低能量氩离子束轰击改善双极型晶体管的噪声特性

在完成超高频小功率晶体管的芯片和上部铝电极的制备工艺后，采用低能量氩离子束轰击芯片背面，能有效地降低其高频及低频噪声系数、提高其特征频率和电流放大系数。实验结果表明，晶体管低频噪声系数的下降与硅-二氧化硅界面的界面态密度的减小有关，而其高频噪声系数的下降是特征频率和电流放大系数增加的结果。     

利用背面Ar+轰击改善n沟MOSFET线性区的特性

研究了利用背面Ar^ 轰击改善n沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管（n-MOSFET)线性区的特性，用低能量（550eV)的Ar^ 轰击n-MOSFET芯片的北面，能有效地改善其线性区的直流特性，如跨导，沟道电导，阈值电压，表面有效迁移率以及低频噪声等，实验结果表明，随着轰击时间的增加，跨导，沟道电导和表面有效迁移率光增大，然后减小，阈值电压先减小，随后变大；而低频噪声在轰击后明显减小，实验证明，上述参数的变化是硅－二氧化硅界面态密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果。     

关于对称方程组非零解的判定与解法

给出对称方程组{x_1+x_2+…+x_n=0,……,x_1~(i-1)+x_2~(i-1)+…+x_n~(i-1)=0,x_1~(i+1)+x_2~(i+1)+…+x_n~(i+1)=0,……,x_1~(n+1)+x_2~(n+1)+…x_n~(n+1)=0.(1)非零解的判别条件、求解方法以及严格的证明．     

帽儿山地区野生药用植物资源调查

报道了帽儿山地区野生药用植物773种，及该地区国家重点保护植物、国家重点保护野生药材的原植物，为合理利用与保护该地区药用植物资源及我省的药材种植提供了依据．     

LGA型固定电感器自谐频率的探讨

本文以大量的试验结果说明固定电感器自谐频率与自身的分布电容的关系.并提出如何来减小分布电容从而提高固定电感器的自谐频率.     

H_0~1[a,b]中的最佳数值积分公式

本文利用H10[a，b]中样条插值算子理论，讨论了H10[a，b]中的最佳逼近泛函，并给出最佳数值积分公式。     

Ni／α—Al2O3上CH4／CO2重整制取合成气的研究

本文采用固定床流动反应装置对Ｎｉ／α－Ａｌ２Ｏ３上甲烷二氧化碳重整制合成气的反应进行了研究，在一定ＣＨ４／ＣＯ２配比下，考察了镍负载量、助剂及助剂添加量对催化活性和积炭量的影响。     

光亮Ni—P合金镀层的结构和性能研究

本文通过X-射线衍射，扫描电镜，差热分析，耐腐蚀试验等方法，研究了光亮Ni-P镀层的结构，形态及性能     

3,5—二卤代—4—羟基苯甲腈的合成

对羟基苯甲酸在溶剂中与尿素反应生成对羟基苯甲腈，产物车溴素和氯酸钠、碘和氯气和反应制得相应的３，５－二卤代－４－羟基苯甲腈。     

低功耗磁通门磁力仪的研究

采用间歇脉冲电压激励并使传感器在临界饱和状态下工作的磁通门磁力仪具有低功耗的特点，在检波和放大电路上采用同步解调和深度负反馈技术，改善了磁力仪的性能。