造性代数几何方法, 研究由Rⁿ中一组给定节点的信息构造节点子集上的不缺项插值基, 给出了不缺项插值基的存在条件及相应算法.     

杂多酸催化合成聚氧丙烯甘油醚

采用可溶性固体杂多酸作均相反应催化剂,以及不可溶性固体杂多酸盐作非均相反应催化剂,合成了聚氧丙烯甘油醚。实验结果表明,采用杂多酸作催化剂在中温、常压条件下,就可合成了产率较高的符合工业技术指标的聚氧丙烯甘油醚。用元素分析、IR、1HNMR和羟值的测定确定了产物的组成和分子量,得出最佳合成条件。     

一类新的参数线性规划最优解研究

在一些常见参数线性规划的基础上研究了一类新的参数线性规划最优解的分布区间及相关定理.     

基于RAMP密度插值理论的拓扑优化准则法

在研究密度插值法理论和拓扑优化准则基础上,以结构整体柔度最小为目标,推导了基于RAMP插值理论的优化准则,并实现优化准则的迭代算法,二维算例说明了算法正确性、有效性。     

底部三层框架-抗震墙砖房抗震性能及抗震设计的探讨

综合国内底部一层框架—抗震墙砖房和底部两层框架—抗震墙砖房一些试验研究和通过几个算例探讨了底部三层框架—抗震墙结构的抗震性能,并结合工程实践中对底部一层框架—抗震墙砖房和底部两层框架—抗震墙砖房抗震设计中应注意的问题对这种结构的抗震设计给出提示。     

齿轮齿面接触分析TCA技术及发展动态

通过对齿轮齿面接触分析TCA技术(利用电子计算机进行齿面接触区域的分析和修正)的研究,介绍了齿面接触分析TCA技术的基本原理、发展现状以及发展动态,阐明了TCA技术在现代工业生产中重要意义。     

Magnetostratigraphic study of Cretaceous depositional succession in the northern Kuqa Depression, Northwest China

Stratigraphic studies on the depositional succession in the Kuqa Depression can be traced back to as early as 1950s[1], however, there are still some disputes about chronostratigraphic division of the Bashenjiqike For- mation because of the paucity of fos…     

Efficient polymer light-emitting diodes with violet blue emission based on blends of PSiF6-PPP and PSiFC6C6

Efficient polymer light-emitting diodes (PLEDs) with violet blue emission were fabricated using blends of copolymers of paraphenylene-co-silafluorene (PSiF6-PPP) and polymer of poly (9,9'-alkyl-3,6-silafluorene) (PSiFC6C6). The performances of the devices are sensitive to the blend ratio. When the mass ratio of PSiF6-PPP to PSiFC6C6 is 1 : 3, the highest external quantum efficiency is 1.96% at luminance of 105 cd.m2, its electroluminescent (EL) spectrum peaks at 398 nm and full width at half maximum is 67 nm. The improvements of the device performances were due to the energy transfer from PSiFC6C6 to PSiF6-PPP and the balanced injection of electrons and holes.