全文获取类型
收费全文 | 16799篇 |
免费 | 558篇 |
国内免费 | 703篇 |
专业分类
系统科学 | 619篇 |
丛书文集 | 409篇 |
教育与普及 | 571篇 |
理论与方法论 | 104篇 |
现状及发展 | 122篇 |
研究方法 | 75篇 |
综合类 | 16157篇 |
自然研究 | 3篇 |
出版年
2024年 | 90篇 |
2023年 | 193篇 |
2022年 | 292篇 |
2021年 | 297篇 |
2020年 | 162篇 |
2019年 | 77篇 |
2018年 | 130篇 |
2017年 | 163篇 |
2016年 | 149篇 |
2015年 | 308篇 |
2014年 | 489篇 |
2013年 | 457篇 |
2012年 | 537篇 |
2011年 | 564篇 |
2010年 | 602篇 |
2009年 | 624篇 |
2008年 | 762篇 |
2007年 | 856篇 |
2006年 | 647篇 |
2005年 | 610篇 |
2004年 | 473篇 |
2003年 | 405篇 |
2002年 | 457篇 |
2001年 | 501篇 |
2000年 | 527篇 |
1999年 | 895篇 |
1998年 | 864篇 |
1997年 | 876篇 |
1996年 | 773篇 |
1995年 | 699篇 |
1994年 | 683篇 |
1993年 | 526篇 |
1992年 | 488篇 |
1991年 | 448篇 |
1990年 | 390篇 |
1989年 | 360篇 |
1988年 | 287篇 |
1987年 | 209篇 |
1986年 | 108篇 |
1985年 | 39篇 |
1984年 | 8篇 |
1983年 | 6篇 |
1982年 | 3篇 |
1980年 | 3篇 |
1979年 | 5篇 |
1978年 | 3篇 |
1974年 | 2篇 |
1972年 | 4篇 |
1971年 | 2篇 |
1970年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
为探究Fe掺杂对BiTaO4陶瓷样品介电特性和铁电特性的影响,采用传统固相烧结法制备了Bi Ta1-xFexO4-x(x=0,0.01,0.03)陶瓷样品,利用X线衍射仪和扫描电子显微镜对样品的晶体结构和表面形貌进行分析,利用精密阻抗分析仪和铁电分析仪对样品的介电性能和铁电性能进行检测.结果表明:Fe掺杂没有明显改变样品的晶体结构;随着Fe掺杂量的增加,样品的介电常数表现出较好的稳定性,介电损耗略有减小,且基本保持在tanδ=0.05以下,其漏电流先增大后减小,且掺杂样品均可得到比较完整的电滞回线. 相似文献
2.
我国初步建立了财政性科技经费监管体系,但是在监督主体、监督制度等方面还存在缺陷,科技经费监督出现诸多问题。建立要加强宏观层面的统筹规划,建立由政府、承担单位和外部主体上下联动、横向联合的立体监督体系。 相似文献
3.
4.
Through molecular dynamics(MD)simulation,the dependencies of temperature,grain size and strain rate on the mechanical properties were studied.The simulation results demonstrated that the strain rate from 0.05 to 2 ns~(–1 )affected the Young’s modulus of nickel nanowires slightly,whereas the yield stress increased.The Young’s modulus decreased approximately linearly;however,the yield stress firstly increased and subsequently dropped as the temperature increased.The Young’s modulus and yield stress increased as the mean grain size increased from 2.66 to6.72 nm.Moreover,certain efforts have been made in the microstructure evolution with mechanical properties association under uniaxial tension.Certain phenomena such as the formation of twin structures,which were found in nanowires with larger grain size at higher strain rate and lower temperature,as well as the movement of grain boundaries and dislocation,were detected and discussed in detail.The results demonstrated that the plastic deformation was mainly accommodated by the motion of grain boundaries for smaller grain size.However,for larger grain size,the formations of stacking faults and twins were the main mechanisms of plastic deformation in the polycrystalline nickel nanowire. 相似文献
5.
文章在分析广西高技术产业发展现状基础上,构建高技术产业科技创新能力评价指标体系,运用熵值法,基于2015—2019年面板数据对广西高技术产业的创新能力进行实证研究.研究表明:广西高技术产业创新能力在西部五省中处于较低水平;广西高技术创新产出实力略低于创新投入实力,创新技术吸收实力仍相对较弱;广西高技术四大行业创新能力存在差异,即电子及通信设备制造产业科技创新投入和产出效果最好,医药制造业和电子通信及装备制造业创新投入高,创新产出评分偏低,医疗仪器设备及仪器仪表制造产业和计算机及办公设备制造产业创新吸收能力很弱.基于以上结论,文章从加大创新资源投入、推动创新平台建设、加强人才队伍建设等方面提出了对策建议. 相似文献
6.
分析了不同的填充强化剂(后处理A液)、不同的后处理B液基料、后处理B液中水性环氧乳液的掺量及后处理液浸泡时间对石膏基打印器件耐水性、抗压强度、尺寸偏差、表面微观结构的影响.结果表明:经纳米硅超硬固化剂处理后的打印器件抗压强度大幅提高,纳米硅超硬固化剂最适宜作为后处理A液;水性聚氨酯乳液PU-202B最适宜作为后处理B液的基料;后处理B液中加入水性环氧乳液,处理后打印器件的抗压强度增加、吸水率降低,但水性环氧乳液含量增加到一定程度后会出现尺寸偏差;后处理A、B液最佳浸泡时间分别为130 s和35 s;先浸泡后处理A液、后浸泡后处理B液的打印器件具有抗压强度高、吸水率小、表面较光滑、不脱粉等优良性能. 相似文献
7.
8.
研究分析了情境与探究教学模式的内涵及具体实施过程.并以物理实验"用单摆测定重力加速度"为例进行了教学实践.结果表明,这种教学模式行之有效,符合新课程改革的教学理念. 相似文献
9.
Two decoration techniques, solidification-induced band texture decora tion and focal-conictexture decoration, have been established to exhibit the director field of disclinations in a low-molar-mass methacrylate liquid crystal. The disclinations with strength s = 1/2 and s = ±1 are observed by the two decor ation methods. For the solidification-induced band texture decoration, the molecular orientation is perpendicular to the direction of the band. While for focal- conictexture decoration, it has been proved by the results of IR dichroism that the direction of the director is parallel to the direction of the focal-conic. Therefore, the sketch map of the molecular director filed can be mapped according to the morphological pattern of the solidification-induced band textureor focal-conic texture. 相似文献
10.
通道不一致性、互耦对最优阵列处理器的影响 总被引:7,自引:0,他引:7
本文研究了通道幅相不一致性、互耦这两种误差对最优阵列处理器性能的影响。理论分析结果表明,对于只利用干扰加噪声协方差矩阵求逆的自适应方法(简称NAMI法),当干噪比(JNR)较大时,这两种误差不会导致零点位置的漂移,但零点深度有所变化;对于信号加干扰和噪声协方差矩阵求逆自适应方法(简称SPNMI法),当信噪此(SNR)较小或较大时,零点位置变化不大,但性能损失比NAMI法严重得多。如果能加以补偿,则SPNMI法与NAMI法有相同的结果。我们用矩量法计算得到的互耦矩阵对此进行了仿真模拟,实验结果证明了理论分析的正确性。 相似文献