基于神经网络专家系统的边坡系统设计

基于神经网络和专家系统自的特点，研究了神经网络和专家系统的集成系统，论述了系统的设计思想、总体结构及实现的基本原理，通过软件设计实现了“可视化”操作，系统具有知识自动获取，预测速度快，鲁棒性及容错能力强等特点，这一研究为解决边坡稳定性评估问题提供了一种有效途径。     

热力学的几何表述

本文依据几何图形，根据不同的规则，分别表达了热力学的基本微分方程，麦克斯韦关系式，麦克斯韦恒等式等基本关系式及热动平衡和特性函数。     

高Cr高温合金中α-Cr相的析出方式

通过对高Cr高温合金INCONEL718和INCONEL625在长期时效过程中α-Cr相析出方式进行详细的微观组织分析.结果认为,随着时效时间的延长,INCONEL718合金中大部分α-Cr相随着相的析出长大依附于δ相的界面析出,而INCONEL625合金中α-Cr相则主要依附晶界M6C碳化物相界面析出,少部分依附于δ相析出,其原因可能与Cr在相δ和M6C碳化物中的溶解度随温度的下降而迅速下降有关.     

沉积物中有机成分的分析方法研究

利用GC-MS对污染严重的官厅水库沉积物中的有机成分进行了初步的定 性分析和归类,并探讨了有机污染物的来源.对不同的提取方法、提取时间的探索,得到了样 品提取的最佳条件.优化了固相萃取的条件,并在此条件下用固相萃取对土壤样品中的多环 芳烃类、有机酸类化合物进行了富集和纯化,GC-MS分析检出了80种多环芳烃、29种一元酸和6种二元酸.     

二级厌氧—SBR工艺处理酱油生产废水

酱油工业废水组分复杂，常含有多种有机物质，色度深，难于降解，且水质水量波动较大。文章介绍了采用二级套氧－SBR工艺，先在厌氧反应池内加入弹性立体填料，后接SBR反映器处理酱油生产废水，以及废水处理的设计特点、工程特点和处理效果。运行结果表明，吨水投资费用为0．29万元，吨水运行成本0．4元，且处理效果较稳定，出水可以满足国家排放标准。     

XML技术在企业电子商务交易平台中的具体应用

在企业电子商务交易平台中，XML已经成为公共数据交换方面事实上的标准。通过对企业电子交易平台中的产品数据管理系统的分析和设计，阐述了XML技术在数据表现，数据交换和数据存储三方面的具体应用。     

中立型时滞抛物方程初边值问题的差分方法

给出了求解中立型时滞抛物方程初边值问题t[u(x ,t) -λu(x ,t-τ) ] =2x2 u(x ,t) +f(x ,t) ,　　　 (x ,t)∈ ( 0 ,l)× ( 0 ,T]u(x ,t) =φ(x ,t) ,　　　 (x ,t)∈ ( 0 ,l)× [-τ ,0 ]u( 0 ,t) =u(l ,t) =0 ,　　　t∈ [-τ,T]的差分方法 ,并获得了该差分格式的收敛性     

数字通信中调制方式的一种盲检测算法

该文针对数字信号 (ASK2、ASK4、FSK2、PSK2和PSK4信号 )的调制方式 ,介绍一种新的数字调制信号识别算法 (DMRAs) ,并且对该算法进行改进 ,改进后的算法能够快速的 ,自动的识别出已调数字信号的调制方式 .在文章的后面还给出了改进后的DMRAs算法的获取已调数字信号的关键特征值的程序仿真流程图 ,及其仿真程序流程图     

Theoretical calculations on the atomic and electronic structure of β-SiC(110) surface

We present a theoretical calculation of the atomic and electronic structure of β-SiC and its non-polar (110) surface using the full potential linear augmented plane wave (FPLAPW) approach. The calculated lattice constant and bulk modulus of β-SiC crystal are in excellent agreement with experimental data. The atomic and electronic structure of β-SiC(110) surface has been calculated by employing the slab and supercell model. It is found that the surface is characterized by a top-layer bond-length-contracting rotation relaxation in which the Si-surface atom moves closer towards the substrate while the C-surface atom moves outward. This relaxation is analogous to that of Ⅲ-Ⅴ semiconductor surface. The driving mechanism for this atomic rearrangement is that the Si atom tends to a planar sp²-like bonding situation with its three N neighbors and the N atom tends to a p³-like bonding with its three Si neighbors. Furthermore, surface relaxation induces the change from metallic to semiconducting characterization.