高温堆双区堆芯交混区内球分布实验研究

双区堆芯的设计代表了高温气冷堆技术的发展方向之一。为确定高温气冷堆双区堆芯交混区内燃料球分布情况开展实验研究,解决与高温堆堆芯结构和物理设计密切相关的问题。实验结果表明:交混区内燃料球和石墨球的概率分布具有良好的对称性;堆芯上部的交混区内燃料球分散度较小,中部较大,交混区并没有无限扩散而具有确定的范围,说明球流运动是一种有限的分散性;在加球面上加入任一球其在交混区内的概率密度分布满足Gauss分布规律;根据Gauss分布对称中心可以确定交混区内球流均值流线并从理论上确定交混区大小。     

TPC探测器内空间电荷电场

为了评估时间投影室探测器内空间电荷对漂移电场的影响,根据Green函数法求解Poisson方程,推导和借鉴了数种适用于TPC的Green函数;给出了计算空间电荷电场的解析形式;计算了单元区域内电荷均匀分布的电势和电场强度;展示了求解TPC空间电场的具体步骤。同时,利用Maxwell软件对单元区域内电荷均匀分布的电场进行了仿真,与Green函数法计算的结果基本一致。结果表明:该文给出的Green函数法适合求解TPC内的空间电场,可以获取正确结果,更加简便和实用。     

改进主成分和K-均值聚类的行驶工况

为构建行驶工况,消除K-均值算法对初始聚类中心的敏感性及噪声点的干扰,提出一种改进主成分分析和基于密度的改进K-均值聚类组合方法.结合距离优化法和密度法,构建一种数据集密度度量方法.选取距离较大、密度较高的数据点作为初始聚类中心与候选集,优化聚类结果的同时剔除了孤立点,采用较大贡献因子的特征值进行工况合成,最后对行驶工况油耗进行分析.结果表明,所提方法构建行驶工况的速度-加速度联合分布差异值为1.17％,特征参数平均相对误差较小.可见,合成的行驶工况能够很好地反映某地实际交通道路特征,拟合度较高.     

单轴定位磁标识清管器方法研究

为得到单轴磁传感器在磁源标识清管器定位中的最佳探测姿态,采用数值模拟的方法,对直管和弯管进行建模分析,取清管器正上方测面处的多个测点,分别研究各测点在空间多个方向上的磁场波动值,通过比较波动值大小即可得到最佳的探测方向。根据实际管道铺设方式的不同,对水平走向管道进行分析,得知当清管器通过探测点时,垂直于管道轴线方向的磁波动分量值最大,该波动值可被单轴传感器有效检测。采用管道倾角θ及管道偏角γ这2个变量来描述弯折管道,结果表明,在与管道相垂直的方向上磁波动分量值最大,并且综合倾角与偏角均存在的情况,单轴传感器也应垂直于管道安装。进行了相关的等效实验,验证了数值模拟结果的正确性。由此可得,探测时单轴磁传感器测量方向应垂直于管道轴线方向。     

基于不同光源及显色背景下红-黄色翡翠质量分级研究

颜色是决定翡翠价值的重要因素,目前国标对红-黄色翡翠没有建立完整的分级体系,因此对翡翠的红-黄色进行分级研究十分必要。颜色分级离不开背景与光源,本文从色度学角度出发,基于CIE 1976 L*a*b*均匀色空间,在D65光源、CWF光源和A光源照射下对红-黄色翡翠样本的L*、a*、b*值进行测量,进而计算出彩度值C*及色调角ho,结合统计分析证明,A光源为红-黄色翡翠的最佳照明光源,D65标准照明光源可作为红-黄色翡翠的最佳评价光源。由于背景变换对样本颜色参数影响较小,因此选取与标准光源箱表面灰度相同的孟塞尔中性背景N7色卡为最佳显色背景。本实验结果表明,在D65光源与N7色卡背景下,通过K-means聚类分析,最终可将翡翠红-黄色分为七类。     

顺酐为原料合成聚天门冬氨酸及其阻垢性能的测定

研究了以顺酐为主要原料合成聚天门冬氨酸(PASP), 最佳合成条件为顺酐与氨水及催化剂的摩尔比20∶20：1, 240℃条件下常压反应1h。该条件下的聚琥珀酰亚胺(PSI)的产率可以达到90%, 纯度为98.7%, 聚天门冬氨酸钠盐的相对分子质量达到3000。当Ca²⁺,HCO₃^-离子质量浓度为500mg/L(以CaCO₃计),阻垢率为95.3%。     

离子渗铝的粉末冶金供铝源及其应用

本文提出了一种用粉末冶金制成的离子渗铝时的铝供给源,并用这种供铝源在辉光放电的条件下进行了渗铝研究。结果表明,该法渗入速度快,表面质量好。可在任何部位进行局部或整体渗入。     

Nanostructure. Epitaxial diamond polytypes on silicon

Carbon is unique in the variety of configurations it can adopt with itself and other elements. Here we show how ion beams can be used to nanostructure various diamond polytypes, epitaxially aligning them to a silicon substrate. The ready controllability of ion beams, which are already used to manufacture submicrometre-scale devices, means that our findings should enable new carbon and non-carbon materials to be nanostructured for a host of applications.