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971.
电力电子器件表面溅射膜的保护机理研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了用直流硅靶溅射反应法制备的溅射膜的导电特性和表面屏蔽作用,得出低含氧气氛下(O_2/Ar<30%)生成的溅射膜是一种半绝缘性的含氧非晶硅.它用于电力电子器件表面作内层保护能屏蔽外界电荷,因而可以大幅度提高器件的耐压稳定性. 相似文献
972.
溶致液晶及其显微织构 总被引:1,自引:0,他引:1
徐寿颐 《清华大学学报(自然科学版)》1990,(3)
溶致液晶是液晶的重要组成部分,通过实验,详细地研究和讨论了目前溶致液 晶体系中存在的主要的液晶相(SL, M, NL, Nbx, Nc,ChL.及 Chc)及其特征的显微 结构。 相似文献
973.
探讨奇性微分方程y″+ky′/t+λy=f对不同的值k怎样提初始条件才能使初值问题是适定的。对所有k≥0建立了修改初值问题解的存在唯一性定理。 相似文献
974.
研究了 LiNbO_3单晶的蚀象、光象。观察到与晶体方向有关的蚀象和光象之间有对应关系,且各晶面上蚀象及光象的对称性均与晶体的对称性相一致。认为晶体的微观结构决定了它的表面形态,蚀象是该形态的一种表现形式,而光象则是蚀象的一种光学效应。 相似文献
975.
本文根据监测及数据处理理论,讨论了边坡移动的统计判别方法。利用动态观测系统理论,建立了相应的动态预报模型和动态自适应预报模型。根据所得到的位移场和速度场,讨论了边坡破坏模式的判别方法。 相似文献
976.
在韩城矿区象山山地,于二叠系之上,第四系黄土之下,发现了两套属于新生界的地层单位。根据岩性特点、地层层位和它们所处的地貌部位,可以认为,一套是上中新统三趾马红土层,一套是下更新统三门组。这一发现,增补了韩城矿区新生界地层资料,同时对全面认识矿区地质历史,正确评估新构造运动幅度,都具有重要意义。 相似文献
977.
978.
铬电沉积过程及H2SO4的作用 总被引:2,自引:1,他引:2
在铬镀液(CrO_3/H_2SO_4=250/2.5Wt.)中,电流扫描实验结果表明,铬在玻璃碳电极上沉积需要成核过电位;而在铜电极上不需要成核过电位,其晶核由电极表面氧化膜(CuO CrOH)还原生成的金属Cr提供。铬电沉积前后,CrO_3还原机理不同,H_2SO_4 的作用也不同,沉积前,H_2SO_4的作用主要是活化电极表面,促使CrO_3还原,同时还使表面氧化膜溶解。沉积后,H_2SO_4 则起着保持电极表面附近阴极膜相对稳定的作用,还可能与 Cr(Ⅳ)形成易还原的配合物。 相似文献
979.
980.
本文利用恒定流动量矩定律以及科特流与槽道流的动力相似性,对外环固定,内环以恒速旋转且压力梯度 p/ θ为正的同心环隙科特流导出了两环面切应力、流速极坏面或流速拐环面及其坐标的方程。这些方程是由2个无因次参变量c_(f1)/c_(f2)·1/η~2,Pr= p/ θ·(η~2-1)/2c_(f1)ρV_0~2所构成的显函数方程组。本文明确地提出了科特数Pr作为环隙科特流的判据与准则的概念,根据它的值,可以把这种流动划分为以下4类: Pr=0 无压( p/ θ=0)环隙科特流。 Pr=1 类似半槽道流的有压环隙科特流,此时静环面切应力为零,流速分布曲线垂直于静环面。 Pr≥1 第1类有压环隙科特流,流扬中存在零切应力环与流速极环面。 0≤Pr≤1 第2类有压环隙科特流,流场中一般地存在流速拐环面。上述分类也把无压平面科特流,有压平面科特流以及槽道流作为特例包括在它的范畴之中。 相似文献