通用变频器差频控制系统设计

提出了利用通用变频器组成转差频率控制变频调速系统的设计方法，并提供了系统的构成与实验结果     

安徽省鹞落坪自然保护区的植被类型及其分布

鹞落坪自然保护区地处大别山腹地主峰分水岭的主段，植物种类丰富，计有野生种子植物１２９８种，５７２属、１４１科。植物区系起源古老、特有现象明显。区系成分以温带为主，兼为温带和热带，亚热带的双重性质。植被类型多样，该区自然植被主要有５个植被型。８个植被亚型，２４个群系。     

核酸的分子静电势（I）──C－DNA的分子静电势

对于序列聚（ｄＧ－ｎｒ）和聚（ｄＡ－ｄＴ）来说，本文介始了Ｃ－ＤＮＡ活性位置的分子静电势（ＭｏｌｅｃｕｌｅｒＥｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃＰｏｔｅｎｔｉａｌ）的计算方法和结果［１］．描述了双螺旋表面外壳（ＳｕｒｆａｃｅＥｎｖｅｌｏｐｅｓ）上势的分布，并将其与Ｂ－ＤＮＡ有关结果［２－４］作了比较．     

核酸的分子静电势（Ⅱ）──阳离子屏蔽对B－DNA静电势的影响

本文讨论了Ｂ－ＤＮＡ双螺旋中磷酸根受Ｎａ、ＣＨ３ＮＨ３、Ｍｇ２＋等阳离子屏蔽时，对其分子防电势所产生的影响．将这些因离于屏蔽Ｂ－ＤＮＡ而引起的嘧啶、嘌呤碱基的亲电位置上势极小值的影响进行了比较．通过与未受屏蔽的情况的对比，发现阳离子的屏蔽可影响势极小值．     

四甲基苯醌在氯化正丁基吡啶－AlCl＿3室温熔盐中的循环伏安行为

四甲基苯醌在氯化正丁基吡啶－ＡｌＣｌ＿３室温熔盐中的电化学行为，和室温熔盐的酸碱度有关，在碱性熔盐中，四甲基苯醌以不络合的形式存在，电极上的还原过程是一个ＥＣＥ过程；在酸性熔盐中，形成络合物ＴＱ（ＡｌＣｌ＿３）＿ｍ，络合数ｍ为１，２，３，随熔盐酸度变化，此外，醌类物质芳香环上的取代基，也影响其电化学性质。吸电子基团使还原电位正移，推电子基团使还原电位负移。     

Ni－Si－B系非晶合金的结晶度与退火温度关系的研究

本文对Ｎｉ＿（８５－ｘ）Ｓｉ＿（１５）Ｂ＿ｘ（ｘ＝１３，１７，２１）系非晶合金条带的晶化（经过处理后的）结晶度的测定进行了比较系统的研究．结晶度的测定系采用电子计算机分峰方法将ｘ射线衍射曲线中的非晶峰与结晶分离开来，其中非晶峰以三次多项式表示，结晶峰以高斯－柯西复函数表示，由这些表达式组成联立方程组，用最小二乘法求解，并计算出它们的相对强度值，得到其结晶庆与退火温度呈抛物线关系曲线．     

硼氮型极压抗磨剂的应用

本文借助实验阐明了硼氮型极压抗磨添加剂在润滑油中的应用性能。     

双（N－氰基亚氨基二硫代甲酸）合镍（Ⅱ）酸－（5，7，7，12，14，14－六甲基－1，4，8，11－四氮杂环十四－4，11－二烯）合镍（Ⅱ）的合成与晶体结构

通过盐消除反应合成了双核镍的加合物［Ｎｉ（ｈｍｔａｄｅ）］［Ｎｉ（ｃｄｃ）２］，其中ｈｍｔａｄｅ＝５，７，７，１２，１４，１４－六甲基－１，４，８，１１－四氮杂环十四－４，１１－二烯，ｃｄｃ＝Ｎ－氰基亚氨基二硫代甲酸根。用元素分析、红外光谱、电子光谱和磁化率对它进行了表征。用Ｘ－射线测定了单晶的晶体结构，晶体属单斜晶系，空间群为Ｃ２／Ｃ，晶胞参数ａ＝１１．８８３（２）Ａ，ｂ＝１１．７５３（２）Ａ，Ｃ＝２０．４８２（４）Ａ，ａ＝９０°，β＝１００．１９（１）°，ｒ＝９０°，Ｖ＝２８１５．４Ａ３，Ｍ＝６２８．１９，Ｄｘ＝１．４８２ｇ／ｃｍ２，Ｚ＝４，Ｒ＝０．０４７，Ｒｗ＝０．０５４。正离子的［ＮｉＮ４］为近似平面构型，整个正离子的外形是马鞍型；负离子的［ＮｉＳ４］为绝对平面。在Ｎ（１）和Ｎ（１１）之间形成了氢键，使得加合物呈一维线性链结构。     

共形平坦黎曼流形中具有平行第二基本形式的子流形

设Ｍ＾ｎ＋ｐ是ｎ＋ｐ维共形平坦黎曼流形，本文对具有平行第二基本形式的子流形作了讨论，将我们现有结论推广到了更一般的情形。     

单频散斑光栅膜研测面内位移场

本报道了利用作研制的一种新的光学元件－单频散斑光栅模进行面内位移场测量的方法及原理。