过渡金属与席夫碱及邻菲罗啉配合物的合成表征

合成了N-亚水杨基丙氨酸席夫碱及其与过渡金属Cu（Ⅱ）、Zn（Ⅱ）、Ni（Ⅱ）和邻菲罗啉的三元混配配合物。用元素分析、摩尔电导、红外光谱、紫外光谱和差热热重分析对其性质进行了表征.     

金属-氨基多羧酸类配合物分子和晶体结构的研究(Ⅱ)——Na_4〔Hg~Ⅱ(nta)_2〕·7H_2O配合物的合成及结构测定

本文报导了Ｎａ４〔ＨｇⅡ（ｎｔａ）２〕·７Ｈ２Ｏ（ｎｔａ３－＝氨基三乙酸根）配合物的合成并测定了它的分子结构和晶体结构．具体结果如下：单斜晶系，Ｃｃ空间群，ａ＝１７．９８０（４），ｂ＝８．９２９（２），ｃ＝１５．７５４（２），β＝９２．７８（３）°，Ｖ＝２５２６．２（９）３，单位晶胞中的分子数为４，Ｄｃ＝２．１０７ｇ·ｃｍ－３，μ＝６．２５０ｍｍ－１，Ｆ（０００）＝１５２８，对于２４５０个独立的衍射点，它的Ｒ和Ｒｗ值分别为０．０４８７和０．１４３４．从最终分析结果来看，〔ＨｇⅡ（ｎｔａ）２〕４－是一个八配位的变形立方体结构．由此可知具有对称电子结构（ｄ１０）的ＨｇⅡ由于有着较大的离子半径，即使与易形成低配位数配合物的配体ｎｔａ３－，也仍然形成了１∶２这样高配位数的配合物     

原函数导数逼近数据重构的通量差分分裂方法

针对模型方程提出一种基于原函数导数逼近的数据重构方法，结合导数的紧致逼近构造了相应的状态变量递推式，从而构造了高精度的通量差分有限面积差分格式，并将此格式推广应用于Ｅｕｌｅｒ方程。通过实例分析，证明这种方法对叶栅绕流等复杂流动现象的模拟是有效的。     

顶电极对金属-绝缘体-金属器件I-V曲线对称性的影响

通过顶电极金属材料的选择，考察金属-绝缘体-金属器件的I-V曲线的对称性．并用p-n-n能带模型进行了分析解释．结果表明，采用电负性小于1.6的金属作顶电极，并在一定温度下对该器件进行热处理，可以提高其I-V曲线的对称性．     

位相相干态和奇偶位相相干态的圈表示

本文以有限维位相态空间的量子态与复平面上的一个整函数一一对应的解析表示为基础，利用任意位相态的圈表示，获得了位相相干态和奇偶位相相干态的圈表示。把位相相干态和奇偶位相相干态表示为一个在复平面上沿具有相同半径的圆路径的路径积分。给出了位相相干态和奇偶位相相干态的解析表示和圈表示之间的关系。     

DMC/AM/AA三元水溶液共聚合(Ⅱ)

以（NH4）2S2O8－NH2CONH2为引发剂，研究了丙烯酸胺（AM）、甲基丙烯酸氧乙基三甲基氯化铵（DMC）和丙烯酸（AA）三元水溶液共聚合反应，考察了聚合温度、原料配比、单体浓度、引发剂用量以及pH值等因素对聚合速率、单体转化率和产物特性粘度的影响。结果表明：当起始单体总浓度为30～40％，PH≤5．0，DMC和AA在原料配比中的含量分别为20～70mol％、0～30mol％时，聚合反应的条件较为适宜。     

电阻栅MOSFET电流模型分析

本文以普通长沟道ＭＯＳＦＥＴ的电流模型为基础，推导出ＲＧ－ＭＯＳＦＥＴ一级近 下电流模型的解析表达式。并对其物理机制进行了分析讨论。