用IDX法测定马尾松和樟子松种子发芽能力的研究

研究用ＩＤＸ法测定马尾松和樟子松种子发芽能力的方法及其标准化。结果发现,马尾松和樟子松种子浸种１６ｈ后,在１５℃、相对湿度接近１００％的培养箱内培养５６ｈ,然后在２５℃、相对湿度４０％的条件下分别干燥３ｈ、２ｈ,再作射线摄影,此时生活种子与死亡种子含水量的差异能在射线照片上形成密度反差,据此可以测定种子的发芽能力,即生活种子含水量高,吸收射线能力强,在射线图象上表现为密度均匀,胚与胚乳界限不明显,     

C~r映射芽的γ阶jets的V-充分性

本文给出Cr映射芽的γ阶jets是v-充分性的充分条件,推广了[1]中的有关结果,并对拟齐次多项式的V-充分性作了进一步的讨论。     

基于分维计算的颗粒粒度分析方法

提出了一种基于分形检测超细颗粒粒度的新方法及实现算法,超细颗粒在一定条件下产生布朗运动,通过光电系统记录的图象可看成是群体颗粒无规则漫游的结果,从而可用分数布朗运动模型去描述,对所获取的超强微粒布朗运动图象进行处理,然后按以上分形模型进行逐点的分维计算,再用统计的方法转换为粒度信息,从而实现粒度测量,文中给出了具体的算法及算例。     

一级反应网络法求单底物酶促反应的米氏常数

以可溶性淀粉为底物,研究了糖化酶（ＥＣ３．２．１．３）的动力学规律。淀粉水解反应具有单底物酶促反应的特征,且当［ｓ］Ｋｍ时,服从拟一级反应规律。根据一级反应网络理论,采用单纯形加速法拟合酶促淀粉水解反应的过程曲线求各速率常数和米氏常数。     

nSi／pSi1—xGex／nSi晶体管直流特性数值分析

采用一维有限差分方法,对生长在Ｓｉ（００１）衬底上的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变基区异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的直流特性进行了数值分析,给出了高斯掺杂情形下,基区中不同Ｇｅ分布的Ｓｉ１－ｘＧｅｘＨＢＴ的共射极电流放大系数图、Ｇｕｍ－ｍｅｌ图和平衡能带图;与Ｓｉ双极同质结晶体管（ＢＪＴ）的直流特性作了对比,结果表明基区中Ｇｅ的引入有效地改善了晶体管的直流性能;其次对基区中Ｇｅ分布与ｐ型杂质在基区－集电区交界处的不一致进行了模拟,证实了基区杂质向集电区扩散产生的寄生势垒使集电极电流密度下降这一实验结果．     

抗磨贝氏体球铁的裂纹形核与扩展

采用压痕法及扫描电镜观察,研究了抗磨贝氏体球铁中裂纹的形核与扩展。实验结果表明,裂纹主要在石墨─基体界面形成,其次在碳化物─基体界面形核。裂纹在石墨─基体界面和碳化物─基体界面的形成机制不同,裂纹优先沿界面扩展。并从热力学的角度对其进行了分析。     

关于序半群的半格同余

Ｎ．Ｋｅｈａｙｏｐｕｌｕ教授在「１」中提出“ｐ０－半群上的半格同余‘Ｎ’是否为去掉最小半格同余”的问题。本文引进半格同余ｎ,证明存在ｐ０－半群Ｓ,Ｓ,上的半格同余ｎ∩→上的半格同余ｎ∩→Ｎ,给出该问题否定回答。     

剪切型建筑结构抗共振抗震设计

通过将剪切型建筑结构的固有频率调离场地的卓越频率区域,提出一种抗共振抗震设计方法。数值算例说明该方法是很有效的。     

系列硫氮环分子的量子化学从头算研究

本文用量子化学从头算方法对系列硫氮环分子的几何构型进行了全优化,得到了硫氮环分子基态的稳定构型,说明了各环型分子的成键情况。通过各硫氮环分子稳定性的比较,确定只有一部分硫氮环分子具有“多电子芳香性”。预测S_2N_3~+和S_5N_2~(2+)合成的可能性。     

水平多孔窗内蒸发现象与制冷效应的二维数值模拟

从连续介质力学的观点出发,建立了描述非饱和多孔介质内部热质传递现象的二维稳态模型.并用此模型对水平多孔窗的传热传质过程进行了数值模拟,得到了不同运行工况下的床内各量的场分布及其蒸发制冷量分布,从而揭示了环境参数与多孔窗内部热质传递及其换热性能之间的内在联系.