新的f(R)黑洞

f（R）引力是一个直接拓展广义相对论的修正引力理论,它的拉格朗日量是一个仅含曲率标量R的任意函数f（R）.在F（r）=1+αr的条件下（F（r）≡（df（R（r）））/（dr）和αr是一个对广义相对论小的修正量）,导出了度规f（R）引力理论中场方程的精确球对称真空解.此外,考虑了这个黑洞背景时空中的标量场扰动.用六阶WKB （Wentzel-Kramers-Brillouin）方法,讨论了拟正则模和这个黑洞的参数之间的关系,得出这个黑洞是稳定的结论.     

三种多元复合结构的核壳催化剂研究进展

以核壳结构复合而成的催化剂,在催化反应中常表现出较高的整体活性、大的比表面积、优异的择形催化效果和良好的热稳定性.部分催化载体因具有优异的择形效果和结构稳定性,在多元复合核壳催化剂的设计中也占据了一定的地位.本文主要介绍了几种常用催化剂载体(Al_2O_3、SiO_2、ZSM-5)参与复合的核壳催化剂制备与应用的概况.     

交错立方体上限制容错单播算法的研究

在交错立方体中引入限制故障顶点集的概念,证明了当n≥3时,交错立方体中基于限制故障顶点集的限制连通度为2n-2,这一结果几乎是交错立方体上传统连通度的两倍;然后提出了基于该情形下的时间复杂度为O(「log|F|┐n~3)的容错单播算法,并证明了在最坏情形下,该算法构造出的无故障路径的最长路径长度的上界为5m+n-1,其中m=「log|F|┐;进一步利用上述算法进行仿真.     

基于均匀圆阵时频干涉仪的LFM信号二维测向算法

提出了一种基于均匀圆阵时频干涉仪的线性调频(linear frequency modulation, LFM)信号二维波达方向估计算法。首先利用LFM信号时频聚集性非常好的特点,对阵元的输出进行互维格纳〖CD*2〗威尔分布(Wigner-Ville distribution, WVD)计算,然后提取互WVD时频冲激点的相位,从而得到包含信号到达角的方程组,解算出信号的到达角。通过选取不同的阵元对组,采用模糊数搜索的算法进行解模糊运算,最终完成信号到达角的估计,仿真实验验证了算法的有效性。     

超声雾化液体除湿系统对室内空气品质的影响

研究了超声雾化液体除湿空调系统对室内空气品质的影响,得到室内空气中氯化锂质量浓度的安全阈值为70μg/m~3.通过实验分析了入口溶液中氯化锂的质量分数(w_i)、除雾器孔隙率等对空气带液量的影响.当w_i由31.5%上升至38.8%时,空气带液量也随之上升,最高为26.93μg/m~3.除雾器的孔隙率显著影响空气带液量,应使用孔隙率低于93.5%的丝网除雾器.在最不利工况下,该系统空气带液量未超过安全阈值,表明对室内空气品质没有影响.研究成果对超声雾化液体除湿系统的推广有一定指导意义.     

中原经济区安全生产软环境建设探析

中原经济区安全生产总体状况趋于好转,但个别行业事故频发,改善安全生产软环境建设势在必行。基于目前中原经济区安全生产软环境建设存在的诸多问题,应从完善立法、深化监管体制改革、提高监管者素质、营造良好的人才环境、引入多种替代性监管措施等方面推进中原经济区经济社会可持续发展。     

含分布时滞的变系数退化微分系统解的稳定性

利用Razumikhin定理讨论一类含有分布时滞的变系数退化时滞微分系统解的稳定性,建立了零解稳定性的判定定理.     

基于C++的高效内存池的设计与实现

为了高效、安全地利用计算机内存资源,在大型的软件设计中,往往要进行大量的内存分配与回收操作,为此,C++专门提供了malloc等相关函数进行操作,这些函数能够满足一般的使用,但由于它们调用了操作系统API,所以实际使用时会在操作系统中产生大量的内存碎片,让内存分配成为效率瓶颈,从而降低系统性能.基于此,通过对循环首次适应算法进行改进,设计并实现了基于C++的高效内存池,大幅提升了内存分配与回收的效率.同时,还为内存池编写了相关的分配子,使其能与C++标准库无缝对接,提供了若干具有垃圾回收功能的智能指针,提高了内存管理与程序运行的效率.     

Investigation of silicon on insulator fabricated by two-step O+ implantation

In this paper, we investigated the dose window of forming a continuous buried oxide (BOX) layer by single implantation at the implantation energy of 200 keV. Then, an improved two-step implantation process with second implantation dose of 3×10¹⁵ cm^?2 was developed to fabricate high quality separation by implanted oxygen (SIMOX) silicon on insulator (SOI) wafers. Compared with traditional single implantation, the implantation dose is reduced by 18.2%. In addition, the thickness and uniformity of the BOX layers were evaluated by spectroscopic ellipsometry. Defect-free top Si as well as atomic-scale sharp top Si/buried oxide interfaces were observed by transmission electron microscopy, indicating a high crystal quality and a perfect structure of the SOI fabricated by two step implantation. The top Si/BOX interface morphology of the SOI wafers fabricated by single or two-step implantation was also investigated by atomic force microscopy.     

内蒙古科技支持系统变动的时效性特征

智力支持系统能力水平决定区域性科技现代化程度。应用教育发展力指数、科技资源指数、科技贡献等指数和科技现代化模型对内蒙古科技系统进行地区间的比较与关联分析,该研究结果可以为我国其它区域和少数民族地区的科技进步和智力提升提供借鉴。